лица, принимающего рещения. В условиях САПР положение осложняется лингвистическим характером критериев и ограничений.

Наличие неопределенностей свидетельствует о том, что выбор разработчиком четких значений параметров приводит к реализации областей значений указанных параметров, а следовательно, и критериев качества (рис. 2.12, б~г). Поэтому даже при наличии глобального критерия необходимо рассматривать множество технических рещений в окрестности оптимума.

Рассмотрим иерархическую процедуру принятия рещений. На первом уровне проверяются безусловные ограничения, определенные ТЗ-Напомним, что каждому положению ТЗ соответствует лингвистическое значение качества. Дшя каждого технического рещения, предъявляемого процедуре принятия рещений, вычисляются нечеткие значения качества каждого из положений ТЗ О,. Значение" качества всего ТЗ определяется как

= min Oj,

где 7Vj3 - число положений ТЗ-

Далее вычисляется скалярное значение качества cOj и, если оно оказывается ниже порогового уровня б, принимается рещение о том, что рассматриваемое техническое рещение не удовлетворяет требованиям ТЗ.

Техническое рещение, прощедшее первый этап процедуры принятия рещения, можно отнести к разряду допустимых. Дальнейщие этапы процедуры предназначены для выбора рационального, т.е. в некотором смысле "лучшего" варианта конструкции. Заметим, что на этапе выбора структуры ряд параметров изделия неизвестен, поэтому им придается лингвистическое значение неопределенный.

Дальнейшая работа процедур принятия решений (рис. 2.12, г) проводится исключительно с частными критериями и ограничениями, что снижает размерность и облегчает взаимодействие процедур с разработчиком.

Следующим этапом принятия решений является учет отношений предпочтения между частными критериями и ограничениями. Эти предпочтения описаны, как указывалось вьпне, в виде набора нечетких высказываний. Входными параметрами высказьшаний являются частные критерии качества и ограничения, выходными - дополнительные критерии качества.

Далее вычисляются нечеткие значения для всех допустимых технических решений, т.е. технических решений, прошедших первый уровень селекции. Как и ранее, отбрасьюаются те технические решения, у которых со < б.

Глобальный критерий К,, отражает неявные предпочтения разработчика. Отсутствие явного описания Ка приводит к необходимости построения его в режиме взаимодействия системы с разработчиком. Для зтого система генерирует и предъявляет разработчику наборы, обладающие зкстремальными значениями частных критериев. Разработчик сообщает системе свою оценку. Набор оценок глобального критерия служит базой для индуктивной интерполяции.

После начальной стадии формирования Ка система начинает вычислять глобальный критерий для реальных технических решений, прошедших два уровня селекции, и предъявлять оценки разработчику. В процессе оценивания разработчик может доопределять глобальный критерий, дополняя и корректируя его базу интерполяции. Результатом работы процедуры принятия решений является упорядоченный набор альтернативных технических решений, проше1Ш1их три уровня селекции (рис. 2.12, d).

2.3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ПРОЦЕССЫ В СИЛОВЫХ РЕЗИСТОРАХ

Протекание электромагнитных процессов в проволочных и непроволочных силовых резисторах существенно различно. Поведение проволочного резистора при приложении к нему электрической нагрузки можно описать с помощью схемы замещения, изображенной на рис. 2.13, а.

Ток i, проходящей через индуктивность L, описьшается дифференциальным уравнением

llL + JL + j i = SLSH d-p- RC dT LC RLC

с начальным условием i (0) = О, здесь т - время; R - сопротивление резистора; L - его собственная индуктивность; С - емкость; U{t) - приложенное к резистору напряжение. При постоянном по времени приложенном напряжении общее решение данного уравнения

где Сг - постоянная, а

1RC \ V L I

Если 4RC/L < 1, kl =-R/L, к =-11 (RC) + R/L, переходный процесс носит апериодический характер, если 4RC/L > 1, затухание этого процесса определяется постоянной времени Tj=R~C~ .

Рис. 2.13. Электрическая схема замещения (с) и временная зависимость мощности, поглощаемой проволочным резистором (б)

Дпя силовых проволочных резисторов характерно, что электромагнитные процессы определяются его собственной индуктивностью, так что, пренебрегая емкостью С, получаем зависимость поглощаемой мощности

W/(r) =

где =LfR.

В свою очередь индуктивность проволочного резистора, Гн, для однослойной намотки определяется соотнощением [21]

/0 47Г

где п - число витков;

Зтг я

+ 1 8

здесь D - диаметр каркаса проволочного резистора; Н - высота резистора.

Указанные формулы справедливы для практически важного случая, когда H/D> 2. В [21] приводятся соотношения для других типов намотки проволочных резисторов. Зависимость поглощаемой мощности от времени приведена на рис. 2.13,6.

Собственная емкость однослойного прямолинейного РЭ с каркасом круглого сечения определяется соотношением [22]

С = 0,1 ki ki D,

где емкость С - в пикофарадах, ki =1-ь2, fcj = 1 Ьб.

Для снижения собственных индуктивностей и емкостей применяется перекрестная намотка (рис. 2.14, а). Применение перекрестной намотки позволяет более чем на порядок уменьшить собственную идук-тивность РЭ, что осуществляется за счет компенсации магнитных полей токов в параллельных обмотках, протекающих навстречу друг другу. Собственная емкость, пф, при данной намотке равна: