Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [ 57 ] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]



-I s


5.3. Биполярные транзисторы средней мощности высокой частоты

Назначение выводов, внешний вид и основные размеры корпусов биполярных тра[Гзисторов средней мощности высокой частоты приведены на рнс. 5.3.


АйтММ, rjsBSMi, K7S05SM


KTSCI ч-rs.



25 ЬЬ

r.TS33S, K7U£S

Кtit



Кодубпя иаркирс1>иа

5.2 Г


MS тл, ВЧА

Рис S.3 Биполярные транзисторы средней mohi-ностн высокой и сверхвысокой частоты


KT60IA, KTGOIAM

Кремниевые диффузионные транзисторы п-р-п, вы-иолиеиные по плаиарной технологии, Пред>азначсны для работы в радниЕСща гсльныч нрием}[иках и телевизорах.

Выпускаются в металлостеклянном (КТ601 А) и пластмас-ennnvr (КТ601 А\Д) корпусах с гибкими выводами (рис. 5 3, а,

1 1 Ml 1 1

кт6о:а.

KT60tAM

h >

> If3

0„кр= -40

>10

tVis = 20 В; 1э - 10 мА; / = 20 МГц

>2

n;. mk.-

/эб-10 Ом; L-kj-SO В; Оокр-

<50

25+ 10 °С

= 10 Ом; Uij 100 В, 0,., -

<500

= 25 + 10 "С

i, ), mkA

53 = 2 в

< 50

if = 50 В, /э = 6 нЛ, f - 2 МГц

<].5

;7кБ - 50 В, /э = 6 мЛ; / = 2 МГц

<600

Предельно допугтимыс эксплуа-ацпонныс данные

к\г inu\i в

Оохр < 85 ч:

>r пшх! в

??3EilOO кОм; Оокр < 85 "С

* max* В

Оокр < 85 °С

Оокр < 85 °С

OoKj <85 "С

/ruv, мВг

0..р<55 °С

м-;. Т. мВт

"

- 40 +85



ктьои


JO Z/f3,B

KT602A. КТ602Б, KT602H, КТ602Г

Кремниевые MQ-ji] диффузионные транзисторы п-р-п, выполненные но планарной технологии. Предназначены для работы в схемах генерирования и усиления сигналов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с 1ибкими выводами (рис. 5.3, 6).

Параметры

Режим илмгргния

КТ*)02Л

К Т 002 б

КТ602В

КТо02Г

ii:) 10 В, 1 ) = ЮмЛ,

Оокр =-20 °С

20 80

15 . 80

Оокр - 85 °С

16 210

10. .240

Оокр-- -40 X

5.. 80

>12

>12

12151

Lk. ~ 10 В; /к -- 25 мЛ; f 100 МГц

>],3

>U5

>1,5

>1,5

/к.бо. МК.\

i-Kb - Сав max

<70

уэбо. МК,

СоБ = Б В

<50

<50

кь = Б0В,/ = 2МГц

<4

<4

<4

С„ пФ

f-б - 0, / - 2 МГц

<25

<25

<25

<25

Тк, пс

гкб=10 в, /э-= 10 мЛ, / = 2 МГц

< 300

<300

<300

5300

/к, ~ 50 мЛ, /б ~ 5 мА

<3

/к = 50 мА; /б = 5 мА

< 3

<3

кэо. в

/з = 50 мА; Ти = = 5 мкс, / 1кГц

У?эб - 100 Оад



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [ 57 ] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0016