Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [ 77 ] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

[Li [тметры

Режим иэусрс 1111"

КТ9С»8Л

Предельно допустимые экеилуатационныс дешныр

;?эв = 10 Ом (для К,Т908А); Г<эс < 250Ом (лдн КТ90НБ); О,,,,, < ЮОХ

135 "С 0.к„< 125Х

0.ор<50Х

"КП- Л< noz т. Вт

При i/K4 -= f>() И

чакону Hi !0% н,( кнжлие irtC Прн тcмлlpя1 \ рг i;f>p[T\i-a Di.iiuf 30 ""С дои) (л и мая м jiuieoli к (Вт) pjcCHiiTblBJCrtH no форму.1е т tl 5 (150 -

+ 125

линчу

А 8 Ц

0,4 0,8 Ц и,, В


в 7 мА

К1%и

7ТГ/Г.

/


?ц 40 ш so V,z,D



11 1 [*<1метрь[

КТ90УА

КТЭДБ

KTS03B

КТЮЧГ

1 Mj 1

(7кэ = 10 В. /к = 1.>

>3,5

>5

>3

>4,5

/ 100 МГц

ь ю jp- в

/э=0,1 А

>30

>36

>30

к JR, мА

6Vj=e0B,/?b = l0OM

<30

<60

< 30

<00

/ (>о. мА

эп-3 5 В

<G

<10

<6

<10

/7кБ =28 В, / = 5 Ml ц

<30

<60

<35

<60

1, . НС

10 В; /к = 0,15 А

<20

<20*

/,.,. А

10 В; / 100 МГц

>2,5

/,и X, Вт

Я„, Вт, t/K3 = 28 В,

>20

=.40

>15

Окор = 40 "С;/ = 500 МГц

Предельно допустимые эксплуатационные данные

Опер 120 "С

V- та\ В

/?ЭБ < 10 Ом

к )i! и -мм. В

у, < 10 Ом

К "и; 1, А

о„., 120 ч:

11- \\ ill i( 1 А

0„ ,< 120 "Г.

. IJfFl, А

П,„, 120-Ч-

0„„р<25 4:

54"

Ок.р -85С

-7 d

111 1 ЧШ\л

1 , „

-40...+ 85

При /, - 3 Л М и Ц - 0,2 А II, и /f 0Д А 11 1 /ь-, = 20 Вт

1>1 течперат>рс корпуса от 25 до 80 С допустимая MoiiinrirTi гнижягтся по линеи-

1K01JV

кттА,в

/ 2 J Z 4.

Кремниевые эпитакеиально-иланариые транзисторы при предназначены для рс1ио1Ы н умиижигелях частоты, и.югенераторах УКВ и ДЦВ диапазонов, в усилителях мощное ги и других высокочастотН1>!х радиотехнических устройствах имрокого применения,

Выпускаются в герметичном металлокерамичсском корпусе I полоековымн выводами {рис 6 3, г) Вывод эмиттера электри-ч(ч ки соединен с фланцем корпуса



5=»

4i

тов.

i/<T30

0 Vk5

--0 кп

ОзБ. -и ~S,b Ч/Л 36. -V -OS

Ш 83

>

8 IS Ы

О 8 15 Икь.В


КГ911А, КТ911Б. КТ9ИВ, КТ911Г

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в умножигелнх частоты, усилителях М0ЩН0С1И, автогспсраторпх УКВ и ДЦВ диапазоноз, в других высорсочастоп iMiix ради(ие\нпкн кп\ tiponouiax широкого применения

Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с четырьмя гибкими выводами и монтажным винтом (рнс 6 3, д).

[Itipnvicipbi

1\, Г911Л

к I 1 1 ь

КТпв

К1 ч 11 г

i/121,1

икэ = 10 В. /к = 0,1 А,

>2

>2.5

>2

/ 400 МГц

/кp. мА

L,Q- 10 В, /- 400 МГц

>!70

/кБО, мА

KV> = КБ /jos.-

<5

<10

/RO, мА

УЬ7> = 3 В

<2

s;;2

<2

<2

Ск, пФ

Lkb -28 В, / -3 МГц

< 10

<0

< 10

Тк, ПС

t/kb = IO В, /э = 30 мА;

<25

<25

<50

< 100

= 5 МГц

Р.их, Вт

Скэ = 28 В, / 1800 Л1Гц

> 1

>\

- 28 В, / - 1800 МГц

>2,5

2.5-



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [ 77 ] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009