|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [ 56 ] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]
предельно допустимые эксплуатационные данные а г. I Ь 1\ ; п. мА i.mm. мА / I ,, , мВт II °с 4о°с< п„кр< 100 ч: -10 ч; - 40 "С - 40 °С о 100 г. t)k]l . 100 "С - 40°с<еонр< 100 -40 °с<еокр< 100 =с - 40 "С<0п1ф< 100 "С . 10 -с < 0„,р 40°С<,6,„,. 100 "С 100 г. -40х<е,„р< 100 "С То же, при Тн К) мс; Q> 10 -40 < 0„< 100 "С Оокр < 35 К!502А.Б КТ5П2В,Г КТ502Д КТ502Е КТ502А.Б KT502BJ К! 502Д KT502F КТ502А.. КТ502Е КТ502Л . КТ502Е К1502\ КТ 502F КТ502А.. КТ502Е КТ502А. . КТ502Е КТ502А . КТ502Е КТ502А .- КТ502Е - 40 -60 - 80 - 40 -60 - ЬО 00 - ~з 150 300 100 350 150 -40...+ 100 I i ,и .11 ;е1П[(1 тсмперсгурм от Зэ до 100 wcimiiocil снижается по линейному зако1у III м Ч I  кэ нас, 10 Jk, мА 1010 10" 10 10"- /э, И КТ503А. КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е Кремниевые эпитаксиальею-планарные универсальные транзисторы п-р-р. Предназначены для работы в ключе-иык клскадач усилителей низкой частоты, опсрационны.х и днф-ференн,иальных усилителях и других узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рнс 5,2,6).
g > 100 Папамитры Режим измерения Гр\пни Транзисторов 311ач;:пия Лр, МГц fb3 hat. В KbiipoCi В Ск> пФ Сэ, пФ кб;нй¥, В Л, у,, п. И1,,1 -пах, °С /кь-5В;/э-ЗмА = 10 мА; /б = 1 мА /к = 10 мА; /б = 1 мА /к - I мкА 1 мкА /к = I мкА /к - I мкА 6кБ = 10 В; /500 кГц t/R -=0.5 В; / =500 кГц КТ503А... КТ503Е КТ503А. . КТ503Е КТ503А. . КТ503Е КТ503А,Б К1503В, Г КТ503Д КТ503Е КТ503А... КТ503Е КТ503Л КТ503Е Предельно допустимые эксплуатационные данные -40C<eoKi>< 100 -40 "С < 9о кр кр 100 °с -40С<вокр< 100С - 40С9„кр< 100 °С - 40°С<9окр< 100 °С -40°С<9окр< 100 "С - 40"С<0окр< 100 =С -10"С<Оокр 100= С -40 4:-.;(Up< 100 -40=С<0окр < 100 "С То же, при Т 10 мс; Q> 10 - 40С<09кр< 100 °С - 40 °С < О 35 "С КТ503А.Б КТ503В,Г КТ503Д КТ503Е КТ503А,Б КТ503В,Г КТ503Д КТ503Е КТ503А КТ503Е КТ503А... КТ503Е КТ503А . КТ503Е КТ503А .. КТ503Е КТ503А... КТ503Е КТ503А КТ503Е КТ503А.,. КТ503Е >5 <0,6 <1.2 40 60 80 100 <50 <100 25 40 60 80 40 60 80 100 5 150 40... +100 При телшературе от 35 до 100 "С мощегость снижается по линейному закону до 150 мВт. [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [ 56 ] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.001 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||