перавгиства

л; (10.17)

Достоинством схемы с общим эмиттер01\1 следует также считать возможность питания ее от одного источника напряжения, поскольку иа базу и на коллектор подаются питающие напряжения одного знака. Поэтому схема с общим эмиттером в настоящее время является наиболее распространенной.

Следзет отметить, однако, что температурная стабильность схемы с обк\пм эмиттером оказывается несколько хуже, чем схемы с общей базой.

Это можно доказать следующим образом.

В соответствии с (10.9) полный ток коллектора

/к = а/э + /кБо.

Эта формула фактически характеризует связь между выходным и входным током транзистора для схемы с общей базой. Найдем теперь аналитическое выражение, характеризующее связь выходного тока (/к) с входным (б) для схемы с общим эмиттером. Преобразуя приведенное выше выражение, получим

/к = а(/к + /б) -h /кБО,

откуда

к=-гв+.. (10.18)

Слагаемое обычно обозначают /кэо и называют начальным коллекторным током \ Следовательно,

/к=РБ + /кэо. (10.19)

Нетрудно понять, что кэо = а = 0,95 -ь 0,99 в десятки раз больше теплового тока /кбо, и хотя с ростом температурыа изменяется незначительно, но ~г--растет гораздо сильнее. Именно поэтому

выходной ток в схеме с общим эмиттером в более сильной степени зависит от температуры, чем в схеме с общей базой.

В схеме с общим коллектором (рис. 10.9, в) входной сигнал подается на участок база - коллектор. Входным током является ток базы, а выходным - ток эмиттера. Поэтому коэффициент прямой передачи тока для этой схемы равен

Д/к Д/ - Д/t

1 Ток IiQ проходит через транзистор при оборванной цепи базы, т. е. при Уз=0 (см. Ш.18},

Месмотря на сравнительно большие значения коэ()фициента прямой передачи тока и входного сопротивления, схема с общим колле](тором практически не позволяет получить усиления по напряжению и поэтому применяется значительно реже, чем две предыдущие

10.4. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА

Статические характеристики транзистора отражают зависимость между токами и напряжениями на его входе и выходе.

Одним семейством характеристик эту зависи!лость показать нельзя. Поэтому необходи]\ю пользоваться двумя семействами статических характеристик транзистора. Наибольшее распространение получили входные и выходные статические характеристики для двух основных схем включения - с общей базой и с общим эмиттером.

Для схемы с общей базой входная характеристика представляет собой зависимость тока эмиттера /э от напряжения между эмиттером и базой /УэБ при постоянной величине напряжения между коллектором и базой иъ-

h~ f {Уэъ) при /7кб = const.

Типичные входные статические характеристики транзистора для схемы с общей базой приведены на рис. 10.10, а. Из рисунка видно, что входные характеристики аналогичны вольт-ампериой характеристике р - «-перехода для прямого тока, причем и.зменение напряжения f/кб слабо влияет на ток эмиттера. Это объясняется тем, что электрическое поле, создаваемое напряжением /7к;б> в схеме с общей базой почти полиостью сосредоточено в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение зарядов через эмиттерный переход. Так, на рис. 10.10, а входные характеристики, снятые при ивфО, практически сливаются. Поэтому в справочниках обычно приводят лишь две входные характеристики для данного типа транзистора - одну, снятую при Uk.b = о, и вторую, снятую при /7кб ¥=0, например при /УкБ = -5 В.

Выходные характеристики транзистора для схемы с общей базой изображают зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе прн постоянных значениях эмиттерного тока

/к = Ф (Vkb) при /э = const.

Примерный вид выходных статических характеристик транзистора изображен на рис. 10.10, б. Из рисунка видно, что при нормальной рабочей полярности напряжения /7кб, когда коллекторный переход работает в обратном направлении, выходные характеристики представляют собой почти прямые линии, идущие с очень небольшим на-

Схема с обцим коллектором применяется главным образом для согласования сопротивлений между отдельными каскадами многокаскадного усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой. Эти вопросы будут подробно рассмотрены в главе 13. 1

Несмотря на то, что напряжение на коллекторе для транзистора р - п - р отрицательное, выходные характеристики принято изображать в положительных осях координат.

клоном. Это объясняется тем, что коллекторный ток создается за счет диффузии носителей зарядов, проникающих из эмиттера через базу 0 коллектор. Поэтому величина коллекторного тока определяется главным образом величиной тока эмиттера и незначительно зависит от апряжения Скб. приложенного к коллекторному переходу. Даже

I If / И У

200 Щ,мВ ОЛ

рис. 10.10. Статические характеристики транзистора для схемы с общей базой;

а - входные; б - выходные.

При f/кБ = О происходит явление экстракции и ток коллектора может иметь достаточно большую величину, зависящую от величины тока эмиттера.

При /э = О характеристика выходит из начала координат, а затем идет на небольшой высоте почти параллельно оси абсцисс. Она соответствует обычной характеристике обратного тока р - я-перехода. Ток /кБО. определяемый такой характеристикой, является неуправляемым и представляет собой один из параметров транзистора. Из рис. 10.10, б видно также, что при перемене полярности напряжения СкБ ток /к резко уменьшается и достигает нуля при значениях Скв порядка десятых вольта. В этом случае коллекторный переход работает в прямом направлении, ток через этот переход резко возрастает и идет в направлении, обратном нормальному рабочему току. При этом транзистор может выйти из строя. Поэтому участки характеристик, показанные на рис. 10. 10, б пунктирными линиями, не являются рабочими и обычно на графиках не приводятся.

Для схемы с общим эмиттером статической входной характеристикой является график зависимости тока базы /б от напряжения Сбэ при постоянном значении f/кэ:

/в = / (Сбэ) при f/кэ const.

Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы

/к = Ф {f/кэ) при /в = const.

Типичные входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером показаны на рис. 10.11.

Из рис. 10.11, авидно, что сростом напряжения f/кэ ток /б уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении f/кэ растет напряжение,