Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [ 2 ] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Гнп диода

Бгороп 3 itMeiiT

(10Д-.1УСС)

Третий элемент

детекторные

усилнтетьные

параметрические

переключательные п ограиичитеьпые

умножительные и масгр{Нчнне

генераторные

прочие

Стабилитроны.

мощностью не более 0,3 Вт с напряжением

стабилизации. В:

менее 10

от 10 до 100

более 100

мощностью от 0,3 до 5 Вт С1иапряжением

стабилизации. В:

менее 10

от 10 до 100

более 100

мощностью от 5 до 10 Вг с напряжением

стабилизации. В:

менее 10

от 10 до ЮО

более 100

Генераторы шума:

низкочастотные

высокочастотные

Излучающие оптические приборы информа-

ционного излучения:

диоды

модули

Визуального представления информации:

светоизлучающие диоды

знаковые индикаторы

знаковое табло

нгкалы

экраны

Триодные тиристоры:

отьр ср та. < А или / < 15 А

незапираемые

запираемые

симметричные

при 0,3 А < /„р ,р 10 А

или 15 А</„,,р тах< 100 А

незапираемые

запираемые

симметричные

ПРН Скр ср тах> »0 А

"1 откр 1, так > 00 А

незапираемые

запираемые

симметричные



1.1. Электрические параметры полупроводниковых диодов

Термины, определения и букпокт.ге обоиючения электрических и арлметров подупроводпиконых прнборон устанавливаются ГОСТами

Обозначения некоторых основных параметров приведены в табл 5, а cneuHavTbHMx - в разделах, где описаны соответствующие приборы.

5. Общие электрические параметры

Термины

Буквенные обозгаче)Ия

Опрсдс тения

Постоянное прямое напряжение диода

Импульсное прямое наг[ряжсинс диода

Постоя{[[0е обрнтное напряжение днода Импульсное обратное напряжение диода Среднее прямое напряжение диода

Пробивное напряжение днода

Постоянный прямой ток диода

Импульсный прямой ток днода

Средний прямой ток диода

Постоянный обратный чок дкода

Импульсный обратный ток диода

Прямая рассеиваемая мощность днода

пр и

обр и

пр ср

проб

пр и

пр ср

обр il

Постоянное значение прямого напряжения, обусловленное постоянным прямым током диода Для туннельного диода постоянное прямое напряжение и постоянный прямой ток определяются на Второй восходящей иетвн вальт-амперной характеристики

Наибольшее мгновенное значение прямого [[апряженнн, обусловленное импульсным прямым током диода -заданной величины

Мгновенное значение обратного напряжения диода

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданной величииь[

Наибольшее мгновенное значение прямого тока днода, исктючая повторяющиеся н неповторяющиеся переходные токн

Среднее за период значение прямого тока днода

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого 1 ока



TtpMiiiibi

Буквенные обоз [idieHH

Определения

Средняя рассеиваемая мощность диода

Общая емкость диода

Емкость перехода диода

Дифференциальное сопротивление диода

Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Заряд восстановления диода

Время обратного восстановления диода

/*днф

в 04

вое обр

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного

ГОКОВ

Значение емкости между выводами диода при заданном режиме Общая емкость диода без емкости корпуса Если диод имеет p-i-n-структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение Сстр

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиму

Величина, характеризующая скорость убывания коицеитрацни неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности пат у проводника Эффективное время жизни определяется по соотношению

1Лэф= 1/Тоб+ 1/т„„,

где т ф - эффективное время жизни, Tpg - объемное время жизни, т„„ - поверхностное время жизни

Накопленный заряд диода, вытека ющий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя

Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

Время переключения диода е заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождений тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданной величины

примечании 1 К буквгннпму инлек! у мякгимяльно допустимых значении параметров добавляются «тал» или vтт»

2 Кроме параметров указанных li табл 5 (гоотнетствующих ГОСТ 25529-82), MHiehcoM Д/ обозначается диапазон рабочил частот диода



[0] [1] [ 2 ] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0013