Главная Развитие электроэнергетической системы [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [ 21 ] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84]
Если же X лежит на данном конечном интервале, то координаты узлов и веса квадратурной формулы принимаются из табл. 2.2. Таблицы коэффициентов квадратур с большим числом узлов приведены в [27]. Для точки Ху, расположенной на i ранице РЭ, конечно-мерная аппроксимация интегрального уравнения (2.56) имеет вид Хз(ху)= - £. Pfc 2 Z(r}i)wi, 2 k = l j=l (2.60) вследствие замкнутости границы (рис. 2.18, в) слева от точки 1 находится точка М, а справа точка 2, это следует учитывать при суммировании. Выражение (2.60) представляет собой систему линейных уравнений относительно плотностей токов на границе р.. После ее решения потенциалы и напряженности электрического поля могут быть вычислены по (2.54), (2.55), процетура численного интегрирования практически не отличается от рассмотренной выше. Использование криволинейных элементов связано с необходимостью аккуратного определения напряженности электрического поля на границе. Распределение потенциала в проводящей среде внутри РЭ в свою очередь индуцирует электростатическое поле вне РЭ, которое определяется из решения внешней краевой задачи V(e(x)Vw) =0; "Ifi UfsUFs = "з(х); "*1г4 = ""1г4; - ди где е (х) - диэлектрическая проницаемость внешней среды; Uj - потенциал поля, определенный при решении задачи о распределении потенциала в РЭ; и* - потенциал в диэлектрическом покрытии; и"-потенциал вне диэлектрического покрытия. Как и ранее, будем решать данную задачу методом граничных элементов, для чего разобьем границу Ti U Tj U Г; на Л/, частей, а Г4 - Рис. 2.19. Зависимость отношения максимальной напряженности к средаей электрического поля от радиуса скругления границы R для различных отношений диаметров контакта к диаметру РЭ: 1 - DJD = 0,9; 2 - DJD = 0,7; 3 -DjD= 0,5 10- R/n на частей. Неизвестный вектор зарядов простого слоя на Ti иГз иГ; обозначим через cji, а на Г4 - через cjj. Так же как и в предьщущем случае, составим и решим систему линейных уравнений относительно toj и соа- Потенциалы и напряженности электрического поля вычисляются с помощью численных квадратур интегралов (2.54) и (2.55). Численные расчеты и эксперименты показали, что наиболее опасным в отношении электрического пробоя местом является область сопряжения боковой поверхности и торца РЭ. На рис. 2.19 представлена зависимость максимальной напряженности поля от радиуса скругления границы Гз для различных отношений диаметра контакта к диаметру РЭ £). В [26] предложен способ повьпяения рабочих напряжений резисторов. Он состоит в том, что в процессе изготовления резисторов при металлизации поверхностей галет в слое металлизации формируют микровыступы высотой не менее 0,2 мм. На слой металлизации наносится тонкий слой диэлектрика. Подготовленные таким образом галеты собираются в резистор. Сжатие галет в конструкции резистора обеспечивает надежное контактирование галет между собой и заполнение диэлектриком всех пустот между отдельными галетами. Применение клеевого диэлектрического покрытия позволяет надежно соединить галеты между собой, герметизировать контактный узел, повысить напряжение локального пробоя в зазоре между галетами на 20 %. 2.5. РАСЧЕТ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ СИЛОВЫХ РЕЗИСТОРОВ Стабильность работы и надежность силовых резисторов существенно зависят от выбора тепловых режимов на этапе проектирования. Электрическая энергая, выделяющаяся в силовом резисторе при протекании через него тока, превращается в тепловую, что ведет к повышению температуры. Силовой резистор сохраняет свои параметры в заданных пределах в течение всего срока службы только в том случае. *При написании раздела использованы материалы В.А. Чагина и А.А. Сутчен-кова. если температура не превышает определенного допустимого значения Гдоп- Допустимая температура в свою очередь определяется деградацией электрофизических параметров элементов конструкции. Следует отметить, что допустимые температуры элементов конструкции резисторов отличаются друг от друга и имеет смысл говорить о векторе Гдоп размерности Nk, где Nk - число элементов конструкции; доп/. - 1. 2, Nk - допустимая температура г-го элемента конструкции силового резистора. Допустимая температура определяет допустимую мощность, которую может рассеивать резистор. Под допустимой мощностью здесь понимаем мощность, прикладьшаемую к резистору в данном режиме нагружения при определенной температуре окружающей среды, условиях теплоотдачи, так что температуры элементов конструкций силовых резисторов не превышают Гдоп- Зависимость допустимой мощности рассеяния от температуры окружающей среды при фиксированных условиях нагружения и теплоотдачи называется нагрузочной характеристикой. Расчеты тепловых процессов в сютовых резисторах в процессе проектирования призваны решить следующие задачи: 1) для заданной конструкции, режима нагружения, условий теплообмена определить распределение температуры в изделии; 2) по заданному вектору Гдоп и условиям теплообмена определить допустимую мощность рассеяния Ндоп; 3) определить нагрузочные характеристики силовых резисторов; 4) оптимизировать конструкцию силового резистора (для заданных Тдоп и режима нагружения определить минимальные габариты изделия). Указанные расчеты необходимо вьшолнять с учетом неопределенности задания условий эксплуатации изделия, разброса его теплофи-зических характеристик. Расчеты такого рода, выполняемые на ЭВМ, позволяют уже на начальньгх стадиях проектирования определить эксплуатационные характеристики изделия и отбросить заведомо непригодные варианты. Основным требованием к математическому обеспечению расчета тепловых режимов силовых резисторов является возможность оперативного проведения расчетов без необходимости перепрограммирования при переходе к новому типу изделий. Основной задачей при расчете тепловых режимов является первая. Можно показать, что ее решение является составной частью решения остальных задач [17]. Уравнение, описывающее распределение температур в установившемся режиме в элементах конструкции, имеет вид V (X (X, q. Г) V (Х, q))=-W (X, q,T) (2.61) [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [ 21 ] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] 0.001 |