Главная  Электронные лампы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [ 67 ] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112]

Время включения tn - BpeiMn с мотента подачи отпирающего импул1;еа, в течение которого напрян;ение на приборе уменьшается до 0,1 начального значения.

Время выключения U.w. - минимальное время, в течение которого на прибор должно подаваться запирающее напряжение для перевода пр!!бора из открытого состояния в запертое.

Необходимо отггетить, что параметры четырехслойных приборов могут сильно изменяться в интервале рабочих температур. Тиристоры имеют "стко выраженные переключающие свойства, позволяющие ис-пользогать их в сал(ых различных схемах автоматики и вычислительной тс\:;икп [2, 15, 41 ].

Отмс-тим также, что на основе четырехслойных переключающих прибо,)ов удалось создать фототиристор - быстродействующий и высокочувствительный переключатель, управляемый светом [37].

Контрольные вопросы и упражнения

!. пользуясь справочником [29, 42, 43], расшифруйте маркировку и произведите классификацию следующих приборов (но тину, мощности, частоте);

2v10ia, фт-], 1Т702А. 2П350Б, 2T60GA, ГТ1б9А, КТЗЗЗА, КТ317Б. КУ202Н, 1Т320А, 1Т403Д, 2ТИ7А, ГТ305А, ГТ806А, кт9пг, ГТ402Ж, 2Н102И, ФТГ-2, 2П201Г, 2Т317А, 2тмюза, кп101л КТ203Б. КТ7Г, КТ903А, КТ805А, 1т31 [Л, ГТ338В, KTI19A, КП201К, КПЗОЗИ,

j 4

9 10 11

и 14 15- 16 17


19 20 21

рис. 10.33. условные графические обозначения транзисторов и тиристоров.

2. Ня рис, 10.33 приведены условные графические обозначения транзисторов и тнрнстсров. укажите тип каждого прибора.

3. чем объясняется высокая надежность и экономичность современных транзисторов?

4. расскажите об известных вам разновидностях транзисторов по конструктивно-технологическому признаку,

5. чем оценивается эффективность эмиттера? найдите правильный вариант ответа:



1. Общим током эмиттера.

2. Концентрацией основных носителей заряда в эмиттере.

3. Отиошеиием дырочной составляющей эмиттерного тока к общему току эмиттера (для транзистора п-р - п).

4. Отношением тока эмиттера к току базы.

5. Отношением дырочной составляющей эмиттерного тока к общему току эмиттера (для транзистора р - п - р).

6. Объясните физический смысл коэффициента переноса носителей в базе.

7. Чем обусловлено появление обратного тока коллектора? Найдите правильный вариант ответа:

1. Основными носителями заряда в области коллектора.

2. Неосновными носителями заряда базы и коллектора.

3. Основными носителями заряда базы.

4. Правильного ответа нет.

8. Коэффициент передачи тока Р = 97. Найдите величину коэффициента пере-дачи тока а.

9. Чем объяснить принципиальную возможность усиления электрических сиг-ьалов с помощью транзистора?

10. Как объяснить название транзистора-«биполярный»?

И. Известно, что название «транзистор» получено от сочетания английских слов transfer (перенос) и resistor (сопротивление). Отражает ли это словосочетание идею работы транзистора?

12. Какой из р - п-переходов транзистора обычно имеет ббльшую площадь? Найдите правильный ответ:

1. Эмиттерный переход.

2. Коллекторный переход.

3. Площадь р - п-переходов в транзисторе одинакова.

13. Транзистор типа ГТ305А включен в схему с общим эмиттером. В каком режиме работает транзистор, если

t/gg - + 0,4 В и = - 10 В?

14. Расскажите о преимуществах схемы включения транзистора с обншм эмиттером.

15. Как называются статические характеристики транзистора, записанные в виде!

/б=/(бэ) "Р" Ujs const, = / (эб) "Р" кб const, к = Мкб) "Ри /э const, к/(кэ) пр" /б const?

16. Укажите области активного режима, отсечки и насыщения на статических характеристиках транзистора с общим эмиттером.

17. Составьте схему для снятия статических характеристик транзистора типа ГТ109А при его включении с общей базой.

18. Составьте схему для снятия статических характеристик транзистора IT403A при его включении с общим эмиттером.

19. Постройте динамические характеристики транзистора типа KT3I2B, если напряжение источника питания Е - 20 В, а сопротивление нагрузки в цепи коллектора Rjj - 500 Ом. Статические характеристики транзистора (для схемы с общим эмиттером) взять из справочника.

20. Объясните построение Г-образных эквивалентных схем транзистора.

21. Почему транзистор называют активны.ч четырехполюсником?

22. Какой из /i-параметров транзистора характеризует величину входного сопротивления? Найдите правильный ответ:

1) /i2iB-- 2) 121Э< 3) /1пб; 4) /(22э; 5) h,; 6) /1,,э; 7) /iig-

23. Почему /i-параметры транзисторов называют гибридными?

24. Найдите /гд-парамстры транзистора типа КТ316Д графическим путем по его статическим характеристикам (характеристики взять из справочника).



25. Найдите коэффициент передачи тока Р, если /tgiB I ~

26. В какой схеме включения-с общей базой или с общим эмиттером-коэффициент прямой передачи тока сильнее зависит от частоты?

27. Как1!с процессы определяют зависимость коэффициента переноса в базе <*т частоты?

28. Какая схема от,.1ичается большей температурной стабильностью - с общей базой или с общим эмиттером? Ответ объясните.

29. Что такое предельная частота /j?

30. Чем объяснить иска;ко]П1е фронта импульса коллекторного тока при рабою Транзистора в режиме ключа?

31. Рассканште об основных эксплуатационных параметрах биполярных транзисторов.

32. Укажите основные преимущества полевых транзисторов перед биполярными. Найдите правильный ответ:

1. Высокое входное сопротивление.

2. Более высокая граничная частота.

3. Больше дог[устпмая мощность, рассеиваемая прибором.

4. Меньше уровень шумов.

5. Проще конструктивное оформление.

6. Шире температурный режим работы.

7. Более стабильные параметры.

8. Меньшая стоимость.

33. Как называются характерисгики полевого транзистора, записанные виде:

с -1 (Ос) при = const.

34. "leM отличаются полевые транзисторы с р - «-переходом от транзисторов с изолированным затвором?

35. Объясните принцип работы и возможности практического применения одно-переходного транзистора.

36. Чем объяснить увеличение интегральной чувствительности фототранзистора по сравнению с фотодиодом?

37. Обьясните физический смысл вольт-амперной характеристики тиристора.

38. Приведите основные параметры приборов 2Н102А и 2У203Л и объясните их,

39. Назовите электровакуумные и ионные приборы, которые но своему 1ызнп-чению аналогичны изученным в данной главе полупроводниковым 1фиборам.

40. Составьте перечень ключевых слов к параграфам 10.2; 10.3; 10.5; 10-6; 10.11; 10.[4,



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [ 67 ] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112]

0.0014