Главная  Классификация радиоэлектронной аппаратуры 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [ 14 ] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

Потери на поглощение S„, обусловленные затуханием в материале.

определяются уравнением:

S„ = 0,13fi(pGf)V..

При одинаковой толщине магнитные материалы (сталь и др.) на низкой частсуге имеют потери на поглощение больше, чем немагнитные (медь), значит, для этого случая экран должен быть изготовлен из относительно толстого материала с высокой магнитной проницаемостью.

г-Югц

-- ЮВгц

-~1кги.

10к?.и,

- ЮОкгц

--ЮПги.

160-150-

130-


7D-. Б0\ 50\

30 \

Серебро Медь

Алюминий

Магний

- Цинк латунь

- : Никель

- ОлоВо

10--

Нихром

Сталь холоднокатаная

. Сталь нержавеющая

%-ноя кремнистая сталь

45%-ныи пер

, маллоа

- 7В°А-ный пермаллой

ЮГги,

Рис. 3-3. Номограмма для определения потерь на отражение плоской волны (при удалении более чем на пять длин волн от источника излучения) на границе среда-экран

С повышением частоты эффективность экранирования от внешнего источника энергии возрастает.

Выбор материала и толщины экранов производится по известной величине необходимого ослабления поля при заданной частоте. В ряде случаев необходимо найти несколько материалов, которые могут обеспечить нужное экранирование, а окончательный выбор определяется такими факторами, как вес, жесткость конструкции и стоимость.

Выбор материала по приведенным выше формулам не учитывает наличия в реальных конструкциях отверстий для крепления деталей, устанавливаемых на экранах, и щелей между стенками. Проникновение энергии через эти отверстия и щели на низких и высоких частотах значительно сни-



жает эффективность экранирования, поэтому всегда следует задаваться повышенным значением ослабления по сравнению с заданным (на 20-50%).

Материал экрана, расстояние от источника излучения и толщину экрана удобно находить по номограммам, построенным для приведенных выше выражений потерь на отражение по составляющим электрического поля So (Е) (рис. 3-1), магнитного поля S (Н) (рис. 3-2), для плоской волны So (Р) (рис. 3-3) и для потерь на поглощение в материале экрана 8„ (рис. 3-4).


- -45Л-ный пер-

- паллой --4% -те кремнистое железо

- Никель

Нержавеющая сталь

Холоднокатаная сталь

Серебро Медь

Алюминии

- Магний -Цинк

- - Латунь

Рис. 3-4. Номограмма для определения потерь на поглощение электромагнитной энергии в материале экрана

Возможность рассмотрения всего поля номограммы позволяет видеть пределы выбора искомых параметров экрана, а поэтому номографический мегод дает возможность легко решать обратную задачу в зависимости от тех или иных дополнительных конструктивно-экономических соображений. Пользуясь номограммами, можно быстро получить несколько ответов и выбрать из них лучший для данной конструкции РЭА и условий производства.



Пользование номограммами рис. 3-1, 3-2, 3-3 сводится к следующему. Через точку с заданной частотой поля и точку, соответствующую требуемому ослаблению, проводят прямую до пересечения со вспомогательной линией (точка А). Затем, приложив край прозрачной линейки к точке А, можно получить, поворачивая линейку вокруг этой точки, соответствующие марки материала и расстояния до экрана при заданном ослаблении.

В результате получают решение без учета поглощения в экране. Ослабление от поглощения находят по номограмме рис. 3-4 для выбранного материала и определяют толщину экрана.

Начинать расчет надо по преобладающему механизму затухания в экране. Так, для экранирования низкочастотных полей вначале определяют потери на отражение (как .это было только что рассмотрено), тогда как в случае экранирования высокочастотных полей начинают с определения потерь на поглощение. Полное ослабление поля экраном определяется как сумма .этих двух составляющих.

3-2. Конструктивные меры устранения паразитных связей в электромонтажных цепях

Причины, вызывающие паразитные связи в электромонтаже. Электромагнитные, электростатические и кондуктивные наводки, их устранение. Влияние сопротивления контактного узла заземления на паразитные связи. Выполнение заземляющих соединительных узлов на алюминиевых и магниевых корпусах

Устойчивость работы любой радио.электронной схемы зависит от паразитных монтажных связей, которые определяются взаимным расположениел! .элементов и соединяющих их проводников. Так, при неудачной конструкции усилители постоянного тока склонны к самовозбуждению. Паразитная генерация может возникать в очень широком спектре частот: от единиц герц до единиц мегагерц, что затрудняет борьбу с ней. Причиной низкочастотных релаксационных колебаний в таких усилителях являются паразитные утечки в конденсаторах и блуждающие токи в констркционных узлах (шасси, каркасы и т. п.). 1

В высокочастотных частях РЭА, работающих на частотах 9т единиц мегагерц и выше, сказывается влияние емкости монтажных цепей относительно конструкционных мателлических узлов й друг друга, влияние индуктивности соединительных проводников, .электрического соединения цепей заземления [13]. Высокочастотные части РЭА рекомендуется выполнять в виде обособленных конструкций, в которых предусматривается устранение взаимных наводок и связей, максимальное уменьшение конструктивной реактивности элементов схемы и другие меры, обеспечивающиеустойчивость работы.

Паразитные наводки, нарушающие устойчивость работы радиоэлектронного аппарата, разделяют ца электромагнитные, .электростатические и кондуктивные.

Электромагнитные наводки возникают из-за протекания тока по проводам и катушкам индуктивности. Такие наводки возникают и при протекании по экрану наводимого низкочастотного тока при неправильном заземлении экрана (в двух разнесенных точках).

Электростатические наводки вызываются электростатическими полями, создаваемыми за счет паразитных емкостей или разности потенциалов между различными точками корпуса. Они проявляются, в частности, при скачкообразном изменении напряжения в цепях, связанных паразитной емкостью, так как вызывают прохождение разрядного (или зарядного) тока через .эту емкость. Диапазон частот электростатических наводок лежит, как правило, выше 10 Л4гц.

Кондуктивные наводки возникают из-за наличия общей нагрузки для полезного и наводимого сигналов.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [ 14 ] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

0.0008