Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [ 79 ] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

1 1 ) 1Мотры

Режи<[ измерения

Зиа leiinn

-60 °С <0,„р < 25 "С

0,Р - 125 =С

пер кор -/ В 1

" Ч 0 р 1

-60 + 125


ктзп.

п .

-5 -/2 -/5 -ZUk3.S -. -,7 [/„,6

КТ916А

Кремниевый планарно-эпитакснальный генераторный СВЧ транзистор п-р-п. Предназначен для использования в усилителях мощности, генераторах и умножителях частоты в диапазоне 200...1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока.

Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами (рис. 63, к).

Параметры

Kiynj-v

-5 В; /к = 0,25 А

frp. ГГц

- 10 В, /к - 1.5 А

t= I

ГГц, Р,ых = 20 Вт. 6кэ =

>2.25

= 28


Пи.рам£Тр-[,1

К 1<>10\

1 %

/ - 1 ГГ(1,

-28 в

~2д Вт,

/ , А

(.ч - К) В

t h 1 [) ц, в

/к - 0 25 Л. /,

0 03 А

и 1,, в

=0 25 А, /

0,03 А

0,-8

ГС. Ом

г,. Ом

0,05

Ск, пС"

>20

Г-кь = 10 В. /н = 30 МГц

= 100 мЛ, /

Предельно доп\стп\ые эксплчатанионные дачные

1 ) п

КЬ •

-45 "С < Окор

85 X

То же. прн /[jj

10 Ом

~45Х<0,,р

85 X

/К iiiOA. А

15 "С

К и 11

То >ье, при =

не, С>-= 10

-45=C<{U,

85 "С

/K.rfiK Вт

-45°С<0,,,

25 ч:

0,,р-85 X

16,7

Ru.p КОР- "С/Вт

КТЯ28Л, КТ028Б

Кремнне[Н>е лгитпксиалкио планарные ipanjiic!иры {] р-п Предназначены для работы в быстродействующих импульсных у стронет вах, генератора-х эпектримеских колебангй и узлах ЭВМ.

Выиускаютси в мсга.илостекляниом корпусе с гибкими вы-иодами (рис 6 3, е)

Пгрчотры

LK5 = 3 В. 150 мА

20 100

50 20U

/кьо. fiA

LK-GO В

/--»ьо, мкА

<5

<5

/гр. МГц

LK3 = 10 Б. /к 50 мА

>250

;5 250

/р; = зиО мА. /б =30 мА

<1

< 1

/к зоо мЛ, /б = 30 мА

< 1,5

<:!.5

С,, пФ

(УкБ - 10 В, [- 10 МГц

< 12

< 12

С„ пФ

L-ds-O. 10 МГц

< ! 00

< ЮО

Т„ ПС

1/кь--10В, /к = 50 мА./ =

< 100

< 100

= 10 МГц

/ = 300 мА. /б -30 мА

<250

<250



nj3paMLTpLJ

Режим пзчорр тя

KT42SD

Предельно лопустмыс эксплуатационные лаин?.1е

КЭ п.ч-с, В эГл/г.йи В

К iua\! А к Н тич Л РКт.... Вт Як и/леи Вт

0(1 кр,

- 45 С

85 X

-45С < Оокр <

-45Х<В,,р -45Х<0,,р

- 45С < О

<85Х

< 85 °С

< 25 "С

То же, при т, 10 мкс, Q

>50

0,5-

0.5-

- 15

+ 85

Ilp-1 }стови11 [о средняя MriiiuirirTi. цо просишает

темпсрлтуры ohp>К,юшсн Ср(?ды В липпаюис TtMiicpTvp окружающей (.р1ДЬ от 25 до ЬГ С м[)щниС1ь CHnifTCP

Ji.jU ILIIU Л(111>1ИМ>Ю для ДЗНИОН

"г. -

да о

800 600

т zoo

КТ318А.Б

- то

100D

- оии

Lnn-t

00-1

zo/)-

8.6 0,SUb3.9 -0Л .0,5 ijB.S

5 dlf„B


f 9 n WU,B 0 0,1 Of 8,eU,,B



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [ 79 ] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0015