![]() |
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [ 26 ] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] I ] I • 1M t T p Ы сжим итметекнл МП39 МП39Б МП40 МП 40 4 МП-11 МП41А 5 В, i=l мА; f == I кГц, е = 20 °с мкА Л\Гц мкСм О = -60 "С = -5 В, О =20Х и= 5 в, О -20°С <=-В;?-=. мА = -5В, / = I мА; Кр г- " г,. Ом = 1300 кГц С, пФ К > дБ - 5 В, f = 465 кГц; = ~\,ъв, }.=о,ъ мА/ /1 кГц /, . м А I , мЛ Г мВ t. / ы В I I! , О , "С 1>И> 60 G < 40 ы) X с: о 1.К 1 GOX<0 40 °С 40 "С 40 °С 40 °С 4U X 40 °С 40 °С ЬО X < < 70 X ьо"С<е<70"с 60 °С < 0 70 X БО X О"*" < 55 Х LKP -60... + 70
Ири отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база - эМиттер не должно превышать 10 кОм. (.р"Днее значение тока эмиттера за I с не должно превышать 40 мА. Мри 1смпсратуре окр\жяюи1,ей среды от 55 до 70 °С мощность сни-лч.[1чя по линейному закону до 75 мВт %50.15 ~ОМвэ.В W 9,15 ff,Z5U,,9 ![]() EO W
-8 13 -11/э,В 0 5 40 -15 -21} -15 ![]() МП42. МП42А, МП42Б Германиевые сплавные транзисторы р-п-р Пред назначены для работы в переключающих и импульсных устроч ствах радиоэлектропиой аппаратуры широкого ггримененгш Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.1, а). Параметры > 1 / . мкс О" КЭ нлс ЬЭ нас Режим иjvepeHHH 1 В; 10 мА, икр О -70 "С окр о J = -60 °с IS&Ta-O.SB, о =20Х U 370 °С 5 В; y;"Ll ,A и = -15 В; I = 10 мА / = 10 мА; / = Г мА .к . „ . .г> . 1 мА Bi/ = 10 мА; L
/ / piilhl 1 lit ( N141 I 1 > > \ MI II 1 I I V4; IJ Ml 112Л MI I l b II ")едс-,1Ы10 л011\1:тим1,и iLll i\лтацмонные дспнныс \tBt I) C. GO X < О 60 X < О 60 X < 1» 60 С с:: О ы) X с: о = 70 С < 70 4 70 X 70 С 43Х - 13 -13 150 0.2 85 - 15 -!5 150" 200 S5 15 - 15 150 30 200 0,2 85 -60 4-70 Для прибироо со знаком качества / = 250 мк4 * При отсутствии запирающего смещения сопротипление в цеии база - - эмиттер не должно иревьпиать 3 кОм Д.И приборов со знаком качества - 200 мА Среднее значение тока эмиттера за i с Для приборов со знаком качества /эср m,i.= 0 При увеличении температурь! ог 45 до 70 ""С мощность снижается по линейному закону до 75 мВт. КТ104А, КТ104Б, КТ104В. КТ104Г Кремниевые эпитакснально-1и[апар11ые транзисторы р-п-р Предназначены для использования в радиозлектронний апАаратуре широкого применения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4,1, б). Параметры кво- С, лФ С. пФ В--5 .ас
Pe>i;i4 I мерсння Су-ко=-5В; / =1 = -1 В./ = 10 5В. 7. - 1 = 5 мА мЛ мЛ мА мА КБ гпа -5В, / = 3 МГц иэь=-0,5 В,/= 10 МГц / = 10 мА; = мА У = 10 мА; L = 2 мЛ
K.3R >ra\ Предельно допустимые эксплуа1ационкые данные В 9 75Х о" = 100Х в Rl 10 кОм; 0 <75Х е" = 100 X
[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [ 26 ] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.001 |