Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [ 54 ] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Гм.щускаюгся в мегаллостскляпиом корпусе с гибкими ni>i I, 1\1 f и двух варулнтлх (рис Г) !, а)

\ 1 1 li

г Г4)1 \

гткпб

1 10 in

[ МОП

Uks. - IB / )=.Зм\,

0„,, - 20 4"-.

30 80

GO 150

30 80

(.0 150

Oo,p =55.

ад 120

60 225

30 120

hi) 225

a,.p- - 40С

6 80

12 1 -.0

0 80

[2 150

\\ \ ц

ls = 1 B, /к -3 ч4

> 1

> 1

> f

>1

1 1 о, мкЛ

Кэ -10 В

<2,5

<25

<25

<25

и о. мкА

f/to 10 В

<25

<25

<25

<25

,;7, 5w\)

.1С = 1В./э-=ЗмА

0,7 1,4

0.7 1,4

0,7 \Л

0,7 1,4

1 (J . - JOt) м \

/j = 0, /б = 2 мА

Предельно допустимые Эксллуатациомные дянньте

1 Л!. тйУ:. в

/ 200 Ом,

Оо,.- < 5. X

/ ; „г- А

[ мВт

1 и плрнанг корпуса

Г>00

2 и верили Kcipiiyc]

1 [ (и pi

Pli тс. 300 МВГ

0.15

0,15

0.15

0,(5

/мВт

[ икр,

/к :..л = 600 мВт

< /мВт

[ 1 <Р

0,015

0,015

0.015

0 015

1 /vBt

и °С

- 10

Ч-55

[[ т. 1Г1-пт,1С ОНV-[,aioiiii. и Lpcu.r uibniie 2*1 "С ц игГч и п in 1,011 ст им тя мошИип, ( г ) ..iLLiiThiBJC ея Т,} (l-opiviv че Р, "fJi = (- Оикп)/? „, ц к],


ш т 500

800 ез, иВ

II л,



мА SO0

т зон т

\-nms

1Q in 30 3,6 О W 10 30 U.B

ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В. ГТ405Г

Германиевые сплавные xpaiuHCTopu типа р-п-р. Предназначены для paOuibi а выходных каскадах УНЧ.

Выпускаются в птастрлассовом корпусе с гибкими выводами (рис 5 1, в).

11зрачстры

Pe/K[[v измерения

I 1 И).>Ь

1 ГШйИ

1 1403Г

-IB,/, ЗмЛ

]{) т

!() т

60 150

0.кр

20 ч:

- 55 °С

30 160

60 300

30 160

60 300

- 40

15 т

iO ! 50

15 80

30 150

/гр. МГц

>1

>1

/кьо, мкА

- so в

<25

<25

Оэь, В

/б =

2 мА, /к ~0

0,35

0,35

0.35

Предельно допустимые эксплуатационные данные

Огкр

55 °С 200 Ом

ПК ,3

< 55 ч:

0.к[ < 25

КЭР гшх, В Рк та-, >iBt

•i ер ти v Оокр, С

1 При ом1ират",ро о:(ружя1011101 среды спыше 25 iMnOu.i.jUija лоиу(.тнмая мишнисгь рассчитывается по формуле /к = <55 - Ои„рЬ 0,1

-0,35

0,35

-0,35

-0.35

+ 55


Uso,B -0,2 -0,1


и,в-15 -10 -5

5.2. Биполярные транзисторы средней мощности средней частоты

Назначение выводов, внешний вид и основные рэз-v Il.i к<*рпсов биполярных 1ранзисторов средней мош,пости Ч 1" ч час 101 ы приведены иа рис 5 2



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [ 54 ] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011