Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [ 110 ] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

индуктивность базовой обмотки). При этом режим разряда емкости С будет колебательным и возникнет опасность ложного запуска блокинг-генератора во время второго полупериода колебаний. Для устранения этого явления необходимо включить дополнительный резистор между эмиттером Ti и базой Гг с таким сопротивлением /?доп, при котором обеспечивается апериодический режим разряда конденсатора С.

Возможны различные способы снятия импульса, формируемого блокинг-генератором. Прежде всего отметим широко применяемое на практике подключение нагрузки при помощи специальной обмотки Шн (см. рис. 6.1а). Помимо этого, выходной импульс может быть снят с электродов транзистора через разделительные емкости.

Для снятия выходных импульсов иногда используются дополнительные резисторы Rk, Rg (см. рис. 6.1а). Так как после запирания транзистора коллекторный и эмиттерный токи равны нулю (точнее, /ко и /во), в напряжениях, снимаемых с Rk, Rb, отсутствуют обратные выбросы, что желательно в ряде случаев.

В последнее время в блокинг-генераторах все более широко используются цифровые ИС; они выполняют роль ключей в управляющих устройствах; импульсный же трансформатор и другие вре-мязадающие элементы - навесные детали схемы.


Рис. 6.8

6.3. АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРЫ

Схема и принцип действия. Для получения автоколебательного режима в блокинг-генераторе необходимо выбрать напряжение смещения отрицательной полярности для транзистора типа р-п-р (рис. 6.8) и положительной - для транзистора типа п-р-п. При этом, очевидно, устойчивое исходное состояние невозможно, если выполняется условие возникновения регенеративного процесса (6.4).

Процессы в автоколебательном блокинг-генераторе мало отличаются от процессов в ждущем. После окончания формирования



вершины импульса и запирания транзистора (момент t = 0) конденсатор С оказывается заряженным до некоторого максимального напряжения Ысмакс; по мере разряда конденсатора через базовую обмотку трансформатора, источник Еб и резистор Re напряжение на базе транизстора па-дает, стремясь к уровню

Uc (оо) = иб{оо) = ~ [Ее+ 1 М- (6.54)

Рис. 6.9

в некоторый момент t = tn ue {tn) достигает такого уровня С/пор О, при котором транзистор отпирается и коэффициент усиления транзистора возрастает настолько, что коэффициент петлевого усиления (6 3) превосходит единицу; в этот момент начинается новый цикл работы блокинг-генератора: вновь формируется импульс, заряжается конденсатор С, и после запирания транзистора процесс повторяется.

Длительность периода автоколебаний Т складывается из длительности импульса <и (включая длительности фронтов) и длительности паузы tn. Т - = ta + tn. Длительность определяется так же, как в ждущем режиме. Длительность паузы определяется временем разряда конденсатора в цепи 1-го порядка:

»с(°°)-"смакс

п = С/?б1п

«с(°°)-«с(У

Ис(п) = «б(У = г/пор<0.

(6.55) (6.56)

так как

( -М

Согласно ф-ле (6.30) «с макс = Дс = "к \1 - е ) , теперь в момент начала формирования импульса напряжение на конденсатореыс(0) - 0. Сучетом ф-л (6.54) и (6.56) перепишем (6.55)

tn=-CR6\n

б + коб-

"с макс

(6.57)

Еб + /коо + I t/nop I

Если принять С/пор = 0 (практически t/nop б), то длитечь-ность паузы

/п = С/?б1п(

Еб + IkdR6 ) •

С макс

(6.58)

Заметим, что обычно ifn/и, и период автоколебаний Г -Для температурной стабилизации паузы выбирают, как и раньше, /?б£б/(5-МО)/„омакс.

Как видно из ф-л (6.57) и (6.58), с ростом Ев возрастает стабильность длительности паузы и периода автоколебаний; поэтому часто в качестве источника б выбирают источник достаточно большого напряжения к.



Для стабилизации периода автоколебаний применяют также стабилитрон Дг (рис. 6.8а); при эом за время напряжение на конденсаторе возрастает до стабильного постоянного уровня [Уст [предполагается, что

пЕк -и ст У

т. е. в отсутствие стабилитрона конденсатор заряжается за время tu до уровня t/смакс f/cT, НС зависящсго ОТ коэффициснта усиления транзистора р. При наличии стабилитрона длительность паузы определяется ф-лой (6.58), где вместо [/смаке следует записать Ост.

Для повышения стабильности длительности формируемого .импульса можно применить схему рис. 6.9, в которой часто вместо С включена линия задержки ЛЗ (обычно разомкнутая на конце).

Принцип работы схемы заключается в следующем. Перепад напряжения пЕ, появляющийся на базовой обмотке в процессе опрокидывания, делится между волновым сопротивлением ЛЗ и входным сопротивлением транзистора. Через время U - 2 (где ta - время задержки ЛЗ) ко входу ее возвратится отраженная с конца линии волна и напряжение на входных зажимах линии удвоится. Так как это напряжение относительно базы пололи-тельно, то при правильно выбранных параметрах в указанный момент происходит обратное опрокидывание. Таким образом, длительность формируемого импульса определяется свойствами ЛЗ и мало зависит от параметров блокинг-генератора.

Выбор параметров блокинг-генератора в автоколебательном режиме производится в основном так ле, как в ждущем режиме,

6.4. БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ ОБ

Схема ждущего блокинг-генератора на транзисторе ОБ изображена на рис. 6.10 (для получения автоколебательного режима полярность включения источника смещения Ед следует изменить на

обратную). Принцип работы схемы не отличается от рассмотренного выше принципа работы схемы ОЭ. Укажем только некоторые особенности схемы рис. 6.10.

1. Положительная обратная связь от коллектора к эмиттеру осуществляется здесь благодаря включению обмоток импульсного трансформатора в цепи коллектора и эмиттера; в результате запуска (или при Ыэб О в автоколебательном режиме) отпирается транзистор и возникает регеиератив-


Рис. 6.10



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [ 110 ] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0016