Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [ 29 ] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

KrmA,t

----7

ff/ (3,5 f.B.f


-ЭВ IS 4S

4, S





-"

-Qfi -07 -0,8 -eu,,,5 3 OX 0,4 е,ёщ-,и,,в

/(IPSA,5,5

sShbu l Лри пйваллр

ьиг.м

фи ШЛЫ!

тш и и.

тал ,

8,5 -О.Ь -BJ -83и,,В

КТ119А. КТИ9Б

Кремниевые планариыс одиопсрсхпдиыо транзисторы п-типв. Предназначены для использова[1ИЯ в низкочастотных генераторам, преобразователя напряжения и других устройствах с релейными характеристиками.

Ьескорпусные с гибкими выводами (рис. 4.1, и).

Режим изviepeii 11Я

КТИ9А

кти&ь

0,5. 0.65

0,65 . 0,75

< i

<1

<3

1 .12

4 . 12

0.5 ..5

0,5 ..5

I...6

1 ..6

=200

>200

Е ) нас

/ , мА , кГц

10 Л; 6 <85°С гг"-гг -25"С

БгБ> biBj max [,кп

О 85 "С "

= 10 мА. LL - 10 В; о"* <85%:

- 10 в, о <85С

й; -10 В



Режим i Mopi 1 Lia

К I I I J\

КП 19b

Предельно допустимые эксплуатационные данные

\ , В , VIА , мА С . мВт

(i L

. Х/мВт

О 85 X

В от1фЫтом состоянии

/ - 10 мЛ, Т v;-C iO VKC

В hopn\re viiKpocxpMbi

В СЕоболной атмосфере В корпусе микросхемы В свободной атмосфере

-45.,.+ 85

3 НОС

КтА,КТ113Б

,I / til}

г! f

•jjb

* кшА.клт

=/08 г

10 20 50 L

макс к[ а

500 ЧОО

ш zoo

мА 60 -50 О J0 60 в."i

! 1

KT113A/Tim

г / ff

-10 в


д 6 ч 1

-ВО -30 о 30 50 вГ -50 -30 О 30 60 в,X



4.2. Биполярные транзисторы малой мощности средней частоты

Назначение выводов, внешний вид и основные размеры корпусов биполярных транзнстороп малой мищнос1И среднем члетогы приведены иа рис. 4 2. Взрипит!



дариат П

KT2D3

3 Б Л


КПйЗ


ф2Ь Биполярные транзисторы

малой мошности средней частоты

О ктт

КТ201А, КТ201Б, КТ201В. КТ201Г. КТ201Д

Крем1[невыс эпи1 аксиально-план арные траизис! о-ры п-р-п. Предназначены для работы в vcTpoficTBax широкого применения.

Выпускаются в металл ост екля!И10\1 корпусе с гиб-К1ШН выводами (рис. 4 2, а)

П р л ч 01 ры

>. 1 ЛИ Б

к [111

Ь >у\Л

ео.р-25с

.P = i25 °С

1 мА,

30 , 90

30 90

70 210

..100

30. 150

30 ..150

70 315

; = 10 МГц

16.- 90

10 ..90 >\

10 мА;

16, .90 > 1

20 , 210 >1

кьо- -

окр =

< 1

< i

S 10

< 10

с;, пФ

В; i =

10 МГц

<20

<20

/ = 1 кГц

0,2 мЛ.

1 мА

<2



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [ 29 ] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009