Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [ 125 ] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

Величина «бэ2о обычно на порядок превышает «khi. Поэтому можно полагать Ывыхо ~ мбэ2о- При изменении температуры в рабочем диапазоне величина ыбэ2о для заданного значения тока эмиттера {E/R) изменяется на 100 -i- 200 мВ. Таким образом, температурная стабильность начального уровня выходного напряжения в схеме рис. 8.106 оказывается хуже, чем в схеме рис. 8.10а.

Относительная температурная нестабильность Gq начального тока заряда конденсатора С здесь определяется двумя факторами-- нестабильностью начального тока стабилизатора 1нач и нестабильностью тока /к 0 1 транзистора Ti, запертого во время рабочего хода. Учитывая, что ток заряда ic, как это видно из схемы рис. 8.106, равен разности токов стабилизатора i и тока /koj, получаем с учетом ф-лы (8.43)

ое --£-----£--г (А/к02 - A-iKOi-e" [р.ЬУ)

где Ни АР2/Р2 и - соответствующие параметры транзистора [см. вывод ф-лы (8.46)].

Из ф-лы (8.69) следует, что в данной схеме возможна температурная компенсация влияния токов /кС1 и /ког обоих транзисторов. Это объясняется тем, что составляющей начального тока стабилизатора является ток /ког [см. ф-лу (8.42)]. При увеличении температуры растет ток /«ог и, следовательно, ток стабилизатора 1нач, но одновременно с этим растет ток /коь т. е. изменение тока заряда конденсатора С при этом уменьшается. Однако полной компенсации влияния токов /к 01 и /к 02 здссь, конечно, достигнуть не удается из-за разброса параметров транзисторов Ту и Т2 и неодинаковой зависимости токов /к oi и /к 02 от температуры.

8.6. ГЕНЕРАТОРЫ ЛИНЕЙНО ПАДАЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ

Рассмотрим генератор линейно падающего напряжения с отдельным источником напряжения в стабилизаторе тока (рис. 8.11). Работа схемы мало отличается от варианта, показанного на рис. 8.10а. Ключевой транзистор Ту в исходном состоянии открыт. Для его насыщения необходимо включить резистор Rk, причем

Rk>R6Ii. (8.70)

Величина Rk выбирается достаточно малой так, чтобы в исход-. ном состоянии на этом сопротивлении падало небольшое напряжение (1 -2 В). При этом так как Ыкн1 мало, конденсатор С будет заряжен до величины, близкой к Ек-

. «выхо = £к - «кHI - Ik..Rk Ек- ERJR. (8.71)

Можно, однако, в этой схеме отказаться от использования режима насыщения Г, и выбрать Rk = 0. При этом в исходном состоя-



НИИ транизстор Tt работает в активной области и

I «вых о I = jEk - "к э1 (8-72)

будет близко к Ек при достаточно малом значении Ыкэь

После запирания транзистора Ti входным импульсом конденсатор С разряжается практически по линейному закону через стабилизатор тока СТ. Для поддержания Г, в запертом состоянии во время рабочего хода амплитуда входного напряжения должна превышать амплитуду Um выходного напряжения. Длительность рабочего хода 7р

CUr,

(8.73)

нач " Е

Сразу после окончания входного импульса транзистор Г, отпирается и конденсатор С заряжается током

ic зар = /к1 - 1к2 = kl - EIR, (8.74)

где для случая Rk = О

«к! Pi «61 Р

(8.75)

С ростом Uc ток 1к1 и зарядный ность обратного хода определяется из формулы

Теперь очевидно, при заданных

Re + Rbvl э

ток ic зар уменьшаются. Длитель-

с зар

сокращение

значениях Гр,

длительности обратного хода Pi и выбранной величине начального тока стабилизатора /нач оказывается возможным лишь за счет уменьшения Re-

Другие показатели рассматриваемого варианта генератора (коэффициент нелинейности, влияние сопрол тивления нагрузки, температурная нестабильность начального тока стабилизато-: ра) це отличаются от соответствующих показателей схемы рис. 8.10а.

Отметим, что важным достоинством рассмотренных в разд. 8.5 и 8.6 схем является малая величина коэффициента нелинейности у, обусловленная отсутствием в составе самих схем сопротивлений, существенно шунтирующих стабилизатор тока или транзистор стабилизатора. По сравнению с простейшей схемой с зарядом через резистор здесь, помимо 384


Рис. 8.11



меньшего значения у, обеспечивается хорошее использование источника коллекторного питания.

Существенным недостатком схем рис. 8.10й и 8.11 является плохая нагрузочная способность из-за сильного влияния сопротивления нагрузки на величину коэффициента нелинейности. В этом смысле схема рис. 8.106 оказывается предпочтительней, однако в ней требуется изолированный от «земли» источник напряжения Е.

Наконец, общим недостатком всех трех рассмотренных в разд. 8.5 и 8.6 вариантов схем является необходимость в отдельном источнике напряжения Е.

8.7. КОМПЕНСАЦИОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ

Схема и принцип работы генератора. Схема генератора, приведенная на рис. 8.12а, относится к компенсационным схемам с положительной обратной связью (ПОС) и реализует


Рнс. 8.12

функциональную схему (рис. 8.9й); роль усилителя выполняет здесь эмиттерный повторитель на транзисторе Гг; транзистор Ту - ключевой. Вместе с тем, как показано ниже, во время рабочего хода конденсатор С заряжается через обычный стабилизатор тока СГ, в котором роль источника постоянного напряжения Е выполняет конденсатор большой емкости Се-

В исходном состоянии транзистор Ту насыщен благодаря достаточно большому току базы, протекающему через резистор R. Диод Д открыт, и через транзистор Ту, резистор R и диод протекает ток, приблизительно равный Ek/R. Конденсатор С при этом разряжен до напряжения Ыкш, близкого к нулю. Транзистор Гг вместе с элементами Ra и Ев можно в это время рассматривать как эмиттерный повторитель. При этом напряжение на выходе генератора Ывых оказывается также близким к нулю. Конденсатор Се в исходном состоянии заряжен до напряжения, равного разности потенциалов между точкой А и эмиттером Гг, т. е. его величина близка к Еа.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [ 125 ] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0021