Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [ 53 ] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Параметры

ГТ102В

Г7102Б ГТ102Г

ГТ402Д

ГТ402Е ГТ402И

frp. МГц /кБО, мкА

й21е(Э = 300 мА)

0„,р =25х, Ооьр ~ 3g с Ос.р = -40

Uis - -10 В иэ - - 1 В

30 80 30 .160 10 .80

>1 <20 0,7 ..1,4

60. 150 60...300 20 150

20 0,7...1,4

30 . 80 30. .160 10. .80

<25 0,7 ..1.4

60... 150 бС.ЗОО 20...150

>1 <25

0,7...1.4

Предельно допустимые эксп1!уагадноп11ыс данные

t3B. max* В] tK3R max, В

Рк.тах, мВт

°С/мВт

бпер тах> с

Рэь - 200 Ом

Оокр < 25 "С; 1-й вариант корпуса Оокр < 25 С; 2-й вариант корпуса 1-й вариант корпуса

2 й вариант корпуса

-0.35

-0.35

-0,35

-0,35

0,15

0.15

- 40...-h55

При температуре свыше 25 "С догустимая мо1цность (мВт), расссиваемия iia коллекторе, определяется по формуле />к гаал = (85 - OopVnep окр


->

Mff -Z90 -100 г/кэ,5 - д

358 259

т so

1к. мА

250 ISO 59



10 8

-

гтчс


и и. „в -8 -Ч

ГТ403А, ГТ403Б,

ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д,

ГТ403Е, ГТ403Ж. ГТ403И, ГТ403Ю

Германиевые сплавные транзисторы р п р. Предна-значены для работы в переключателях, выходных каскадах низ-кччастотных усилителен, преобразователях и стабилизаторах 11)етоянного тока.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-1ами (рнс. 5.1, 6}.

и 1]1 мч, 1.

! 1 ИМ \

г 1 11ПВ

1 Т-103Ж

ГТ403Ю

] 1 \[\\и

1 ГЮИ

1 i Il н

ТТ4а1Н

1 >

?/ь i = -пВ./ь -

20 GO

2(( 00

50 150

20 ЬО

30 .Ь)

= ЮОмЛ,/- ~ 50

50 . 150

50 150

20 00

300 Гц

/ , кГн

L\-, 5В,/--

= 100 мЛ

>5

/, = 450

/г f 1

К) Кп) ти \

<0,05

<0.05

<0.05

<0 07

<0,0о

= .->\, Ml*

0,05

<0.0,)

<i,03

<0 07

5:0.00

Оокр - 20 (.

Оокр = 70 =С

< 0,08

<0,08

<0,08

<0,08

<о,из

<5

<5

<5

<6

<5

, М1чСм

- -60 В,

<50

<50

<50

<50

<50

Ь = 0

250

<250

<250

<250

, ч , в

= 500 мА, =

- 0,5

-0,5

- 0,5

- 0,5

-0.5

= 50 мА

, в

/к = 450 мА; /б

-0,8

- 0,8

-0,8

- 0,8

-0,8

==50 мЛ

КБ КЬ max



Параметры

ГТЮЗА

гтюзв

ГТ4П,1Л

ГТ403Ж

ГТ403Ю

ГТ403Б

1 14ЩГ

ГТ403Е

ГТ403Н

ПредельЕЮ допустимье эксплуатационные данные

1v,P> max Б

Е>окр < 70 X

-15

КЭ max, Б

t),,,p < 70 X

Эокр < 70 Х

max, А

Вокр < 70 X

1,25

1,25

1.25

1.25

1,23

max, А

Оокр < 70 X

P-Vmax, мВт

окр 25 с

пер oKpi

"С/Вт

ПСр KOpi

"С/Вт

6 0 к р • с

> -.

(1 т

При бкБ - 80 В = Щл = - 100 В

При температуре окружаотек среды свыше 25С допустимая мощность (Вт) определяется аа формутйм

а) без тспгтоотвода ~ Рк мах = 01 (85 ~ бр), 0} к. геплоитводом - Рк. /плг т = (83 - 0окр)/[5

/б, ВО

ггт-


-0,5 и,,8 в


гтЕ,и

20D 700


-12 -Z4U,B О

-1Z иэ,В

гттБ,1

ВО 1601М о 0,4- О 80 1681,иА

ГТ404А, ГТ404Б. ГТ404В, ГТ404Г

Германиевые сплавные транзисторы п-р-п. Применяются в выходных каскадах усилителей звуковой частоты. Могут использоваться в парном включении с транзисторами ГТ402, ГТ405.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [ 53 ] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0064