Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [ 23 ] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Tt рЧШЕЫ

Постоянный ток баш Б режиме нг-сыщеиия Импульсный ток коллектора

Импульсный ток эмиттера

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянное напряжение коллектор база Постоянное напряже-ние коллектор - эмиттер

Выходная мощность бипадярного транзистора

Постоянная рассеиваемая мощность биполярною [рапзистора Средняя рассеиваемая Monj,HOCTb биполярного TpdH-HCTOpa Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора Постояннаи рассеиваемая мощность коллектора

Средняя рассеивае мая мощность коллектора

BjKRCIlllhlO

обозначения

Uiipi-дс 11. шш

Импчльгное 3na4eH>iC тска коллег-тори при заданных скважное!и и длительиоси! импульса Импульсное значение тока змнтте-ра при заданных скважности и длительности импульса Постоянное напряжение между выводами эмиттера н базы Постоянное Hanpn-eiHie между выводами коллекюра и ба и.1 Пост ояннос напряжение между выводами коллектора и эмиттера

Мощность, которую 01даег тран-ancTfjp в типовой схеме генератора (усилителя) иа заданной частоте Суммарное значение постоянион М0ШНОС1И, рассеиваемой в транзисторе

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе

Пиковое значение мошности, рае-сенваемой в транзисторе, при работе в импульсном режиме Постоянное значение мощности, рассеиваемой иа коллекторе транзистора

Усредненное за период значение мощности, рае1.еив.1СМ0Й на коллекторе транзн! юра

При раэоикнтом выводе базы - кэО- сяо- " коротко ими ii\ti4\ випотах jmiit тсра [[ Оазь! к ceS "Р" -*зданно-л сопротивлении в uliu С i i - зчлг чр Ji,

ir.EP V jdjaiiiioy обратном напряжении эчиттер - fiasa цэх- < i \ li слеме с ij&iurft udsofi общим амиттером доб:;влястся иилсы: corn m тттнгнно *5>

и «э» для ог«честв<;нны\ С-\кш;нньг.х uGoaiiaiieiHlii Н *Ь» пли «еэ - д,]я меж 1унарот,ны\ обозначении

При токе блзы, равном нулю, кэО проб- (8f)CbQ "Р" заданном сопротивлении в цели база - эмиттер baR проб -(БЮСЕР.- "Р" коротком зсмыкаиин в utiiii база - jmht гР кЭКпроб- {BlfjCCS- "Р" заданном обратном напряжении база - эмиттор проб-

* При заданном обратном токе эмиттера и токО коллектора, раьноч h.iw, Uq,

При злданном токе копектсрз и токе эч) Tiepj, рапном иутш, (хьП t во При заданном токе коллектора в токе бати, равном нулю. t/jQ, i(7£0, при задаг.иом токе коллектора н сопротивлгнии в испи база - эмиттер 1ц2Я СГ}- fp" таданном токе колектора н коротком замыкании в цепи база - эмиттер /К CfS- "Р лан]вч токе коллектора и тадаицоу оРрлтном нзпрпжсннн э-ч иттср - база Uy,



11 р II м « ч а [I н й 1 Помимо ка.инпых терминоп определений и бквениьх обоничс iiLiit iflOKTpiiiccKf-X пзрачетров Си11и.нрны\ транаидторов, рскоче-f т,о1анны\ 1 01 I jtK)03 - 74, в cnpdBOHHiiKe для биполярных транзисторов приводятся и другие II И II /„рр .р тепловое соцрсипиление переход - корпус, R- окр~ т£-"лопое сспротис

I IIIK (кречод- окружающая среда ffnp,Cjg) - сопротивление в цепи эм![ТТОр Йаи

II Ml змнттср), - температура перекода, температура корпуса, И. - I MIH jiuTvpa окружающей (.реды, 1 - длительность импульса, Q - скважность импуль

и - прсмя переключения биполярного Tpaii!)tiCTOpa, I- ерсг.пнй ток jmhttlpj К буквенном у индексу максима.! ыю доп>ст1-1МЫХ TiiaiieiiiHr параметров юбавляют i

}2. Однопсреходныс транзисторы

Тсрмчиы

Бук ветше

ойоначин!!

Опредее1р111

Обратный ток учетам

Ток модуляции

Ток включения

Ток выключения

Остаточное напряжение

Коэффициент передачи

Л\ежбазовое сопротив лсиие

Максимально допусти мое межбазовое иа-иряженнс

Максимально допустн мое обратное напря-Л1.оиие между эмиттером и базой 2

ВК.1

выкл

БЭ нас

ББчакс

БЭ макс

Обратный ток эмиттерного пере хода, смещенного в направлении, обратном базе 2

Минимальный ток цепи базы 2 при заданном напряжении между базами и эмиттерном токе Значение эмнттериого тока, при котором происходит переход транзистора из закрытого состояния в открытое

Наименьи1се значение эмитгерного 1 ока, при котором сохраняется открытое состояние Прямое напряжение на эмиттере при заданном токе эмиттера и межбазовом напряжении Отношение максимально возможного эмиттерного напряжения на р-л-переходе к приложенному межбазовому напряжению Сопротивление между базами транзистора при зада!шам межбазовом напряжении

Х\. Двухэмнттерные транзисторы

Терчикы

Букаснкые обозначения

Оиредс/книн

ик закрытого ключа

эокр

Ток через эмиттеры транзистора при закрытых переходах каплек-тор - база / и коллектор - база 2

1 деиие напряжения 1 открытом ключе

Напряжение между двумя эмиттерами транзистора прн открытых



U рмлиы

обозначения

Опр(чг/Ч1[1я

Напряжение на \нрав ляющнх переходах

Макеимально п.опустИ мое запирающее напряжение управления мел-еду коллектором и базой / или KojbifKTO-ром и базой 2 Максимально допусти мое напряжение на за KpbiTOM ключе между эмиттером / и Эмиттером 2

Сопротивление открытого ключа

переходах, коллектор

база / и

коллектор ба ici при токе эмит-lepa, равном нулю

Падение напряжения на управ ляюших переходах коллектор - база / и коллектор - база 2

Сопротивление, измеряемое между эмиттерами транзистора при рабочих токах эмиттера и базы.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [ 23 ] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011