Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [ 36 ] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

KT3I2A, КТ312Б, КТЗ!2В

Кремниевые эпитаксиально-планарные универсальные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в переключателях, генераторах, радиовещательных приемниках и прнемно-\силительной аппаратуре широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, ж).

П.1эамер1

1 - 1 и.рсчия

КТ12А

ктзиь

, vIkA

Vo „ас- В

"кэо .p- В

\ , ПС

КБ = 2 в. 1 = 20 мА,

0 20 "С

О""" = 85 X

0"= -40 "С

11. = 10 В; Л =5 мА;

/ =20 МГц

t;;=4B

/=20 мЛ; ij = 20 мЛ; / 7,5 мА i7 = 10 В,

/ = 2 МГц

и. = I В. / = 2 ггц

/ = 2 мА

/ =2 мА ь

f = 2 МГц

10. !00 10...200 8...100

<10 <30 < 10

<0,8

<М >20 5 500

25. ЛОО 25 .200 15 too

<10

<30 < [О <0,8 <1,1 >35 <5 500

50 280 60 560 25 280

< 10 30

< 10 <0,8 <1,1 >20

< 5 500

птзш

,б,в

30 20 10

KT31ZA

¥

~1=8,г мА

18 15U„8


Ю го L\„8

0,8 и,,,В





-I-г

mtzA

ктт 6. В

о J 6 9 11 I,f/A в Ч д 11 IS Uy,B

5 10 150..,Ь

П родолжение

Пораметрь

Режим ИТ мерен и я

КТ312Л

КТ312В

Предстьно допустимые эксплуачациопиые данные

КБ та к

L-D • В

КЭ1? max

r В

do max

L, . мА

К шах /к н мА

K/wav. мВт К и mBi

бпер /Jitiii С /?пер скр

°С/мВт"

fl ° Г"

85 =С 100 Ом

9 85 X 9 <85Х О"" < 85 X о" < 20 X

Т I МКС

20 20 4 30 60 225 450 150

35 35 4 30 60 225 450 150

20 20 4 30 60 225 450 150

-40 .+85

Xl"i\i температуре от 20 до Ъо С доп\ст1П1-1Я мглиоегь (mBi) опретсляотсп по формуле

Д vi<.i окр

ГТ313А. ГТ313Б, КГ313Б

Германиевые спдавно-диффузнонные мезатранзи-сторы рПр. Предна.гначены для использования в радиоприемных и телевизионных устройствах.

выпускаются в ыеталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, и).

Параметры

Режим измерения

ГТ313А

ГТ313С

ГТ313В

КБ= В; /3 = 5 мА; f = 50... 1000 МГц 0 = 20 °С 9 = 55Х

20...250 20.. 500

20...250 20. 500

30.,. 170



Пара, стры

Режим измерения

ГТЗПА

ГТ313Б

ГТ313В

i мкА

КЭ пас БЭ нас

С . пФ С\ пФ

Т , ПС

е =-40°с

tJ = 5 В; / =5 мА; 100 МГц

Ul = -0.25 В

= 15 мА. = 1,5 мА /„ = 15 мА; 1 = 1,5 мА (У = -5 В; /= 10 МГц fV =-0,25В;? = 10МГц и = -5 В; 7 = 5 мА; / = 5 МГц

/ = 5 мА; f= 180 МГц

15.250 3 -.10

<5 <50 -0,7 -0,6 <2,5 <14 75

Предельно допустимые

и и и

КБО тих Э Б Л1 ал

К /пах пер окр

=С/мВт

е , "С

мА мВт

Оокр 55 С е,,р<55=С

;?ЭБ = 300 Ом

/?ЭБ = 2 кОм Оокр < 55 "С Эокр-20 X

Оокр =55° С

эксплуатационные

- 15 -0,2 -12

- 15 30

100 50 0,9

15. .250 4,5...10

<5 <50 -0,7 -0,6 <2.5 <И 40

<7

данные

- 15 -0.2

- 12

- 15 30

100 50 0,9

-20...+55

<5 <5й -0,7 -0,6 <2.5 <18 75

-0.2 - 12 -15 30 100 50 0,9

в Hiirtpnjii.- 1 <Miiep,-5Tvi) От лЧ1 ло 5Г» С доп>1,тнмая мощность снижается по .чиненному





[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [ 36 ] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009