Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [ 33 ] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

KI Я)1 \

К I 01 Ь

к 1 Ю1 i

КТЯ01Л

к I -0; L

к т ifi 1 ж

предельно допустимые skcu.iv d i ащин.тю данные

КЬи "lai i 11 а i Э пах т а >. К max

пер max

м А м Ai м А мВп

"С

uKj) окр

< 83 X

< 85 ч:

< 85 X

о, о

е < 85 X

tokp 85 °С

GO X

- 55

+ 85

При температуре oi tjO ди S5 С Л01г>1.тичая ио цн()<-ть IwBt) лпрсдстяетя по фср,1\1е К nil.

ГТ305А, ГТ305Б. ГТ305В

Германиевые диффузионные транзисторы р-п-р. Предназначены ддя работы в малогабаритных электронных схемах.

Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, б).

П apjMCTp

Рйжим измерения

гта05А

ГТ305Г1

гтзов

Оокр = +20 «с

5 В; /cj--5 мА;

25 ..80

60 . 180

20 . 270

40 . 550

15 .80

30 ..180

Эокр = 25 X

f/jg = -5 В; /3= 10 мА;

40. 120

30 . 400

20 . 120

>8

f =20 МГц

226 МкСм

Uyj = -5 В, = 5 мА

<5

/КБО

f;,= -i5B

<4

<6

<6

<6

0о.р<20°С

ео.р = бос

35= 1.5 в

<70

<70

<70

<30

<30

КЭняс-

1 = 10 чА; = 1 мА

-0,5

-0.5

= 10 мА; /5 = 1 мА

-0,7

-0.7

КЭОгр S

/э = 10 мА

- 12

- 12



1 1 IpdMCl р

Режим измерения

ГТ.05В

гтзоьь

кь = -5 В; 1=ъ МГц

<7

<7

<5.5

6/3,3 = 0,5 В, /=5 МГц

<50

<50

<50

= -5 В, /=5мА;

/ = 5 МГц

1 IL

. мкс

- IOB, = ]0 мА

V ~ -10 В./ = 5 мА,

/ - 1,6 МГц

Преде.-:ьно допустимые эксплуатационные данные

КЭ max нБ max-К.:аг мА

fl t р in II 1; /?1!-Р-ОКр,

"С/мВт

м А мВт

-60 X

аэ = 0,5 в -60 X < е о

окр < 60 =с

окр--35 X = 10 мкс,

20 "С

60 °С

- 15

-1.5

-0.5

-60..,+ 60

I При 1- = 0,5 Б

- При ичиерагурс свыше J.5 мякснмa-i-iOf значение тока котллнторл (мЛ) отрсллтя- тя IIJ формуле - 5,2Л85 9(,р

11рн температуру иирлжаюшеи Среды от 20 до СОС макгимальная Momiiocib (мВт) Р исштывзетсм пи формуле

КГЗОбД, KT30GD, КГЗОбВ, КТ306Г, К1306Я

кремниевые плакариые транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в переключающих (КТ306А, КТЗОбБ) и усилительных (КТЗОбВ, КТЗОбГ, КТ306Д) устройстоах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-оодами (рис. 4.3, в).

n.ipnvPTpH

Режим итмере.шя

f.\.p. = 1 в. 10 мА

(о.р = 20 С

КБ=5 в, /3 = f = 100 МГц

f = 1 кГц

10 мА;

-- 5 мА:

КТЯОйБ

20 60 40...120

120 240

>3

5 30

К1 31)()Г

20.. 100 40 . 200

200 400

>3

>5 <30

КТ306Д

30 150

> 100

>12

>2

<30



Параметры

Режим измерения

кТЯПКА К130ЬЬ

кт:яаг.в

КЧ306Г

КТЗОбД

>кБ-15 В; в -20 "С

<0.5

<0.5

<0,5

ЭБ = 4 В

/j == 10 мА; = 1 мА /j ~ 10 мА; /б - 1 мА f/jg =5 В; /= 10 МГц

< 10

<10

< 10

/ЭБО " БЭ нас В

<1

<о,з

< 1

< 1 5

< I

С, пФ

f/g3 = 0; f=iO МГц

V "

L/jg = 5 В; = 5 ш/4;

КЭОгр В

f = 10 МГц

/д = 1 мА; = 50 мкг, Q > 50

>10

>1

>10

iQc , нс

= 10 мА, = i мЛ

Предельно допус(нмые эксплуатационные ЛЗниые

Э гпах> А К /лсл viBt

окр >

9„кр<100°С Ry < 3 кОм 100

окр окр окр

100 °с 100 °с 100

100 -с 90 "С 100-с

15 10 4 30 50 30 50 150 125 150

10 4

50 150 125 150

-f 100

15 10

4 30 50 30 50 150 125 150

При vBe,iH4eHHH температуры от 90 до 100 "С наибольшая рассеипяемая коллекто роч мощность снижается по лнчсйноуу закон>

0 0,6 0,4 42

КТЗдВА,

KTMA.

0 29 3d 40 I,mA

(IflOMl

0,3 hsB о 5 JQ 1 20 25L,mA



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [ 33 ] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0018