Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [ 58 ] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

I ip iMCTpI 1

Р1.Ж IM измерения

КТЬОУЛ

кию2б

КТ602Г

Предельно допустимые эксплуатационные данные

К luju В

/?ЭБ = 1 кОм; Ofp

< 70 °С

0,ер= 120 С

f КЬ пяо В

0,ор<"0=С

G (Л п л 1 В

-40C<Q„ei<

/к тлх, Вт

<120С

Оокр =- 20

0,85

0.85

0.85*

0,85

К щах Tf Бт

Окор =- 20 ""С

пср окр.

С/чВт

ncp-Kopt С/Вт

0 Т

(1 т

~40...i-85

При тем iLpdTypc Окружающей среды свьпис 20 С допустимая мощ!]ость [Вт) определяется ло формуле /?К m(ii(150 - Йо>г]>)/150

• При температуре корпуса свыше 20 "С допустимая мощность (Бг) определяется по формуле Р, дг = - Эмр)/15.

мА 0,8

KT60ZA,t

г /Ту W

1,0 2,0 и,,В

1к. мА


ктоогАдв/

300 800

I 200

20 W 60 и,В

пф 10

KTBOZA

801/,,,В

\ \ \ \

270Гц

20 % Ufi



КТбОЗЛ, КТ603Б,

КГ603В, КТ603Г, КТбОЗД, КТ603Е

Кремниевые эпитаксиалыю планарные транзисгоры п.р-п. Предназначены для работы в усилителях, высокочастотных генераторах и перек;[ючающи> устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в металлостоклянном корпусе с гибкими выводами {рис. 5,3, а).

Пар,метры

, мкА . В

ЭБО КЭ нас

с;. ПФ С„ лФ

к 1 оозл

К101ЗД

KTciCiH

К IbliJl

KThlMK

V-j - 2 в. - !30 мА;

0 - 25 С

10...80

10-80

20. .80

60 .200

Оокр = 85

10 .240

10 . 240

20...240

Ш . 180

60. .600

Vp= "С

4...КО

4 ..80

8. .80

20...200

У- - 10 В; /3-30 чА;

>2

>2

>2

f = !00 МГц

КБ KD mat окр

<10

<5

= 25 "С

Оокр = "С ЭБ = 3 В

<100

<50

<10

<3

- 150 мА; /j- - 15 мА

< 1

< 1

= 150 мА; = 15 мА

<1,5

<1,5

<!,5

10 В; j = 2 МГц

<15

<15

< 15

ЭБ ~ 0; / - 2 МГц

<40

<40

<40

КЬ 10 в, /3-30 м4; /-2 МГц

<400

<400

<400

= 150 мА; - 15 мА

Прсделыю лопустим1>гс эксплуаТс1и1101ип-10 лунные

K3R ra.v

к. шах

к. и. тах "-

К. max ВТ

С/Вт

-40 С О, В, - 120 "С

70 "С 70 "С,

-40 °с <е,

0„,р=120=С;

= 1 кОм

-40 "С t

< 120 °С

20 °С

0oKpS5=C

вокр<50°С

7,5-

0,12

0,12

0.12

-40...+ 85

в аийпязпнр гсмчератур от 70 до 120 "С напряжения С-\1 kdr ти. снижаотся

иа 10% на каждые Ii)"C * В диапазоне температур от 50 до 85 С мощность снижается на 0,1 Вт на каждые 10 "С.





7S 1/,,,в

ПША L В

ил 0,8 f>53,a

KTGOIA, KTGOlE, KTG04AM, КТ604БМ,

КТ605Л, KTGOGB, КТ605ЛМ, КГ605БМ

Крем ткныс меза-планарныс транзисторы п-р-п. 11рг1.и;мн,1кч11.1 i.lii исмош.зонания в tHicpaiuiuHHbix усилителнх, И11Лео\ ем лин 1я ч, 11МН-ра i tp,-i\ p;i.;nepioK усгрписта индикации, n))Co6p;t ujh;mi.mh\ и ifipH/Kcifun, иы.хоии.гх KricKjfT.ix усилнтсн 11 ApyiH\ uр*"!."! Hti\ широкого пр1"иенеиия

Выпускаются б металлосик..]янном (КТ604А, Б и КТ605А, Б) ii пластмассовом (КТ604АМ, DM и КТ605ЛМ, БМ) корпусах (рис. 5 3, а, г, к).

[1лра\ стзы

Ре>л11М изуерения

КТо04Д

КТ&04Б

КТ605А

КТ505Б

KTGvlA.H

KT(.04B\i

к ТС 05 \М

ЧТ005Б,\1

" 1

Ьк..)=40В,/э=20мА,

iO ..40

30 120

10. 40

30 .120

0,,,. - 100 "С

10 ..80

30 .240

10. .80

30 ..240

ео.р = -10°с

5.. 40

15. 120

5 „40

15 ..120

Lk-)=40B,/j=-20mA;

>4

>4

>4

>4

/ = 20 МГц

,п мкА

Ui = 250 В

<20

<20

<20

fD -5 В

-:50

<50

<50

<50

40, / - 2 МГц

<7

<7

<7

<7

11 ф

<50

<50

<50

( J , ,с- в

20 м\, /ь =2 мА

<8

<8

<8



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [ 58 ] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0008