ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ диоды

Система обозначений полупроводниковых диодов

В соответствии с ГОСТ 15133-77 полупроводниковым диодом называют электропреобразовательпый полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами.

Полупроводниковые диоды классифицируются по исходному материалу, технологии изготовления, площади p-rt-перехода, назначению или области применения.

Кроме одиночных диодов промышленностью выпускаются диодные сборки, столбы н блоки, которые состоят из специально подобранных диодов, помещешгых в один корпус.

Для полупроводниковых диодов используются сисгемы обозначений в соответствии с ГОСТ 5461-59, 10862-64, 10862-72, ОСТ 11 336.038-77.

Согласно ГОСТ 5461-59 система обозначений включала три элемента.

Первый элемент обозначения - буква Д, второй - число, указывающее на материал, конструктивные особенности или область применения:

Точечные германиевые - Видеодетекторы - 601...700

" Параметрические гермаине-

Точечные кремниевые - „ыр - 7П1 74q

Ш1...20П !: -

Плоскостные кремниевые- "Р""?)"?,;;" кре>/т.е.-201 300 ~ 750..-оОи

Плоскостные германие- Стабилитроны - 801...900

вые 301...400 Варикапы - 901...950

Смесительные СВЧ дсск- Туннельные - 951... 1000

торы - 401,..500 Выпрямительные столбы -

Уыножительные - 501. .600 1001..1100

Третий элемент - буква, обозначающая разновидность прибора.

В 1964 г. была утверждена новая система обозначений полупроводниковых диодов (ГОСТ 10862-64), в соответствии с которой маркировка вновь разрабатываемых полупроводниковых диодов включает четыре элемента.

Первый из них - буква или цифра, указывающие на исходный материал (Г или I - германий; К или 2 - кремний; Л или 3 - арсенид галлия либо другие соединения галлия).

Буква употребляется при обозначении диодов, предназначенных для аппаратуры широкого применения, а цифра - дли диодов, используемых в annijpaxypc специального лазмачсиия.

Второй элемент - буква, обозначающая класс или группу диодов.

третий - трехзначное число, определяющее назначение или электрические свойства диодов (табл. 1).

Четвертый элемент - буква, указывающая на разнонидпость типа из дайной группы полупроводниковых диодов.

Начиная с 1973 г. внонь разрабатываемые полупроводниковые дйоды маркируются согласно ГОСТ 10862-72. Их обозначение состоит из шести элементов.

Первый из них - буква (Г, К, А) или цифра (1, 2, 3), обо-значаюшие исходный материал.

Второй - буква, указывающая на класс днода (табл. 2).

Третий элемент - цифра - назначение диода (табл. 2).

Четвертый и пятый элементы обозначения полупроводниковых диодов (кроме стабилитронов и стабисторов) - это порядковый номер разработки технологического типа (от 01 до 99).

В обозначениях стабилитронов и стабисторов третий элемент является показателем мощности, четвертый и пятый - номинального напряжения стабилизации (табл. 3).

Шестой элемент обозначения диодов, дииисторов и трнни-сторов определяет деление технологического типа на параметрические Группы, а стабилитроно» и стабисторов- последовательность разработки и маркируется буквами русского алфавита от А до Я-

С 1977 Г. разрабатываемые полупроводниковые диоды, тиристоры и оптоэлектронные приборы обозначаются согласно отраслевому стандарту ОСТ II 336.038-77. Маркировка включает семь элементов.

Первый элемент - буква или цифра, указывающие на материал: Г или 1 - для германия и его соединений; К нлн 2 - кремния и его саединеинй; А или 3 - соединении галлия; И или 4 соединений индия.

Второйбуква, означающая подкласс прибора (табл. 4).

Третий-аифра (или буква для онтопар), характеризующая один из основных признаков [ipnOupa (таОл. 4).

Четвертый, пятый и нуестой элементы - порядковые номера разработки технологического типа прибора.

Седьмой - буква, условно соответствующая классификации па параметрам приборов одного технологического типа.

При необходимости указать отдельные конструктнвни-тсх-натогические особенности прибора предусматринасгсн введение в обозначение дополнительиых символов:

буквы С после второго элемента - для наборов в общ,ем корпусе однотиг}Ных приборов, 1[е соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

цифр. паписаннь!х через дефис, после седьмого элемента - для бескорпусных пр[боров;

буквы Р после последнего элемента -для СВЧ приборов с парным подбором;

буквы И после второго =»лсме11та - для импульсных тиристоров.

Условные графические и:4пбражеиия полупроводниковых диодов и тиристоров представлены на рнс. 1.1.

Ы--Й

3

Рис. /./. Условные графические обозначения по;]упровод-

НИКОВЫ.\ ДИОДи II 1И[)ИС11.)риВ

м 15ыпрям1*те.-ьным лиод Ici". блик). iiMry.ni.Lin<in м vnvisepcajibHWH

диод, с -T>HHfhHIJK диод, е - Обр2Щ,(Л1НЫН ЛНОЛ, - ПдиоСТОрОНПМЙ

паби/итрон. с - лвухсторонннй (.leyxaMOjHwri) 1"дб,1литрг>н. г - вэ-рикл1, яс оарикЕлная матрица, з - свегоизлучаюший диод, и - диодный [ирисюэ (яиинстир), к - диодным сиымсгричнын тиристор, л - не-занираемзш т-иннстор. улрап-пя:?мый по катоду, м -- незапирврммй 1рг1ц1кт(,р чирав.темы» ПО й 10ду; « - saniipdcibiH грн)шстор, упров-iflCMbifv fio 1чл-:ол\ (. - ланнраумий iphvincTop, управляемый по эчоГ>

1, Второй и третий элементы обозначения

полу11рцвидниковых диодов по ГОСТ 10862 - 64