Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [ 78 ] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

I 11> i i11. I I I !

КТО [\

КТЧ1 lb

KTCt] IB

Пргдгльпо дт1\С1имы1 ки-пл>птаииомныс данные

I, n .

4 Вт

0„.p< 120 X

0 9Г, or

120 -С 120 "С

- 40

I: „ Гкг. = 40 В !; И , = 1(!0 4i ц

тcмпc.lтp. hophsui от 2j :;о 85 "С юи v ( r,i .1 ан \ioi!iiio<:t о (Bi( иирсд*. n/ti i i» 1 .p.!\ le Ik n. - - IV,,0/J--


7G0 - -

SO §9

KT!JVA,SE,r

51}mA



Ш го u,,B

0 1 I



Pi жим HiMepriiiibi

КТ913А

- 55 В, /?ЭБ " 10 Ом

<25

<50

/эБо.

ЭБ =3,5 В

<1.5

<1.5

<Г5

Lk3= 10 в, f = 100 МГц

>0А

>0.8

>1,G

1, %

Гкт = 28 В, [ = 1 ГГц

>2

>2

>2

L/K-i =28 В, / = 1 Г riL

>40

>40-

/г,. МГц

= 10 В

> 900

>900

;900

/к 250 мА /5 = 30 мА

<0,28

<0,28

<0.28

/к 250 мА, /п 30 wA

<0.86

<0.8С

< 0,86

С„ пФ

=28 В. f = 10 МГц

<7

< 12

<14

С. иФ

tjb-O

<80

/-,. Ом

0 15

0,05

гс. Ом

11редсtijho К11\с1 HMiiie эксплуатационные данные

25X=0, L.,>s:;S5°C

-КЭК !гд В

То не, при = 10 Ом

ЭЬ mat В

-45Х<0к,р<85Х

К /li й < > А

-45Х<0,ор<85Х

Ркта Bi

-45Х0,ор<5оХ

Г., 5

пер коь -/ В1

1 >0

-Г) 4 12

Прн /\

Пр 1 Ра:г. 5 Вт При Рс., 10 Вг При /к 200 мЛ

р от 2j X до -(ijC 1КБ,г/ II iK>R"!u4 с[иж;ютсг по лн-

максимал ьнэ ::oiiji-riMQfi

Пт[ /к - 1(10 м \ В дlanajo le tcmi cpd iicHHOMs 1г,(11[> ao 4"! В

riui vt IG3HH что pdi.(.LHisacMa мощность ]ie rpeiibudi.

DIJ 1

i5 II.B


Кремниевые эпитаксиально-планарные генераторные СВЧ транзисторы п-р-п Предназначены для работы в усилителях мощности, генераторах, умножителях частоты в диапазоне 200 IООО МГц в режимах с отсечкой коллекторного юка Выпускаются в металлокерамическом корп)се с нолосковыми выводами (рис 6 3. к)




П D и м е ;i и ]i В Э11??;тр11чсс1чич ск(гма\ jvi ттриыо выводы дотжпы быть соедн 1 1 между Li-(jim

KT9I4A

Кремниевый питаксиально-плапариый CBI транзи-viop pup. Предназначен для работы в широкополосных <1и\хтактны\ усилителях мощности на частотах до 400 МГц F! паре с транзистором КТ904А.

Выпускается в металлокерамичсском корпусе с жесткими 1и.1видамп (рис 6 3, 6)

П п р м 1 ( р 11

It .hi ч и )М( pt ния

Змачои11 I

i\-J- -28 В. /к = 0.2 А,

>350

100 МГц

. Вт

(1 - -28 В, Явч - 1 Вт,

>7,2

= 100 МГц

/ = 400 МГн

>2,5

э= -28 В, Рвых = 2,5

>30

400 МГц

Uio- -10 В, / = 100 МГц

> 250

6кн-= -28 В. / = 5 МГц

< 12

(KR= В: /з = 30 мА,

<20

= 5 МГд

Предельно допустимые эксплуатационные данные

17\. В

1 (/ I , В

I (i V. В

м, Л

- 60°С< Опер < 150 "С -00 Опер < 150 "С

- бо "С е,„р < 150-с

-бОСО,,., < 150 "С

-ООХблр < 150 "С -60 =С < 9„ер < 150 X

-65 - 65



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [ 78 ] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009