Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [ 13 ] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Д815Г

Д815Д

Д815Е

Д815Ж

Д816А

Д816Б

Д816В

Д816Г

Д816Д

Д817А

Д817Б

Д817В

Д817Г

КС 433А

КС439А

КС447А

КС456А КС468А КС482А KC5I0A KC5I2A KC5I5A KC5I8A КС520В КС522А КС527А КС531В КС533А

13 12 15 18

22 27 33 3? 47 56 68 82 100 3.3 3.9

5,6 6,8 8,2 10 12 15 18 20 22 27 31 33

±10

»

»

»

(5,5)

»

»

(10)

»

1 22, а

-10 8

То же

»

>

»

»

1 22. г

1 22, а

То же

1 22, г

0.64

1 22, в

1 22, г



JI pro

- -1 1 с -

KC547B KC55IA KC568B KC591A KC596B KC600A KC620A KC630A KC650A KC680A

47 51 68 91 96 100 120 130 160 180

(3) 5 5 5

280 20 400 400 560 450 150 180 270 330


Размеры 5 мм

KC5Z0S KU531B НС 541 в

КС55дВ KV536B

5 1,5

5 1,5

5 1.5 50 50 30 30

10 14.6 10 8.8

7 8.1 42 38 33 28

3 1 3 1

5 5 2.5 2,5

12 ]

12 20 20 20 20

0.72 1

0,72 I

5 5 5 5

1 22. a 1 22, c 1 22. a 1 22, г 1 22. a 1 22. 6 To же

Рис 1.22. Конструкция и основные размеры кремневых стабилитронов.

П-Д808 Д814. KC13J. КС139. KCI47. KCi56. KCi68, КС433А. KC439A КС447А, КС45е4, КС468А. KC4S2A KC5I0A KC5i2A КС51оА, КС518А КС.522А, КС551А. КС591А, КС600А б-Д>(15 КС630, КС650. КС680 а-КГ1й2А, KCI68B KCI70A КС17оЖ, КС1Я2.Л. КС162Ж KCI9I. KC2iO. КС213. КС5-А. ~ KC.LUB. КС531Б. КС547В, KC.ibSB, КС596В



1.7. Туннельные и обращенные диоды

Специальные электрические параметры туннельных диодов приведены в табл 21-23, а их [лкчпний вид и основные размеры см па рис 1.3.

21. Термины и опрсделсння основных параметров

Термины

Пиковый ток туние.и, ного диода

Ток впадины туннельного диода

Отношение токоа i ун нельного диода Напряжение пика туннельного диода

Напряжение раствора туннельного диода

Сопротивление потерь туннельного днода

Емкость диода

Индуктивность диода

Макс им ал ьно дон уст н-мая рассеиваемаи импульсная СВЧ мощность диода Предельная резистнв-ная частота туннельного днода

Б>квинны1 oOo.iiiu чспнк

п в

СВЧ и так

Oiip( ujii [111)1

3ii.T4i4ini HpiTivoin тпкп n точке максимум;! потьт пмнерипй характерн стики туиионьмо!о диода, при котором значение дифферр]ил,иальнон активной проводимости равно нулю Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного днода, прн котором значение диффсренииаль-ной активной проводимости равно нулю

Otikjihcm но 11ик0н010 пока к току вмадннЫ туннельного диода Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току тун-нетьного диода

Значение прямого напряжения на второй ВОСХОДЯШ.СН ветви вольт-амперной характеристики туннельного ДИОД.Я, при KOTt)po4 ток равен пиковому

Суммарное активное сопротивление кристалла, контактных присоединений и выводов

Емкость между выводами диода при заданном напряжен ни смещения

Полная последовательная эквивалентная индуктивность днода при заданных условиях Максимальная импульсная СВЧ мощность, рассеиваемая диодом, прн которой обеспечивается заданная надежность

Значение частоты, на которой активная составляющая полного со-iipoi моления -i уннельного диода на его выводах обращается в нуль



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [ 13 ] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009