Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [ 108 ] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

Отсюда следует, что длительность импульса и в этом случае зависит от величины входного сопротивления У?вх насыщенного транзистора. Поэтому для получения более стабильного значелия U рекомендуется включить последова-тепьно в цепь базы резистор с сопротивлением /?доп Rax- Предполагается, что при наличии /?доп, когда эквивапентное входное сопротивление транзистора /?вхэнв = Rb+Rnon, условие (6.1) удовлетворяется. Это условие, а также допустимая длительность фронта ср. ф-лу (6 8)] ограничивают У?доп сверху.

Для практических расчетов представляет интерес и упрощенное графо-ана-литическое решение ур-ния (6.10) [или соответственно (6.27)] при тр-с: тс. В этом случае можно считать транзистор безынерционным, т. е. Q{t)fiiXfh(t)\ подставив это соотношение и ф-лу (6.25) в (6.10), получим прнближешюе уравнение pie (О »к (О. корень t которого приближенно равен значению ta. Этот корень определяется абсциссой точки пересечения кривых р1б(0 и ihWi построенных на рис. 6.56 в соответствии с ф-лами (6.23) и (6.24а).


Рис. 6.5

В заключение заметим, что за время напряжение «с возрастает на величину

Аыс = \пЕк - Uc (0)] и достигает максимального значения

"с макс = "с (0) + АЫс,

(6.30) (6.31)

где Uc (0) = Ее - IoRe б, тс = С/?бх экв.

В тех случаях, когда можно принять /и достаточно большой,

так что е <С 1, запишем

"с макс п,,. (6.31а)



намагничивания в контуре ЬеСоЯшз (рис. 6.3), где, как уже отмечалось, через Rma обозначено эквивалентное сопротивление, шунтирующее контур ЬсСов; Ршэ = tiRm li nR4; nRm - приведенное к базовой цепи шунтирующее сопротивление

Учитывая, что постоянная составляющая напряжения на обмотках трансформатора должна быть равной нулю, легко убедиться в равенстве площадей обратного выброса Si и импульса S2 (рис. 6.16). Поэтому при уменьшении амплитуды обратного выброса одновременно увеличивается его длительность. Для случая

критического режима iRma-jl/амплитуда и длительность обратного выброса выражаются формулами (см. разд. 1.5):

== 0,37/6 „,кс VU/Соб = 0,74/6 „акс/?шэ, (6.32)

ta = 2л У LeC.,6 - SURujs = SLJRu,,, (6.32а>

где /б макс - значение приведенного к базовой обмотке намагничивающего тока в конце формирования вершины импульса, т, е;

> i /к макс f /г. orvv

J6 макс ----- *и. (Ь.бб}

И Rma - эквивалентное шунтирующее сопротивление, приведенное К коллекторной обмотке.

Амплитуда выброса на коллекторной обмотке

Af/K = AC/m/«. (6.34)

При этом напряжение между коллектором и эмиттером превышает значение : икмакс =£к + А£/тк, а максимальные напряжения между коллектором и базой и эмиттером и базой достигают значений:

I "кб макс I = (£к + Af/ ,) (1 + п), (6.35)

I "э6 макс I = (£к + At/к) п. (6.36)

Естественно, что максимальные напряжения на переходах не должны превышать (по абсолютной величине) допустимых значений.

Длительность восстановления. Конденсатор С, заряженный до уровня Ысмакс (6.31), разряжастся, как было отмечено выше, через резистор Re по цепи первого порядка; длительность восстановления Uoc, равная длительности разряда конденсатора ыс макс ДО уровня Ыс(/еос), опрсдсляется ф-лой (1.7):

/ 1п "с - "с макс 07ч

4ос-Тр1п ,(оо)-„,(,„,) (6.37)

где Тр = С/?б, «с(оо) равно напряжению Uc в установившемся (т. е. исходном) режиме; uci<x>) Ее - /коб, а Ыс(вос) - уровень напряжения, отличающегося от «с(оо) на 5%, т. е. Uc{hoc) = Е---/ко/?б + 0,05 Ыс макс-



Таким образом,

4ос = ReC In ""То"/"" = 3RdC In (l - Ep], (6.38)

""°"смакс \ «смаке /

В практических расчетах toc часто оценивают по формуле

<вос«(Зн-5)С/?б. (6.39)

6.2.3. ВЫБОР ПАРАМЕТРОВ ЖДУЩЕГО БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА

Исходные данные. Пусть требуется рассчитать блокинг-генератор, если заданы: /и - длительность формируемого импульса, Г„ип - минимальный период повторения запускающих импульсов, Rn - сопротивление нагрузки, итвыж - амплитуда напряжения на нагрузке, <°ин макс ~ рабочий диапазон температур. При расчете будем предполагать, что форма импульса близка к прямоугольной (т. е. длительность фронтов <C„ и <ф <С /„), и не будем уи-тывать инерционность транзистора в процессе формирования вершилы. Будем также полагать, что входное сопротивление насыщенного транзистора приближенно определяется так же, как и в активном режиме:

/?вх = -б + Р-э. (6.39а)

где Гэ [Ом] » 26 э [мА].

Выбор транзистора. Транзистор выбираем, как в ключевых схемах, по критериям быстродействия и надежности.

1. Требуем, чтобы у выбранного транзистора (0 02-f-0,05)<и, т. е

/„ХЗ- 10)/;„. (6.40)

Выполнение неравенства (6.40) позволяет считать импульсы прямоугольными, так как длительности фронтов 1ф, - величины порядка нескольких Ха {яля диффузионных транзисторов).

2. Амплитуда импульса напряжения на коллекторной обмотке Шк

и im ит вых/Пчу

где nK = w„/wK.

Напряжение источника коллекторного питания выбираем с учетом напряжения на насыщенном транзисторе:

£к = (1.05-4- 1,2)С/ш- (6.41)

Ток нагрузки (н = Um вых/Ra, Пересчитанный к коллекторной обмотке, равен:

н = «ни = n„U вык/н- (6-42)

Максимальный коллекторный ток /к мако отличается от на величину тока иамагничивания /к мако (в конце импульса) и приведенного тока базы ig:

кмакс = н + /кмакс + 4 (6-43)

•<В качестве предварительной оценки иногда принимают 1 (3 -f- 5) i.]

Выбрав Пи, вычисляем £«; при этом Пн не должен быть ни чрезмерно большим (что привело бы к большим значениям /к мако. ни чрезмерно малым (что .привело бы к большим значениям £„); обычно выбирают п„ в пределах 0,1 < «„ < 5.

При подключении нагрузки к коллектору через разделительный конденсатор принимается Пи = 1.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [ 108 ] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0064