Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [ 64 ] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ

6.1. Биполярные транзисторы большой мощности низкой частоты

Назначение ныводон, внешний вид и основные размеры корпусов бнполпр[1ых транзисторов большой мощное!и HHiKoiJ частоты приведены па рис. fi!


rr703j FJIQS


!iit f> ! Бипплнрныс транзисторы большой мощности низкий ЧМ 114 ы



ГТ701А

Германиевый силавнои траизис!ор р-п-р Предназначен для работы в системах зажнитния двигателей RiiyTpeii него сгорания, а также для использонания в однотактных и двухта ктных преобразователях напряжения. Особенностью транзистора является возможность работы в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощности.

Выпускается в металлостеклянном корпусе с шбкпми вы водами {рис. 6 I, а)

Ре/к IM 115мерен11Н

= - 2 В; /к м = 5 А, т„ = 0,2 мкс;

>10

/= 100 Гц

,21,. кГц

/ ~ 100 мА; f;K.-> -20 В

Окв = -60 В; 0.,к, -20

<6

Ое.р - 70 "С

<,iO

Oohp - - 55 "С

/к.эх.

икэ = - 100 В; УЬЭ = - !>5 В, Оокр =

= 70 "С

<50

/э , =2,5 А, т„ - 10 мс, / - 1 Гц;

- 100

0„,j,-20"С

!j „ =- 2.Ь А; т, - 0,5 мс; f = 10 Гц;

0,>,р = 70-0

h „ = 2,5 А; т„ - 10 мс, / = 1 Гц,

- ОН

01 р - -

предельно допустимые эксплуатационные дгошые

бэ tnax, В

B,j.p 70 "С

Оокр < 70 "С

- 55

fK3 м.пшх, В

Оокр 70 "С, (7бэ0,5 В; т„ < ! мс.

-100

/к тах> -А

Q > 10

0,.,<Г25Ч:

/б max,

В режиме рисек:ын,1ния при 0,,., 70 С

1 50

Рц -пак т. Вт

Окор 25 °С

r,f р KDpi С/Вт

jju р H(J "1J

0окр "С

- 53

При гемпературо корпуса свыше 25 "С доп-тимя четность [Нт) расе*.keicmjih koI .iLKfopuvi, определяется по форчулс /"к мал = fS5 - Окор)/1,.

Вт 30

\ГТ7В1А

ШдО Ш

ГТ7В1А

-50-20 20 50 в:

О 10 ад во дщ

ГТ701А

f-ZB

2 4 6 8 101/



ГТ703Л. ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г. ГТ703Д

Гермаииеные сплавные транзисторы р-п-р. Прсд-н.мизчены для работы н выходных каскадах усилнчелен низкой члстото! радиоаппаратуры (приемников, телевизоров, магнитофонов и т. п ).

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-иодами [рис 6 I, б)

ГЬ:аметры

ГТ703А

ГТ703В

гт;озп

ГТ703Б

ГТ703Г

f/кэ = - 1 в. /к =

30 .70

30. 70

20 45

50 мА. Оокр = 20 "С

50 100

50 100

Оокр - 55 С

30 ..100

30.. 100

20 .70

50 ..150

50.. 150

В,„р -40 "С

15 ..70

15. 70

15 .45

25 ..100

25 . 100

,>!,, КГ[1

- - 2 Е, /-0.5А

> 10

> 10

> 10

к5о.

Окь - -30 В

<0.5

<0.5

<0,5

6Э5 = -10 В

<0.5

<0,5

Im (!к 50 мЛ)

--1 В

0,7 1 4

0,7 1.4

0 7 1,4

/2IL /к == 1-5 Л)

/„3 А, Ibfl

-0.0

-0.6

/к-3 А, hfi

-1,0

-1.0

-1,0


/к. а

гтюз

5. г

Z5 ЕО

75 111

/к. А

-5 -15 и.В

ГТ7Ш,В

20 15

-02 ОН ~Ofi ~0,OUfi О -5-10 -15U,B

<

-5 ЧО 150.,,д



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [ 64 ] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0028