Главная  Электронные лампы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [ 46 ] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112]

Допустимая мощность рассеивания - мощность, прн которой варистор сохраняет свои параметры А I , заданных техническими условиями пределах в течение (д)

срока службы. У T/Vf

Современные варисторы используются в разнооб- i Щ

разных электронных схемах: для защиты приборов и " элементов схем от перенапряжений; стабилизации fz

напряжеиня и тока; регулирования и преобразования р, g j2 Схе-

электрических сигналов. ма перемкоже-

Примером использования варистора для преобразования У вел

электрических сигналов может служить схема, приведенная на помощь

рис. 8.12. Она позволяет произвести операцию перемноже1!ня варисторов, двух величин. В схеме используются варисторы с квадратичной зависимостью тока от приложенного напряжения. Поскольку для варистора / = Ви (см. 8.П), то для получения квадратичной зависимости 1 f W) необходимо, чтобы коэффициент нелинейности Р = 2. Тогда можно записать

Прибор в диагонали показывает разность этих токов

т. е. показания оказываются пропорциональными произведению напряжений Ui Контрольные вопросы и упражнения

1. Назовите приборы, условные графические обозначения которых приведены на рис. 8.13.

25- -czS-

V ff] а 6 6 г

Рис. 8.13. Условные обозначения полупроводниковых резисторов.

2. Пользуясь справочником [29], расшифруйте обозначения н произведите классификацию указанных ниже приборов:

СФ2-12. ФСК-П1. СНПЗ, ТКП-450. СТ6-4Г. СФЗ-8, ФСД-1, ЛШТ-6, СТЗ-23, СФ2-8, СТ5-1, СТ6-ЗБ, СТ4-15, ФСК-5, Т8С2М, КМТ-4, СФЗ-5, ТП6/2.

3. Расскажите о вольт-амперной характеристике тер мо резистор а с отрицательным температурным коэффициентом.

4. Что такое релейный эффект в цепи с терморезистором?

5. Объясните физический смысл тсмпературно1Ю коэффициента сопротивления терморезистора.

6. Вычислите коэффициент температурной чувствительности терморезистора если Ti = 290 К; Та = 310 К; Rj = 1 кОм; Rj = 200 Ом.

7. Оэставьте схему для измерения температуры с помощью терморезистора.

8. Укажите основные особенности позистора.

Ift -□""" физический смьюл удельной чувствительности фоторезистор а. Г(Т19 i""* глУ справочника основные технические параметры фоторезисторов типа СФ2-1, СФ2-12, СФЗЛ, СФЗ-8. По каким параметрам эти приборы наиболее сильно отличаются друг от друга? -



Рис. 8,14. Схемы фотореле на фоторезистора

П. На рис. 8.14 приведены схемы фотореле. Объясните их работу. Укажите возможности практического применения.

12. Чем объясняется нелинейность вольт-амперной характеристики варистора?

13. Пользуясь справочником, опредетите по вольт-амперноС! характеристике коэффициент нелинейности варистора СН1-1. Сравните найденное значение с пас-hopTHым значеннем.

14. Какие из указанных выражений онисыаают вольт-амперную характеристику варистора:

]) / BW; 2) В = Л/; 3) t/ = Л/"; 4) U Л/«; 5) / BU

15. Расскажите о применении варисторов в электронных схемах. Составьте схему стабилизатора Напряжения на варисторе.

16. Составьте перечень ключевых слов к главе 8.

Глава 9. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковым диодом называется прибор с двумя выводами, содержащий один электронно-дырочный переход.

Наибольшее применение получили германиевые и кремниевые полупроводниковые диоды, а также диоды, выполненные на основе арсенида галлия.

В зависимости от способа получения электронно-дырочных переходов полупроводниковые диоды делятся на два типа: плоскостные и точечные.

Исторически первым типом полупроводникового диода был кристаллический детектор, используемый в простейших (детекторных) радиоприемниках. К настоящему времени сфера применения полупроводниковых диодов расширилась настолько, что практически трудно назвать тот или иной узел электронной аппаратуры, в котором бы не использовались эти исключительно разнообразные по своему назначению полупроводниковые приборы.

Чем объяснить столь широкое распространение полупроводниковых диодов?

Прежде всего их неоспоримыми преимуществами перед электронными лампами. Важнейишми достоинствами полупроводниковых диодов являются:

малые габариты и масса;



высокий коэффициент полезного действия (свыше 99%); отсутствие накаливаемого источника электронов; практически неограниченный срок службы (при выполнении соответствующих правил эксплуатации); высокая надежность.

Не удивительно поэтому, что полупроводниковые диоды вначале заставили «потесниться», а затем практически полностью вытеснили вакуумные диоды из таких широко распространенных устройств, как выпрямители переменного тока, обеспечиваюш,ие электропитанием подавляюш,ее большинство современных электронных схем.

Полупроводниковым аналогом (по назначению) ионных стабилитронов являются кремниевые стабилитроны. Эти приборы способны успешно заменить весьма неудобные в эксплуатации ионные приборы, превосходя их по целому ряду важнейших параметров.

Следует особо подчеркнуть то обстоятельство, что большому числу полупроводниковых диодов присущи такие специфические особенности, которые фактически не имеют аналогии в ламповой технике. К таким приборам можно, например, отнести варикапы (емкость р - п-перехода которых изменяется при изменении подведенного к ним напряжения), туннельные диоды (имеющие на вольт-амперной характеристике участок с отрицательным сопротивлением), быстродействующие импульсные диоды (для работы в схемах с импульсами микросекундного и наносекундного диапазона), разнообразные 5ио(Зы сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона (для работы в качестве модуляторов, смесителей, делителей и умножителей частоты), фотодиоды (реагирующие на световое облучение).

Помимо перечисленных, все более широкое применение находят светодиоды, диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды и др. Можно не сомневаться в том, что и в будущем полупроводниковые диоды сохранят свои ведущие позиции в электронной технике, будут непрерывно совершенствоваться и обновляться.

Приступая к изучению столь обширного класса приборов, необходимо вначале ознакомиться с конструкцией прибора того или иного типа, далее рассмотреть способы его включения в схему, принцип работы, характеристики, параметры, возможности практического применения. Следует обратить внимание также на особенности условных графических обозначений диодов и систему их маркировки.

9.1. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

В выпрямителях переменного напряжения наибольшее применение ~" находят германиевые и кремниевые полупроводниковые диоды. Основными методами получения р -/г-переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия.

Конструкция маломощного сплавного кремниевого диода показана на рис. 9.1, а. Электрон но-дырочный переход образуется вплавле-нием алюминия в кремний. Пластинка кремния с р ~ «-переходом припаивается к кристаллодержателю, являющемуся одновременно



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [ 46 ] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112]

0.0011