|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [ 62 ] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]
в иитервзтс температур о" 25 до 85 "С мощнпсть (Вт) рассчитывается по фпрчу /К пак = (150-П„„,)/347 2 КТ635Б Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор п-р-п. предназначен для работы в импульсных и высокочастотных узлах электронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 5 3, е).
в интервале температур окржющей среды от 25 до 85 "С мощность (Вт) р<]ссчигы 1Ч(ТСЯ по формуле ЛК = (120 - бок-О/ЮО И интернате температур корпуса от 25 до 85 °С мо-Цеюсть (Вт) рассчитыоастсп по IMVi If Рк; «ш = (120- 6кср1/63  2/Э 120 ¥0 о Р, о,? 0, 0,4 7 й/, 0J 11,3 /,1/у,„в о 200 ЧОЗ600 J,  Ofi 0,7 0,8 L\.fi О 16 U,,Q КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ039Д Кремниевые высоковольтные эиигаксиалыго планарные транзисторы р-п р Предназначены ллп работы в вьиодныч каскадах КВ и УКВ анпара1уры, в выходных каскадах услл1[-телей низкой частоты, мощных электронных ключах, преобразователях напряжения и других узлах радноэлектринной аппаратуры Выпускаются в пластмассовом корн>се t 1ибкммн выводами (рис 5 3, к). шчереиня KTC.vm КТбЗВ 1<ТШГ КТЬ9Д /211 УкБО, мА КЭ на С! в бЭ нас. в С,, пФ кь -2в,/э = 150 мА 0\ъ= -5в./к = ЗПмЛ, / =20 МГц 0кБ = -30 в Обэ -- 5 в 0,5 А, /ь = 50 мА /j. = 0,5 А, /б =50 мА t/кБ = - 10в J = 10 МГц (УэБ = П в, / = 10 МГц /к 150 мА, /б = мА 40 100 63 120 <0.1 -;о,1 -0,5 -1,25 <50 i5u < 180 100 2.)0 10 100 > <ол <0.1 -0.5 - 1,35 <50 <50 <180 ПредшыЕо допустимые эксплуатационные данные
63 120 >4 <0.1 <0.1 - 0.0 -1.25 <50 <50 <180 КТ644А, КТ614Б, КТ644В, КТ644Г Кремниевые высоковольтные эпитаксиально-пла-карные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы е выходных квскадах КВ и УКВ аппаратуры, в выходных каскадах усилителен низкой частоты, моиа,иых электронных ключах, преобразователях напряжения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис. 5 3, к).
[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [ 62 ] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.0011 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||