Продолжение таб i 31

1. mil,

DyKnciiJfbie пйотилчсния

> v II. полг.пи прово-

i мч 1 и прямой пере-111 OHiiOvinpHoro II,к гора

11.,1[ая полная про шмость биполнрно-> I [1анзн( п пра в ре-. \1Р малого сигнала

II коротком замы-

MIJI

К1гкческая крутизна 11 1М0Й передачи в • * vie с общим эмитте-I л

И .олная емкость би-

и i iHpHoi о транзисто-

Кмхпдидя емкость би-i ( тпрного трапзасто-

1[)еаельг[ая частота 1 ффнииента пере-1.1ЧИ тока биполярно-п транзис!ора

I l)Hvi,e 1ьияя частота i " л}1фнциента iiepe

I 1ЧИ тока базы бн-

II iiipnnro транзисто-

1 Л!!ичная частота ко- ii]imu-ienTa передачи (1ка в схеме с общим

III п ером

мффии.псит шума i пкчярниго ipaiiaH-I \, л

I и 1]к)иииент насыпи ПИЯ биполярного iJi Iилиетира I .

I.wi 110 мощ,ности бн- мрного TpaiFaHCTO-

()иинент }снле-

1 1 tMliiiiUieHT полез-

Модуль полной проводимости прямой передачи в схемес общим эмиттером

Отноигснис измене [ий комитекень ч величии ВЫЧ0Д11010 тока к вызванному им изменению выхидиою напряжения При коротком замыкании по переменному ток на входе

Отношение иоетояииого тока коллектора к постоянному напряжению база - змиттер при заданном напряжении коллектор - эмиттер Емкость, измеренная на сходетран-зистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме мало!о сигнала Емкость, измерсии,1я на вь[ходе транзистора при разомкнутом входе но переменному току в режиме малого сигнала

Частота, па KOTopoit модуль коэф-фициенI а передачи тока в схеме с общей базой падает на 3 дБ по сравнению с его ни.-?кочасгог1ьгм значением

Частота, на которпй модчль коэффициента передачи тока в схеме г оби1.им эмиттером падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением

Чаитота, на которой модуль коэффициента передачи тока в слеме с обшим эмиттером экстрнполируег-ся к единние

Отношение мощности iii>mob на выходе транзистора к той ее часп]. которая создана тепловыми шумами сопрот явления источи и к- сигнала

Отион1Снне тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения

Огионгение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на его вход, при определенной частоте и схеме включения OTHOiuenite иыходой мощности

одолжение

тапл 31

V и II ы

ULUjiid4t]iiim

НОГО деист-нил лектора

Время я.иержки дни бичо.1 ярк>го транзн

CTOpd

Время HnpacTdHMfl для биполярного транзн стора

Время рассасывания для бипатяриоготран знстора

Время {11 j,a а Ч Си пилнрпого трап uicto pa

Время включения би полярнО!О Транзисто

время выключении бн ио/1ярного транзисто ра

Синротивление базы бипотчрного транзн стора

Емкость эмиттериого перехода

Емкость коллекторного перехода

UUK.]

транзистора к vi!;muiO( i и потреб ллемпй 01 источник.I lai i к1-.го[)чого питания

Интсрват времеь*н меи.чу мпчтигтз ми 1арасан11Я фронтов входного импульса до значения, соответст вчющого 10 % его амплитуды, и вых од н 01 о импульса до значения, сиотвст(.1В)юи1.сго 10 % его амн щ

ТУЛЫ

Hnripnn пррмснн \1С.д 1 v]04CHTa МП )1.1р кт пп1я фрочга выходного имнг 1Ь( с1 (11 начснпч comiiciei вюцсго 10/(1 -"1 с1М11111\ДЫ до змач!.имя соот8отств\ющего 90 % его амплитДы

Интервал времени между моментом подачи на базу запираюшего им пульса и моментом,когда напрпже ние на коллеморе гранзнлора достигает затзнною \ровня Интервал вромиш меж i,> M<iMeii-tll.Jдa c[H4j Huvo i,HOi u импульса от значения, соотнетствую-щего 00 % его амплитуды, до зна-jeHHH, соответствующего 10 % его нмплнт; ды

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и на-

рл Г.1ННН

Интсроал вренсш! межл> моментом подачи на базу запирающего нм пульса и моментом, koi la напряжение на коллекторе транзпеюра достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения

Сопро! ивлснис между выводом ба зы и переходом база- эмштер

Емкость между выводами э.миттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмит1ср - база и режиме коллекгорм(ш цепи Емкость между выводами базы транзистора и коллектора при заданных обратном напряжении кол лектор - база и режиме эмиттер-нон цепи

ofiriHa [СИНЯ

О-релс тения

1 «м I n hiiuiii иремени

I I обратной СВН 111 I buccjkoh частоте

I I лярн01 о транзи

I--jHT 1ческнй TOh 6,

II Пяр lort) TpaiiJiiCTO

I ранйчное напрпжо I С биполярноготран 1 истopа

11лаваюн1ее папряже иие эмигтер - база

1 !апряжсние смыка ния биполярного тран iiiCTopa

I [р()Г)итт( иаирн/ке НПО коллектор - база

11робивное напряже иие коллектор - эмит-кр

КЭО гр

in 1

КПО проб

КЭ проб

Произведение сопротивления базы ма активи\о емкость кол.екторно го гсречо \d

Значение юкл 1«ь7лектора прк до стнжеиии которого значение l/iil падает на 3 дБ по отно шению к его максимальному зиа ченнго при 1аданном напряжении качлектор - эмиттер Напряжение между выводами кол лектора и эмиттера при гоке базы равном н\лю, и заданном токе эмиттера

Напряжен ие между выводами мит гера и базы при заданном обратном напряжении коллектор - база и токе эмиттера, равном нулю

Обратное напряжение коллектор - база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор - база Пробивное напряжение, измеряе мое между выводами катлектора и базы, при заданном в техннче ской документации токе колдектора и токе эмиттера, равном нулю Пробивное напряжение, измеряе мое между выводами KOJMeKrupa и эмиттера, при заданном в техни че1:кон документации токе коллек тора

Термины, относящиеся к режимам эксплуатации

(измерений)

Постоянный ток кат-юктора

i(JCтoннныi тОк эмит-U ра

Постоянный ток базы

11<>1.тояниый ток кол I к1 ора в режиме на t I пи ния

Постоянный ! ОК, протекающий че рез коллекторный переход Постоянный ток, протекающий че >ез эмиерный переход Постоянный ток, протекающий че рез базовый вывод