Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [ 24 ] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

4. биполярные транзисторы малой мощности

4.1. Биполярные транзисторы малой мощности низкой частоты

Назначение выводов, внешний вид и основные раз-viLpbi корпусов биполярных 1ранзис10рОБ малой мощности низкой частоты приведены на рис. 4 !.


3D. Ш



а


nvj3


0,5 , 5,3


f. KTt17j 27U7

1/ТЛ

El Э

Puc. 4 i. Биполярные транзисторы малой мощности низкой частоты



мп20, мп20л, мп20ь,

мп2!, мп21а. мп21б, мп21в, мп21г

Германиевые сплавные транзисторы р-п-р Предназначены для работы в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры в режимах усиления и переключения.

Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.1, а).

П арамстри

МП 20 Ml 12]

МП20Л MU20b

МП21 4 МП21Б

МП91 R МП21Г

Ukb--5 В:/э =

= 25 мА;

/ 50. .1000 Ги.

ISO ..150

50 . 150

50. 150

20.. 100

Ооьр-20=С И = 70 °С

20 GO

80 200

20 80

20 80

50 200

50 200

50. 200

20 150

20 .75

80 250

20.. tin

20 120

И - 60 С

КВ = КЬ max, %кр - 20

25. 150

30. 150

25... 150

15. .100

15...60 <50

60 .200 <50

I5...80 <50

15. .80 <50

Эокр = 70 "С

<250

<300

<250

<300

= -30 В /з = 5 мА

<50

<50

<50

<50

> 1

>2

> 1

>1,5

> 1,5

> 0,465

> 1

. В

/к -300 мА; = 60 мА

<0,3

<0,3

<0,3

<о,з

КЭ пр

/ = 100 мА

>30 >35

>35 >40

Предельно допустимые оксиду а i анионные данные

Р, . мВт

о ,

< 70 X

- 60X0 < <70Х "f -60Х<0 < <70Х " То же, при т <10 мкс; (=2 Н 5 35 "С

Ог\р

- 50

- 70

- 70

- 20

- 35

- 40

- 35

--50

- 30

-300

0,33

0,33

0,33

0.33

-60.,.

+ 70

При температуре 60 "С При температуре -55°С,

При температуре окружаюпссй среды более 35 С мощность (мВт) Р

рассчитывается по формуете . =(85 - ОД/0,33.



W 8 6

мпго

10 8

miiAL



m2fA

- r-

100 80

MHZIE

m oo

mA ZW ZQQ UO

89 ¥0

Mffi

Kb"

/к, mA

240 ZOO

\-ZW

•zw-

JztO-

MmuAMozBi

30 TBH]

-1ц=ЗдмЛ-

гчо гвв

ISO Ш 80

1-Z40

Z10.

~150~

\~I=30mAA

8 0,Z ОЩЬ 0 0,2 0,¥U,fi 8 -1 -2 U,,S 0 -1 -1U,3



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [ 24 ] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0012