Главная Развитие электроэнергетической системы [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [ 17 ] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] а функция, обратная преобразованию Кирхгофа, имеет вид Внутренние краевые условия на границе дующей форме: (2.38) преобразуются к сле- (а )- Сопротивление РЭ силового резистора при наличии идеальных контактов (2.39) где и - напряжение, приложенное к силовому резистору; ds - элемент площади. Интегрирование в (2.39) вьтолняется по площади одного из контактов. Перейдем к рассмотрению распределения поля вблизи неидеального контакта. Неидеальность контакта приводит к возникновению тонкого слоя с весьма высоким сопротивлением на границе контакта и РЭ-Обозначим удельное сопротивление единицы площади указанного переходного слоя через Rj. Наличие его связано с оксидными пленками, возникающими при нанесении металлических контактов, а также о6-рьшом цепочечных структур резистивного композиционного материала на границе контакта. Для керметных композиционных резисторов R лежит в диапазоне от 10" до 10" Ом-м, для композиционных материалов на основе бетэла 10"* - 10" Омм. Принимая поверхность самого контакта эквипотенциальной, находящейся под потенциалом U/, вьщелим на контакте бесконечно малый элемент площади ds, потенциал РЭ под ним можно считать постоянным и равным и. Тогда ток, втекающий в РЭ через элемент площади ds, можно записать в виде Rl\u-u)ds. (2.40) Внутри резистивного материала ток, проходящий через поверхность S2 (рис. 2.16, б), равен: di =- J 1"- ds. (2.41) Устремляя S2 О и приравнивая (2.40) и (2.41), получаем краевые условия на границе неидеального контакта (2.42) Энергая электрического поля в резистивном элементе. Возможна и другая - вариационная формулировка задачи о расчете распределения потенциала в РЭ. Энергия злектрического поля в нем Э= mm (J-{ aVM(x)} 2х+ j --111 dx } , (2.43) где первый интеграл берется по объему РЭ, второй - по всем контактам. Пусть и* соответствует минимуму функционала (2.43). Дадим и* приращение 8и. Тогда линейная часть приращения функционала Э 6Э=2 J а(и*, X) u*V8udx + 2J (и*~ uj )8и dx. (2.44) Г). Воспользуемся второй формулой Грина для преобразования первого интеграла в (2.44) 63=-2J [Vo(u*,x)vii]8u dx + V + 2 J 8 и dx. (2.45) Необходимым условием минимума функщюнала Э является 8Э(8и) =0, а так как приращение б и произвольно, то необходимо выполнение (2-31) и (2.42). Таким образом, функция (2.45) минимизируется на решении краевой задачи (2.31) и (2.42). Заметим, что при минимизации функционала Э необходимо принимать во внимание краевые условия вида (2.42), а условия на непроводящей границе выполняются автоматически. Пусть один иэ контактов силового резистора имеет потенщ1ал щ, а второй , тогда его сопротивление R=3-{u,-u,y. (2.46) Заметим, что минимизация функционала (2.43) позволяет получить оценку сверху для энергии электрического поля в РЭ и оценку I снизу для сопротивления. Формально разложим потенциал в окрестности минимума функционала Э: и(х) = и*(х) + 8и(х)+ ~8и(х), в то же время сопротивление резистора и энергия электрического поля в нем могут быть записаны в виде R =R* - 0,58R и Э =Э*+ 0,5бЭ вследствие того, что необходимым условием минимума функционала i 55 является условие 5Э = 0. Из этого следует, что погрешность в определении потенциала первого порядка малости дает погрешность второго порядка при определении энергии и сопротивления силового резистора. Таким образом, для оценки сопротивления с заданной точностью точность в определении потенциала может быть гораздо ниже. В частности, приращение сопротивления при вариации потенциала имеет вид " - i d{o(x)[Vu(x)V}dx. в частности, включение объема бК с электрической проводимостью о + ба приведет к вариации сопротивления РЭ, равному : =----ба(х [VM(x*)]dF. Дня РЭ с равномерным полем указанная формула упростится: R о V где V- объем РЭ. Непосредственное определение сопротивления РЭ. Дня строгого определения сопротивлений РЭ силовых резисторов необходимо либо решать краевую задачу (2.31), (2.33), либо минимизировать функционал (2.43). Однако в ряде случаев сопротивление можно вычислить непосредственным интегрированием (рис. 2.17, а), при зтом предполагается, что линии тока прямолинейны и равномерно распределены в РЭ: R = J а-(х) -- , (2.47) где S - сечение; Н - длина РЭ. Очевидно, что указанное допущение вьшолняется при условии Я {S (Н) ~S ф)) < I. в противном случае искривление линий тока приводит к значительным ошибкам при расчете по (2.47) [16]. Приведем формулы для расчета сопротивлений РЭ непроволочных резисторов простейших конфигураций. Для РЭ объемного типа (рис. 2.17, б) здесь D - диаметр РЭ. 56 [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [ 17 ] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] 0.0012 |