Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [ 52 ] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

KT3I42A

Крс\тнирпый плато рно-эпитаксиальный высокочастотный 1JMH3HCT0P п-р-п. Применяется для генерирования, усиления II преобразования колебаний высокой частоты.

Вып\ скается в металлос]склянноч корпусе с гибкими вы-I одами (рис. 4 3, у).

jA В

1э. мА

т то

а 0,5 D,B 0,1 0,SUj,B о

к rmzA

0,4 0,8 Z7b3,S


.......1

и /VI

->

О 1 Ч ВиВ о I Ч- Б в 70ГМ



Пй pa метры

Ре жим

измс ре1Еия

kt3i424

= ! B;;i-

!0мЛ;/ = 50 Гц

40 120

f,p, MU

- 10 В,

= Ш мЛ

> 500

/КБО. MfA

= 20 в

<0,4

Ыэо гр- В

10 мА

>15

10 мЛ; /ь -

1 мА

<0,25

f-1гЭ В

!0 мЛ; У. =

= 1 мЛ

< 0.85

аял. с

!0П мЛ; /п

= 10 мА

100 ыА, /ь

= !0 мА

< !8

р:к. нс

100 мА, /б

10 мА

<13

-10 В; /-

10 МГц

<4

Предельно допустимые эксплуатационные данные

Ук.Ь max, В

-15 <

Оцкр

5 85 °С

КЭ max, В

-45 °С

< 85 X

ЭБ т.!--. В

-45 "С

Оокр

< 85 "С

тал. мА

-45°С<

Оокр

<;. 85 "С

/к; и max, мА

То же, прн

: 10 мкс; 9 > 50

Рк «г, мВт

- 45 "С <

< 25 X

>?пер окр, °С/чВт

0,35

п °г

1п?р mtfA.

При \лэвии, что Р\ Рк шах Дч a.iiiii;ifi т мпсратури

Б интервале теиперлтур от до Я5 "С м л kchm.,.i i,no допустимая мощность (мВт) рассч1ть.пается по ([юрмулс Р] , (i ьи - 1>ок,}/0,35



5. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ

5.1. Биполярные транзисторы средней мощности низкой частоты

Назначение выводов, внешний вид и основные размеры корпусов биполярных транзисторов средней мощности низкой частоты приведены на рис. 5 1.


I hpuauni /корпуса

1S.5

II ёаришт корпуса

гтчог, гтчл а




ггчоз

Рис. 5.L Бипа1прные транзисторы средней мощнос1И низкой частоты

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, т02Г.

ГТ402Л, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И

Германиевые сплавные транзисторы р~п-р. Пред- I м 11<ч!Ы для применения в выходггых каскадах усилителей 111 ! ни частоты. Могут использоваться в парном включении 11 II ч1Сторами ГТ404.

Г.пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы- I 1МИ в двух вариантах (рис. 5.1, а).

I IIIII 11 i 1 >1 lip



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [ 52 ] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009