Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [ 81 ] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

7.1. Система обозначений полевых транзисторов

Сисчсма обозначений полевых транзисторов впервые была упорядочена с введением в действие в январе 1973 г. государственного стандарта (ГОСТ 10862-72). Согласно этому ГОСТу, система обозначений полевых тран31[сторов аналогична системе обозначений биполярных транзисторов. Отличие состоит лишь в обозначении второго элемента, которым у полевых транзисторов является буква П. Классификация полевых транзисторов по частотным свойствам отражается третьим элементом обозначения. Она осуществляется по максимальной частоте в соответствии с приведенной ниже таблицей.

Часюга транзистора

.Мчшмч: 1ь 1 pdi N11 [u)а

м. ЛсЯ

О ЗВт

(I i

Вт <

1.5 Вт

С>1> л 1 о я > I 5 Вт

.Низкая:

!так < 3 МГц

Средняя:

< 30 МГц Высокая f,,,>30 МГц

(>

Со[ласио ОСТ и 336 038-77, вторым элементом обозначения полевых транзисторов также является буква п. Остальные элементы обозначения такие же, как у биполярных транзисторов. Классификация полевых транзисторов ио частотным свойствам аналогична предусмотренной ГОСТ 10862-73, т. с. осуществляется по максимальной частоте.

Условные графические обозначения полевых транзисторов приведены иа рнс. 7 К





Рис 7 1. Условные графические обозначения полевых транзисторов: 246






а - полевой трл[знстор с р п :iaTDOpOM ([ клпллом р типа, б - нелепой транзистор с р п затвором и каналом п ткпа, в - ДП транзистор с индуииро-/ваниым каналом р тина, г - МДП транзистор с иидцирииаиным kjhu-iom п типа, О - МДП тр,1нзнстор со встроенным каналом р типа, е-,ЧДП-трапзнстор to встроенным каналок /! iHEia, ж - МДП гранисюр l индуцированным каналом «типа и пнутренняи соединением Т1одложк1 и стока, ч - Millt транзистор со встроенным каналам п типа и двумя изолированными затворами

7.2. Элекгрмческме парамегры полевых транзмсгоров

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов определены ГОСТ 19095 -73.

TipillEllW

Начальный ток стока

Остаточный ток стока

Ток уи ЧКГГ J.n iin).l

Отношение начальных гокоп стока едииоппого полевого транзистора

Разность токов утечки затвора сдвг)ен ного полевого транзн стора

Обратный ток перехода затвор - с ГОК при разомкнутом выводе

Обратный ток перехода затвор - исток при разомкнутом выводе

Букпсннып обоз[1:;нчтя

А, o-Ll

ч) I

C(:i:i.ij

3(>T) [

3(ут)2

Определеинл

Ток стока при навряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения Ток сюка нрн напри/кении между затворам и истоком, превы-П1аю[цем напряжение отсечки Ток затвора прн заданном напряженки между затвором и остальными ныподами, замкну тыми между собой Отношение меньшего значения начального тока стока к 66,1Ь-шему значению начального тока стока сдвоенного полевого Tp,ii[-зистора

Ток, протекаюн1ий в цени за твор - сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами Ток, протекающий в цепи затвор -- исток, [фи заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами



Te[)-.ii н>

lj\KBtnHbie 1)6ujH i4t н 1Я

Напряжение отсечки нолевого транзисторе!

! loporoBoc нлфяжекие полевого транзистора

К руги тип X а р а ктер и CTHhH пплейого транши стора

Сопротиилонис сток -

исток в OlKpfcjTOM состо-

яни-1 траизис юра

Р.мюсть сток - исток при разомкнутом вы-

BOAL

Емюсть затвор cidk при разомкнутом вывода

Ем LOCTI. плтвор исток при разомкнуто "VI т>\ соде

Вчодная емкость поле вог) транзистора

Вычоднйя емкость полевого транзистора

Прэходная емкость по-лсЕОго транзистора

Ш-мопое напряжение полевого транзистора

311 пор

1 >]

22ii

Onpeieien in

Напря/кеиие чеж1\ jdroopoM и Ht-ruKovi Tpa3!icгора с р п-пе-рсхоиом или МД] I транзистора со встроенным каналом, при котором юк стока дocтиJ ает заданного низкого значения НзпрИячСние между затвором и HL-r-jKUM МДЦ-транзистора с индуцированным каналом, при ко тором ток стока дости]ает заданного низкого значения О"но1псни€ изменения тока стока к изменению напряжения на чатаоре при коротком замыкании но переменному току на выходе транзистора в схеме с об-1Д1И истоков

Сопротивление между eifjKOM и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток - исток, меиь гьем напряжения насыщения Рмкогп. меж;1у стоком и hlto-кои прн разомкнутых по переменному току остальных оыво Да<

Емкость между затвором и ис током при разомкнутых по пере-мр тому току остальных выводам

!"vkoni, межау ьпвором и ис-т»ом при р.) и)мкчуг,1У г») пере м<.Ч11ом}( ioh \ <Ki dJLHUx выип ла\

EvKocTb между затвором и истоком при коротком замыкании по nncMeiiiio-viy току на выходе в схеме с общим истоком Емкость ме-кду стоком и исто ком при коротком замыкании по переменному току па входе в схеме с o6[ilhm истоком Емкость между затвором и стоком прн коротком замыкании по переменному току иа входе а Схеме с общим истоком Эквивалентное Пумовое напря-менпс, приведенное ко входу, в голосе частот при опрсделеином гол ном (опро гнвленин генератора в схеме с общим истоком



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [ 81 ] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0009