|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [ 59 ] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] Режим измерения КТ604 \ КТЬ04ЛМ KT601D КТС05А КТЬа4БМ КТбОАМ КТ605Б КТЬОЬБМ Предельно допустимые эксплуатационные данные Vb тал, В 7?-1Б = 1 кОм, Оокр < !00 °С Rau = 1 кОм, Окр = !50°С Оскр < 100 Ойкр== 150 ч: Оокр Оукр Оокр Оцкр Оокр < юо °с = 150 "С < 100 С = 25 °С 25 С /к max, мА max, Вт max т, Р\щ\ wivp, °-/Вт Rncp кор, С/Вт 0[iep гг(7Г1 С Оокр. °С Прн TLMnrpc]T>pC окружяюглсП грслы от 25 до 1П0С допустимая мощносл. (Вг) опрс дсли1Т1-м по -JiopMY.iL- Рк ffiuv = (150- Оокр)/150 При Tovirifp.iTvpe Kopnvt свыше У; "С допустыая мощность (Вт) счфле.иимся по формате Гк „,..v г= 1150 -в„кг)/40 Импульсный ток коллектора
/б, w4
 80 т гчо и,в Is, мА
 2W и,В КТбООЛ, KT60GD Кремниевые эиитаксиальио плаиариые траичисторы прп Предназначены для работы в мощных автогенераторах, [ енераторач с bhcihhhm возбужден нем, умножителях частоты СПЧ дна на зона и других устройствах широкого применения. Выпускаются в мета л локера мическом корпусе с изолиро-нл1[{ыми or корпуса жесткими выиодами с монтажным винтом (рие Г» i, 0)
Предельно допустимые эксплуатационные Jfi mtix, В л ,;;гп. мА О.кр □ Ivp 100 Оч, Оо,р 120Х 120 Ч". 120 °С 120 °С 0,Kf,< 120 "С ак.р 120С данные 00 60 4 400 800 100 60 60 4 400 800 100
пхстнмая mijlujiocii> iDi и Ч IM не н a iipji -Kt ini / ( Is с При Tf-Mncpaf>p-i корпуса от 40 ди 85 "С а,лпСи„\ыиля до-) рассчич bieat. гея по ()орм\ю Р< .nsr ~ (150 - 9 кор}/-И Те, мА
0,5 0,7 1/,3 0,5 8J UQ Ufi 0,1 ~0,5 ыА ZOO
к» ттттшп -пппш 7777Г\ !ппт\ Ij-ZOmA Хпштшштш 20 и,а о го Uy,B о го КТ608Л, КТ608Б Кремниевые эпитакенально планарные переключательные транзисторы п р п Прсдиаз}[ачеиы для работы в быстродействующих импульсных н высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис 5 3, а)
[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [ 59 ] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.001 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||