Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [ 68 ] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

I 53


- [

1 tji

KTftO/A, КТ807Б

Крем!1непые меза планарные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения, каскадах строчной развертки телевизоров и других устройствах злсктроипой aiifj4puTypw.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис в 2, н).

Ре -ни м

кзмрния

КТ;е07Б

Ук = Ь В, /к

--0,5 А;

1И,р <

15 45

30 100

< 25 С

0,.р 85С

20 60

45. 150

1\,кр - - 1(1 С

10 30

20 07

1,о. мЛ

( = 4 В

< 15

11..

Ок, = 100 В,

10 Ом.

Оокр < 25 X

Оокр = 85 "С

< 15

к j .1. . в

/к-0,5 Л, /з

--0,1 А

< 1,0

<5

Предельно донуотнуые эксплуатационные д.ишые

I.v, В

[ и ri,nii в

1. 1 к 11 mail

imij А / .nh \ I. Вт

1 /в г С

0,жр 4. 85

/?П < 10 Ом; (.эв = 0,5 в 0.кр<85"С Оокр 85 °С Оокр 85 "С О

85 "С

Окор < 70 X еокр < 85 "С

iUi иные

-40-

. + 85

11(.ч кчщр.пуро Kupn>j свыше 70"С цопустнмзя мощиссть (Вт) рассчитывается



20 О

1 I


0,5 0,7 0U,,B 9 5 10 15 201/,8 0 ГО 20 JO

KT808A. KT808AM, КГ808БМ, KT808BM, КТ808ГМ

Кремниевые меза-плаиарные транзисторы п-р-п Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, преобразователях напряжения, стабилизаторах, импульсных н переключательных усгройстиах, устройствах электрО£[ного привода электродвигателей Транзисторы КТ808А и КТ808АМ могут использоваться также п выходных узлах строчной развертки телевизоров и блоках электронного зажигания автомобилей Вы[1>скаются в металлостеклянном корпусе с жсс1кими выводами (рис. 6 2, б. с).

Параметр [,[

Релч! 1 итмсроиич

KTsosa

КТ80? i М

h } \ 1

KJ -3 В. /к - 2 Л

10 50

20 125

20 12"i

Окь - fhOO 1Г.ПК

/ )ьсь мА

-4 15

< 1 j

/,р, МГц кэо in, в

= Ш в. /к = 0,5 А,

>8Л

: !0

/к = 100 мА

:130

->80

> 100

>70

КЭ нас. В

/[. = 6 А, !ъ --= 0,6 А

<2

Uh3 Hdt- Б

/к 6 А, /ь O.fi А

<2,5

2,5

<2,5

кл, МКС

То же, при ;/к э = 30 В

<2

/р;,с- МКС

/К -6 А; /б 0.6 А

Icp, мкс

/к = 6 А, /б = 0,6 А

<2

<2

Предельно допустимые эксплунтационные днняые

и км таху Б

-60°С<0кор< 125 С

1и же, при /?бз 10 Ом

f„ 500 мкс

эб тах> Et

- 60 °С < Осор < 125 С

к тах> А

-60 °С < Окор < 125 С



I I 11?Ч 11 i

KTS08B,M КТй/lSrVL

[ A

To же, при /а < 500 мкс,

у > 6

h, 1 ак. A

-00 Вк.р< 125 ч:

Окор < 50 С, 4э< iOB

-

1,07

1.67

С/Вт

при температуре окружающей срслы 25 10 "С

Прк т<игкрлт1 ре Kiipnyid nr 50 дп )2.} "С максимально догтСТимая woiuhocii. [Bт

1.1СС1(ИТЫВа?ТСЯ по iflftpyyie Ру. чиу = (150 -бкир) /Рцер ко;:

fl,/ ff.j fl, ..fl


КЗ НО

- - 1

КГША


КТ809А

Кремниевый меза плапарный транзистор п-р-п 11 pi диазначен для использования в переключателях, импульсных \< гр1)нствах, электронных регуляторах и стабилизаторах на-нрнженнп

Вгпугкается в металлосЕеклинном корпусе с жесткими вы-iHPi.iMH (рис. 6 2, с).



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [ 68 ] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009