Главная  Электронные лампы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [ 59 ] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112]

приложенное к коллекторному переходу в обратюм иапрал-лении уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как почти все носители быстро втягиваются в ];оллектор.


40 80 120 то из,мв а

8 из,В

4 6

Рис. 10.]]. Статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером;

а -- входные; б вы.\одные.

Переход мллетор -база

Переход эмиттер -база

Для объяснения хода выходных характеристик (рис. 10.11, б) обратимся к рис. 10.12, из которого видно, что в схеме с общим эмит-1 тером иапряженне, приложенное к коллектор-j, иому переходу, равно /7кэ-ъэ, так как эти £/5, напряжения между точками коллектор-база р оказались включенными встречно. Поэтому при кэ</7бэ1 напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от (Укэ = О до 1/7кэ1 = /7бэ велика. На участке /7кэ1 > бэ1 крутизна характеристик уменьшается, онн идут почти параллельно

Рис. 10.12. К пояснению формы выходных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером.

оси абсцисс. Положение каждой их выходных характеристик зависит, главным образом, от величины тока базы.

10.5. динамический режим работы транзистора

в практических схемах транзисторных усилителей в выходную цепь транзистора наряду с источником питания включают сопротивление нагрузки, а во входную-источник усиливаемого сигнала.

Режим работы транзистора с нагрузкой называется динамическим. В этом режиме токи и напряжения на электродах транзистора не остаются постоянными, а непрерывно изменяются. Рассмотрим работу транзистора, включенного по наиболее распространенной схеме с общим эмиттером, в динамическом режиме (рис. 10.13, а). В этой схеме напряжение источника питания £1 распределяется между участ-



ком коллектор >- эмиттер (выхсдом схемы) и нагрузочным сопротивлением так, что напрямени

гУкэ-Як-/гЛ. (10.20)

Выражение (10.20) представляет собс уравнение динамического режима для выхсдгой цепи. Изменеття напряжения на входе транзистора вызывают соответствующие изменения тока эмиттера, базы, а следоБстельно, н тока коллектора /к. Это приводит к изменению на-пряжс::!1я на R, в результате чего изменяется и напряжение (Укэ-

о-


pljOmp

Рис. 10,13. Динамический режим работы транзистора:

а - схема включения; б - динамическая характеристика в семействе статических выходных характеристик; в - входная динамическая характеристика.

Обратим внимание на то, что питание транзистора в рассматриваемой схеме (как и в любой другой схеме с общим эмиттером) производится от одного источника f. Напряжение на эмиттерный переход подается через резистор Rb в цепи базы. Величина сопротивления этого резистора определяет исходную величину постоянного тока базы транзистора при отсутствии входного сигнала.

Характеристики транзистора, находящегося в динамическом режиме, отличаются от характеристик статического режима, так как они определяются не только свойствами самого транзистора, но и свойствами элементов схемы.

Наиболее часто используются выходные и входные динамические характеристики.

На рис. 10.13, б изображены выходные статические характеристики транзистора и проведена динамическая характеристика (нагрузочная прямая) ЛВ, соответствующая сопротивлению нагрузки R.

Положение нагрузочной прямой на статических характеристиках однозначно определяется напряжением источника питания £;<; и сопротивлением резистора R. Точка В пересечения нагрузочной прямой с осью напряжений совпадает с точкой, в которой напряжение на коллекторе равно f. Действительно, эта точка соответствует случаю, когда ток коллектора равен нулю. При этом ток в нагрузочном сопротивлении отсутствует и падение напряжения на сопротивлении нагрузки равно нулю. Следовательно, все напряжение источника питания



Ек оказывается приложенным к участку коллектор - эмиттер транзистора.

Точка А пересечения нагрузочной прямой с осью токов совпадает с точкой, для которой удовлетворяется условие

так как ток коллектора в случае, если бы транзистор можно было открыть полиостью (или закоротить), ограничивался бы только величиной сопротивления R.

Все промежуточные положения точек иа линии нагрузки характеризуют возможные напряжения и токи в соответствующ]1х цепях транзистора при подаче сигнала с учетом сопротивления нагрузки. Любому току базы соответствуют вполне определенные значения тока коллектора и коллекторного напряжения. Так, например, если в режиме покоя (до поступления входного сигнала) был установлен ток базы /бз, то рабочая точка Р на нагрузочной прямой укажет соответствующие этому току значения /к р и 6кэ р (рис. 10.13, б).

Входная динамическая характеристика представляет собой зависимость входного тока от входного напряжения в динамическом режиме (рнс. 10.13, е).

Чтобы построить входную динамическую характеристику, нужно для каждого напряжения на коллекторе (для которого имеется статическая входная характеристика) определить по выходной динамической характеристике соответствующий ток базы. Затем иа входных статических характеристиках следует отметить точки, которые соответствуют найденным значениям токов базы. Если теперь соединить эти точки (А, Я, В на рис. 10.13, в) плавной кривой линией, то получим входную динамическую характеристику транзистора .

10.6. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ

Возможность усиления электрических сигналов с помощью транзистора была обоснована в параграфе 10.2. Рассмотрим теперь некоторые количественные показатели работы транзистора как усилителя для различных схем его включения.

На рис. 10.14 показаны три простейшие усилительные схемы при включении транзистора с общей базой (рис. 10.14, а), общим эмиттером (рис. 10.14, 6) и общим коллектором (рис. 10.14, в).

Основными показателями транзисторного усилительного каскада при любой схеме включения транзистора являются:

Коэффициент усиления по току

Ki = . (10.21)

1 Вследствие того, что входные статические характеристики транзистора располагаются густо, иногда для упрощения анализа работы и расчета транзисторного каскада входную динамическую характеристику не строят, а просто одну из входных статических характеристик, соответствуЕОЩую некоторому напряжению на коллекторе, отличному от нуля, принимают за динамическую.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [ 59 ] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112]

0.0009