Главная  Расчет источников питания 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [ 28 ] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40]

На базе ИМС К123УН1 можно выполнить избирательный низкочастотный ии литель. Дли этого в схему должны быть введены частогно-иэвнрательиые элементы ти па «- "ЛИ КС, включенные на входе, выходе пли в цепи обратной связи. На Soro на частому Чмг "Р"™" "i избирательного усилАия, настроен-


Норрекция а

С2 С}

J- то , 1100


о -Ри.п.г

Рис. 8,13. Принципиальная схема усилителя на ИМС К148УН1 (а) и тн-новая схема его включения (б)

""S!!?"""" Уичтель с выходной мощностью I Вт можно построить с помощью ИМС типа К148УН1 (рис. 8,13. о). Основные электрические параметры схе. напряжения источников питания = +12 В; С/. =-12 В (с дшустГьи клонепиями от номинальных значений ±10%); (;„<1,5 В; /„„, = 30 «А (при л = 0); Ки= 100...200 (при Г=25"С. 1= 1 кГц, (/„="о мВ); =

±30%; К, = 2,5,,.7 (при = 1 Вт; = 5,5 В; / = (0,1..,10) кГц); R„ =

1 10 кОм (при С/„ = 30 мВ, f=l кГц; /„ = 30 Twf 20 кГц (при С/„ = = 10 мВ); Кщ = 30 Ом,

Схема включения усилнтеля на ИМС К148УН1 приведена на рнс, 8.13, б. В уилнтелях мощности низкой частоты используется микросхема К174УН9 I* (рнс, 8.14, а). Номинальная выходная мощность усилителя равна 5 Вт при сопротив-[ лении нагрузки Rn = 4 Ом, Микросхема имеет защиту выхода от коротких замыканий и перегрузок.Номинальное напряжение питания схемы (/п"+18В ±10%. Основные электрические параметры усилителя; /пот = 30 глк (при t° = 25 "С и


Рнс, 8,14. Принципиальная схема \силИ1еля на ИМС К174УН9 (о) и типовая схема его включения (б)

ta, = 0); Л:г=1,„2% (при = (0.45.,.4.5) В: Я,,,,, = (0,05,.,5,0) Вт, / =

= 1 кГц); напряжение шумов на выходе (.ц, = 1,5 мВ; чувствитстьность 5 = 50,.. 120 мВ (при = 4,5 В, ; = 1 кГц); /„ = 40 Гц; = 20 кГц; = 100 кО».

Не допускается приме!1ение микросхемы без дополнительного теплоотвода. При температуре корпуса микросхемы выше бз" С максимальная рассеиваемая мощность Pf рассчитывается по формуле

™х= Скрт,, - .op)/fi.pKop. (8.14)

где (кртак - максимальная температура кристалла, прн которой гарантируется надежная работа ИМС (условно прпнимавот /jp 150 X); (р - температура



корпуса ИМС. измеренная на теплоотводе у основания корпуса; ~ тени-

сопротивление от кристалла к корпусу (Rfp кар 2 град/Вт).

Типовая схема включения усилителя иа ИМС К174УН9 приведена рнс. 8.14, 6.

-°га


А1 п Vfuc


Рис. 8.15. Принципиальная схема усилителя на ИМС К224УН17 (а) и типовая схема его включения (б)

Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью Pgj. = = 20Вт при R„= 4 0м может быть построен на ИЛС К224УН17 (рис. 8.15, я). Схема питается от источников напряжения C/j, = +24 В ± 10 % и С/„ j,, -24 В ± ± 10 %. Основные параметры схемы: 5 = 0,8 В (при Г = +25 X; С/ 9 В, /=1 кГц); Кг = 1.5% (при (вых 6,3 В, / = 1 кГц); диапазон частот н-(в = = (0i02...20) кГц (при неравномерности амплитудно-частотной характеристики Кцрдц = 3 дБ); i?Bs = 10 кОм. Схема включения усилителя показана на рнс. 8.15, б.

8.7. Интегральные схемы избирательных усилителей

В настоящее время выпускается несколько серий линейных гибридных ИМС, г специально предназначенных для радиотехнических и телевизионных устройств 1, 35]. Каждая из них содержит несколько разновидностей микросхем определенного назначения, например К224 для радиовещательной и телевизионной аппаратуры, К237 для радиовещательной и звукозаписывающей аппаратуры и т. д. Ниже приведе-у ны основные технические характеристики ИМС для избирательных усилителей, причем систематизированы они не по сериям, а по количеству примененных усилительных транзисторов [35).


Рис. 8.16. Избирательный усилитель на ИМС К2УС242:

принципиальная схема; б - вариант включения с ОЭ; в - варнаит чения с ОБ; г - вариант включения с ОЭ с одним источником питания

К однотранзисторным избирательным схемам относятся усилители на ИМС К2УС242, К2УС243, К2УС249 и К2УС281.

Принципиальная схема усилителя на ИМС К2УС242 приведена на рис. 8.16, й, в которой использован транзистор типа КТТ-5 с параметрами, близкими н пара-четрам транзистора КТ307 (А-Г): Я = 15 мВт; = 250 МГц; /?пер окр

= ЗХ/мВт; = (-60...+85)Х; Ur

= 10 В;

,= 10 В;

к = 4 В; /к

= 20 мА; /цБО<0.5 мкА; /12,э-- 20...80 (при (U

= I В; /ц- 10 мА); /кэОгр = В (при э 1 мА); кэ нас = 0-4 5; бэ н = 1,1 В (при /ц = 20 мА); /рз = 0,03 мкс; = 6 пФ; Сэ = 3 пФ.

На рис. 8.16, б, г показаны варианты включения усилителя при использовании транзистора с ОЭ, а на рис. 8.16, в - с ОБ. При С/см = +3 В ток эмиттера транзистора /э ?=; 1,6 мА (рис. 8.16, б и fl). При этом напряжение катлекторного источника питания и„„ = (+3,6...+9) В. На рис. 8.16, г показан варнан-» схемы с одним источником питания. В этом случае при „ = +9 В, /д да 1,6 мА. Основные влектриче-скив параметры ИМС К2УС242: /„о, < 1,8 мА; > 25 MiWB; R 150 Ом; /н 0,15 МГц; /в = 30 МГц.




Рнс. 8.17. Избирательный усилитель иа ИМС К2УС243: а - и1)ш!цт111лльная счема; б - вариант включения с ОЭ

Микросхема К2УС243 (рис. 8.17. а) предиазначека для использования а УВЧ и УПЧ УКВ ЧМ радиоприемников, однако может быть применена и в других типах усилителен высокой частоты и преобразователях в диапазоне 10...110 МГц. На рнс. 8,17, 6 показан вариант включения схемы с ОЭ, но на высоких частотах более целесбоб-разно транзистор включать по схеме с ОБ. Основные параметры ИМС: = Н-3.6...+9) В; С/ = +3 В ± 5 %; /от < 1-8 мА; > 25 мА/В; > 150 Ом; /н = 10 МГц; - НО Жп.

В микросхеме К2УС28! (рнс. 8.18, а) использован транзнстор КТ307. При напряжении питания U п = +6.3 В н = -6.3 В схема обеспечивает усиление сигнала в диапазоне /r,,./,, 0.5... ПО МГц, причем нижний предел ограничен емкостью внешних разделительного и блокировочного конденсаторов, а верхний - предельной частотой транзистора КТ307. Основные параметры схемы: f от 70 мВт; 5вА= (9.5...10.5 ) мАВ (при / =5МГц); 5вд = 7.5 мЛВ (при /= 60 МГц); = / = (3,2...4) мЛ; > 400 Ом (прн / 60 МГц); 7? < 50 кОм (при / - = 60 МГц).

Я16,2г( 5<Н


Избирательные ИМС с однотранзисторными усилительными элементами оелеео-

Г обралю использовать в усилителях с малым коэффициентом усиления или в сочетании 7 сдругимн ИМС для доведения коэффициента усиления до требуемого значения.

Типичными представителями двухтранзисторных избирательных усилителей могут служить ИМС серий К228, К224, К218 и др. [35). V2 R6100


50fi Щ

Рлс. 8.19. Избирательный усилитель на И.МС К2УС283; а - принципнальк.я схема; 6 - схема включения

Микросхема К2УС283 состоит из двух транзисторов КТ307, включенных по схеме ОЭ-ОБ (рнс. 8.19, а), и нескольких резисторов, необходимых для установки режима по постоянному току. Резистор/?6 в цепи коллектора транзистора 12 служит для обеспечения устойчивой работы усилнтеля. При напряжениях С/ п = +6,3 В н


Рис. 8.18, Избирательный усилитель на ИМС К2УС2811 а - принципиальная схема: б - вариант включения о ОБ

Я1 "ш.

Рис, 8,20. Избирательный усилитель на ИМС K2iC241:

Ucu = -6.3 в ток эмиттера каждого транзистора составляет 5 мА. Микросхему целесообразно использовать в \экоиолосных УВЧ и УПЧ в диапазоне 0,15,, ПО МГц. Основные параметры И,\Ю К2УС283: sj 70 .мВт; = (9,5„,10,5) мА/В

(при f = 5 МГц); 5вд = 7,5 мА.В (при / = 60 .МГц; /,( = /„ = (3,0...4,6) ыА; «„ > 400 Ом (прн / = 60 ,МГц); < 100 Ом (при / = 60 МГц).

Схема включения усилнтеля на И.МС К2УС283 приведена на рнс, 8,19. б.

В микросхеме К2УС241 (рис. 8,20, а) транзисторы также включены по схеыв ОЭ - ОБ. При Сил +12 В ток эмиттера 1,6 м.\; если замкнуть выводы



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [ 28 ] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40]

0.0008