Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [ 20 ] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

>N 2 )7li

2\:>07Г

2У207Д

2i207F.

2 У 208 A

КУ208А

2У208Б

КУ208Ь

2У208В

КУ208В

2У208Г

КУ208Г

КУ21IА

КУ2ПБ

КУ21 IB

КУ211Г

КУ211Д

КУ2ПЕ

[\У2ИЖ

КУ2ПИ

b !

(0,5)

0,Г)

(0.5)

iO,5)

10.5)

00

1 :)0

2 3, d

To ж с

2 3, i-

Л1ТК

v{ к

»

v\TK

»

.500

\\7K

2У*Р). КУШ, 2i/rM,

bnpabvcuipu злектрад



--J i

- -Г-Н, ..

I-,--

f*- --

j6 3

Катод

=-

1 s

r- - *-





ZUW7


AhoS

3/ shwpa



ZJin Kjno



Puc. 2 2. Триннсторы малой мощности

2У2ШЛ Г, куоел г



•-- 3D

&1-

2Угоз

Аноде) \Эле/(трг1д 48


ЗЛЕКТШ

Рис. 2 3 Трннисторы средне[( мощности 64



3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

3.1. Система обозначений биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г., к шссифицировались по мощности (малой - Р 0,25 Вт и большой - Р :> 0,25 Вт) и по частоте (низкой ~ / 5МГц и высо-*,ои - / > 5 МГц). Условные обозначения плоскостных тран-iiKTopoB по ГОСТ 5461-59 состоят из двух или трех элементов, Первый - буквы П или МП. Буква М обозначает, что гер-"кчнзация корпуса транзистора осуществлена методом холодной сварки, меньше влияющей на структуру и свойства полупроводниковых переходов транзистора. По параметрам эти ранзисторы соответствуют таким же транзисторам без буквы М и обозначении.

Второй элемент - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал:

М.1Л о мощные низкоча-t I<ниыо.

1 t[)MJlllI[.l!l3H. I 10U

кремниевые 101. .200

vniiiHhie низкочастотные,

I< рманпепые 201 300

KpeMHtfeRbfo 301 .400

Маломощные выеоь.оча-стотные:

1ерманиевые 401. .500

кремниевые 501 600

мощные высокочастотные германиевые 601 .700 крем1!иевые 701 -800

Третий элемент - буква, обозначающая разновидность I рибора или модернизацию.

В 1964 г ГОСТ 10862-64 была установлена новая система чо(пначений полупроводниковых приборов В нее в 1972 г. ! u( сены уточнения В соответствии с этими стандартами си--юма обочначений биполярных транзисторов включает гпесть > 1ементов.

Первый -буквы Г, К, А нли цифры 1, 2, 3, обозначающие 1к чодный материал - соответственно германий, кремний или 10сдинения галлия (цифры используются для маркировки приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специ-.1,ibHOro назначения).

Второй элемент обозначения - буква Т.

Третий - цифра, указывающая на основное назначение и 1 .1чсственные свойства транзистора (см. таблицу).

I i Mill в П 11 д[1



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [ 20 ] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0008