Главная  Оптические магистрали 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [ 162 ] [163] [164] [165]

9.1. 0,23 мкм. 9.3. 0,9999.

9.6. (а) 5- 103 м--; (б) 0,577; (в) 27,6 МГц; (г) 6,9 А-мм.

9.7. 0,47; 0,61.

9.8 5- 105 ч; 7-105 ч.

10.2. (а) 4,7 мм- до 2,85 мм-; (б) ~ 50А (mmVmkm) до ~ 45А/(мм2-мкм);

(в) ~ 86мА до ~ 77 мА.

10.3. 0,84 Вт/А до 1,02 Вт/А.

10.4. » 30 (Уэф > 60 А/(мм2 мкм) для » 0,90 мкм > X « 0,89 мкм; использовать формулу (11.2.1).

11.1. АХ/[им1 0,625 XVmkm.

11.2. (Должно быть (fe )2) (а) 911; (б) 1,4 нм; 0,13 нм; (в) 0,5 нм.

11.3 Лазеры: (а) 54 мкм; (б) 1,1 мм. Светодиоды: (а) 3,9 мкм; (б) 2,3 мкм в каждом случае.

11.5. 2,8 не по 4,7 не (а) (i) 67 МГц до 52 МГц и 8,3 до 6,5; (2) 211 МГц до 164 МГц и 24, 1 до 18,8 (б) (1) 92 не (2) 48 не (в) (1) 48 не (2) 14 не.

12.1. (а) 0,48 А/Вт; (б) 0,52 А/Вт; (в) 0,57.

12.2. Используя а = 5-10* м-*: (а) 0,95; (б) 37 мкм.

12.3. (а) 0,88, 0,58 А/Вт; (б) 6,8 В; 0,035 иФ: (в) 36, 8 В; (г) 0,43 ис, 0,75.

12.4. 4.10=2м-«; 0,000375 mVc; 0,00150 mVc; /si = 2-lO-ie А, /2 = 0,1 НА. li с/5 nf должен увеличиваться быстрее, чем [. w ij при более высоких температурах и при меньшей nJHpHne запрещенной зоны, так как

nir>oexp( - Eg/2kT).

12.5. (б) (1) 159 кОм; (2) 159 Ом.

13.4. (б) 48, 1 В; 15 В/мкм, (в) 378, 4 В; 15 В/мкм; (д) 0,75 не; 587 МГц. 13.7. 0,0409; 0,0817 (из упрощенной формулы - 0,0408 и 0,0816); « 1,9-10В/м; ж 2,2.В/м.

14.1. (а) 1,5 нВ/Уг 1£ (б) 0,6 иВ/УГц.

14.2. 18 фемто А/УГц.

14.4. (б) 0,56 пА/Угц; 1.5 нВ/УпЦ 1,8 пА/УГц; 0,46 нВ/УГц; 5,6 п.А/УГц; 0,15 нВ/УпГ;

14.5. Решения имеют вид: /ь опт = 2nkTC\f/e (ЗР), (llf = 8nkTC\f/ /(3?>)Ч М. Предполагается £ = 5 при М = 100

(г) (/ьопт): 0,43 мкА; 4,3 мкА; (1*: 0,525 пА/УГц для М - 1, Д/= 10 МГцХ X (<z>A/, Л1-1); (1): М F == 1; 34 нА; 340 нА; М = 100, F 5,6,4 нА, 64 н.А..

14.6. (а) в единицах [Ю-АГц]: 0,0025; 0,8; 3,2; 1,66; 0,04; (б) Да; (в) 52,4 дБ; (г) 2,5 дБ.

14.7. (а) Слагаемое аХ 10; слагаемое гХЮО; (б) слагаемое б /(25/4); (в) слагаемое в/10.

14.8. (а) в единицах-110-«« AVrnl: 0,16; 0,021; 160; 0,33; 0.04; (б) 38 дБ; (в) 7 дБ.

14.9. (а) слагаемое aXlO*; слагаемое гхЮО; (б) слагаемое 6x25/4; (в) слагаемое в/10, (г) слагаемыеа, б, г, д-10*, слагаемое в/5.

14.10. (С ф2 пФ): А > 2,120; (С - 5 пФ); А > 3,14; 314. 15.1. 8-10-1»; 4-10-». •

15.4. 1,6 пВт; 3,3 пВт; 4,9 пВт.

15.5 X 8,5 (» 19 дБ); » 12,6 (» 22 дБ); ж 15,7 (» 24 дБ).

15.7. 18,4 Мбит/с.

15.8. (а) 0.54 Мбит/с; 624 Мбит/с, формула (15:3.20) перекрывает весь диапазон; (б) 13,6; 246 Мбит/с; (в) 136 Гбит/с;

24,6 кбит/с; формула (15.3.16) ниже So, а (15.3.17) выше.

15.9. (а) 9550 Ом; (б) в единицах [10-6 А/Гц): 27.4; 0,8; 173; 0,04; (в) » » 41,4 МОм, да.



15.10. (а) в единицах 110-«б дг/Гц]; 0,25; 0,8; 16,56; 0,04; (г) 11,0,38 нА; (д) 0,46 мкВт.

15.11. (а) > 13; (б) в единицах [10-2* AVni): 16, 211; 33. q q,. (в)3,1мкА: (г) 3.7 мкВт.

15.12. (а) 9 фс, 2,7 мкм; (б) 0,18 не, 53,5 мкм; в) 1,59 не: 0,477 м.

15.13. (а) 30 мм; (б) 0,59 м; (в) 5,3 км.

16.1. 8.3 мкм.

16.2. (а) 0,405 (Вт/мм2).ср; 3,2 (мк-Вт)/ер; (б) 1,6 м; (в) 500, 50; (rl 0.5 мрад (1,72).

16.4. (а) 70 нВт/мм2; (б) 40 мк рад (8"); (в) 89,4- 70,5-221,5 -61,6 дБ.

16.5. (а) 0,694 дБ/км; (б) 8 мВт/м.

16.6. 80 %; X 45 %.

16.7. 1 не; нееколько наносекундХ 1 не; 1 ГГц. 16.9. 7,5-10-2» Вт/Гц и 9.5-10-2» Вт/Гц.

17.1. 4-10-21 с/угц.

17.2. 5.3.

17.5. (а) 10,7 мкВт, 1,7 км; (б) 1,0- Ю-» А2/Ги.

17.6. 3,3 дБ.

СПИСОК РАБОТ, ПЕРЕВЕДЕННЫХ НА РУССКИЙ ЯЗЫК

2.1. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М.: Наука, 1973. - 719 е.

5.2. Унгер Г.Г. Планарные и волоконные оптические волноводы. -Мир. 1980.

7.3. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела: Пер. с англ./Под ред. А.А. Гусева. - М.: Наука, 1978. - 791 е.

15.1. Лоудон Р. Квантовая теория света. - М.: Мир, 1976. 16.1. Гудвин Ф. Е. Действующие лазерные системы связи ТИИЭР.- 1970. - Т. 58, № 10,- С. 365-372.



список ЛИТЕРАТУРЫ

К главе 1

1.1 К. с. Као and G. А. Hockham. Dielectric fibre surface waveguides for optical frequencies, ProC. I.E£. 113. 115 1-8 (1966).

1.2 J. Brown and E. V. D. Glazier, Telecommunications. 2nd edn. Chapman & Hall (1974).

1.3 M. Schwartz, Information Transmission. Modulation and Noise. 3rd edn.. McGraw Hill (1980).

1.4 H. Stark and B. Tuteur, Modern Electrical Communications Theory and Systems. Prentice-Hall (1979).

К главе 2

2.1 М. Born and E. Wolf, Principles of Optics, 5th Ed., Pergamon (1975).

2.2 D. B. Keck, Optical fibre waveguides, in M. K. Barnoski (Ed.) Fundamentals of Optical Fiber Communications, Academic Press (1976).

К главе 4

4.1 J. E. Midwinter, Optical Fibers for Transmission, John Wiley (1979).

4.2 S. fc. Miller and A. G. Chynoweth (Eds.), Optical Fibre Telecommunications. Academic Press (1979).

4.3 C. P. Sandbank (Ed.), Optical Fiber Communication Systems, John Wiley (1980).

4.4 K. J. Beates and C. R. Day, A review of glass fibres for optical communication, Phys. and Chem. of Glasses, 21 (1), 5-21 (1980).

4.5 D. Marcuse and H. M. Presby, Index profile measurements of fibers and their evaluation, Proc. !.£££., 68, 666-88 (1980).

4.6 D. Marcuse. Principles of Optical Fiber Measurements. Academic Press (1981).

К главе 5

5.1 D. Marcuse, Theory of Dielectric Optical Waveguides, Academic Press (1974).

5.2 H.-G. Unger, Planar Optical Waveguides and Fibres, O.U.P. (1977).

5.3 M.J. Adams, An Introduction to Optical Waveguides, John Wiley (1981).

К главе 7

7.1 Н.С. Casey, Jr. and M. B. Panish, Heterostructure Lasers: Part A. Fundamental Principles (1978); Part B. Materials and Operating Characteristics. Academic Press (1979).

7.2 S. M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed, Wiley (1981).

К главе 10

10.1 и. Kressel and J. K. Butler, Semiconductor Lasers and Heterojunction LEDs, Academic Press (1978).

10.2 G, H. B. Thompson, Physics of Semiconductor Laser Devices. Wiley (1980).



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [ 162 ] [163] [164] [165]

0.0017