Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [ 94 ]

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. Полупроводниковые диоды........ i

1 1 Система обозначений полупроводниковых лпо/ит

1 2 Электрические параметры полупроводниковых шо \>ч< I it

1 3 Выпрямительные и универсальные дноды . !

1 4 Импульсные диоды.........

1 Г). Варикапы ..... ....

1 6. Стабилитроны и стабисторы ...

1 7. Т\,ннельные и обра1ленные диоды . *

1.8 Светоизлучающие полупроводниковые npnoopi.i f

2. Тиристоры ... *

3. Биполярные тран 1ист(>ры ...... , Ui

3 1 Система обо.начний биполярных Tpjin шсторов Щ

3 2. Этектрические параметры биполярных трпиисторои Иг

4. Биполярные тран1И1Т0ры ма.ОЙ мощности . , . 1-

4 1 Биполярные граи истари мл.кл! моткми uиio(l члспиы

4 2 Б>1П0ТНр1-п>1С трап пкто[н>1 мл uui vuiiumn i и >р(чнс!! ч.и i m м

4 3 Бппод ярныс трап fHi ]f)p],i м,] ии "иим ihh ш ]ы (>i.<jn 4,11 im JI

5. Биполярные транзисторы средней мощности . 1ь(

[) I Б и полярные транзисторы средне и мопдюс ги и i (ьои кнчп 111 Hi I

;>2 Бииоляриые транз1-еторы средней мощности срелнсу! ч;и n>ii,i \t,l

5 3 Биполярные тран ;и1. горы средней мчинюсти высокой ч,1С! m i,i I I

6. Биполярные транзисторы большой мощноеги , l*i >

6 I Биполярные транзисторы большой MoinMOe ги iui ичоп ч.и и.ч ы I)!) Ь 2 Биполярные транз1]сторы большой мощности ерсдисй члскши ,01

6 3 Биполярные транзисторь; бачыиои moi ukiciи Tii>icoK«n чл, \ и\ы .l\U

7. Полевые транзисторы ...... Mii

7 I Система обознамен.чй полевых транзисторов . . . Llfj 7 2 Этектрические параметры полевых тра1[311Сторов . , " I / 7 3 Полевые траншсторы малой моишости . , , ...И 7 4 Потовые транзисторы больи1ой мощности . ...



Виталии Иванович Галкин Анатолии JhUHwveu I Bi; ti>L 1ся BiaduMLip Алексаидр011и i Проюрснко

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Запсл\[ОЩни рслакцяси 1 В Васитсггкп Рсдс1ктэр Т Г Ка 1кан Художник С В Ьалонок Художсствонныи редактор Л Н Инкин Технические рсдакюры В В Хиреы-кии И [] Kd стеикая Корргкторы Г К Пиокунова Л Ф Лихадиевскап Г Б Красовская

И Б К-> 2624

Сдано в набор 24 03 87 Подп в печ 20 1187 Л 1}ЪЬЬ6 Формат 84Х Юй /а Бумага тип № I Гарии-ур литературная Высокая печать с ФПФ >,л печ i 15 12 Ус i кр dti 15 3.3 Уч Hj ..1 10 74 Тираж ЮООООэкз Зак 252 Ueiia SO к

Ордена Друж5ы ппрпдоп тлатсльство (Бслар;,сг). Гос,дг.рстиешюго комитета ЬССН по делам издательств гшлц[ рафнм и книжноц торговигг 220бип Минск npoi. пект Мтшероаа 11

Минский ордена Трудового KpacioLu Зиа\кт1 гго и i ра [жочбмнат МППО им Я Knmca 22У005 Мшкк, Kpaci.TH 23



1> 1)1" I

i I I

Галкин В. И. и др

1 15 Полупроводниковые приборы <

ник /в И Галкин, А Л Булычев, В Л ренко -2 е изд , перераб и доп - Мм русь, 1987.-285 с

Приведены основные ( bi, ichhsi no ivi[Mrp(iiJuflirnt\i;tibi,M дп iim сторач [joiCBUM и uiii i> н ным тр.пинсшрач по [угившим и > р к iipoi. ip iii*-)intj hTh r про-ibnii линпи радиотектрппнои щи i; pitKorn примрнгния гак и 1юбнте1ьских конструкцп;!*

По сравн*и;1ю с ripf Лл;, инм ид1Нисм (1979 Г) спрапоигпг i> рбитап н Д0ПОЛНС.1 иовыу.н чатсритам»

Для cпcuиa.::гcз занимающихся разраСоткой, aKcn.iydi mm i ptvorrTOM рлднгэпектроигои аппаратуры

2403000000-338

-71-87

М 301(03)-87

ББК 32 852н2



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [ 94 ]

0.0009