Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [ 140 ] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

EIi-UiIi-l]R

(9.18)

Недостатками рассматриваемой схемы являются спад вершины формируемого импульса от U3 до U2 и необходимость использования низкоомного источника Е, так как сопротивление R, включающее в себя внутреннее сопротивление этого источника, должно удовлетворять условию (9.4).

Существуют схемы мультивибраторов, в значительной мере лишенные отмеченных недостатков.

9.2.3. ГИБРИДНЫЕ СХЕМЫ

Туннельные диоды применяются чаще всего в сочетании с другими полупроводниковыми приборами, прежде всего с транзисторами, а также с диодами с накоплением заряда.

Вык.

вх -

1-6 ТД

Рис. 9.8

В ТД-транзисторных (гибридных) схемах туннельные диоды служат для запоминания информации, для формирования стабильных по амплитуде и длительности импульсов с короткими фронтами и т. п., а транзисторы - для развязывания входных и выходных цепей, усиления сигналов и т. д.

В результате в гибридных схемах по сравнению с чисто ТД схемами возможны большие разбросы параметров, больше нагрузочная способность. Быстродействие гибридных схем, естественно, ниже, чем чистых ТД схем, однако выше, чем чисто транзисторных схем.

На практике используют различные варианты гибридных схем; некоторые из них рассматриваются ниже.

На рис. 9.8а приведена схема, в которой ТД включен на входе транзистора ОБ. ТД может находиться в одном из двух



устойчивых состояний, определяемых положением рабочих точек А и В на туннельной и диффузионной ветвях соответственно. В точке А напряжение на ТД не превышает 100 мВ и, следовательно, транзистор практически заперт. В точке В напряжение на ТД различных типов составляет 300 700 мВ и при этом транзистор открыт.

Переключение ТД приводит к переключению транзистора. Так как ТД переключается весьма быстро, то и скорость изменения входного тока транзистора весьма высока; поэтому время переключения этой схемы, определяемое инерционностью транзистора, может быть доведено до единиц наносекунд.

Особенно широко применяется гибридная схема, в которой используется транзистор ОЭ. Один вариант подобной схемы, служащей для формирования и усиления крутых перепадов напряжения, приведен на рис. 9.86. Здесь /о - ток смещения ТД, /з - запускающий импульс тока. Благодаря высокой скорости переключения ТД транзистор переключается в этой схеме намного быстрее, чем в отсутствие ТД.

9.3. ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ТИРИСТОРАХ

9.3.1. СВОЙСТВА И РЕЖИМЫ РАБОТЫ ТИРИСТОРОВ

Тиристоры - полупроводниковые приборы с четырехслойной р-/г-р-/г-структурой (рис. 9.9а). У тиристора три электронно-дырочных р-/г-перехода - П, Uz, Яз. Для удобства слои n и рг, по

Б, /7; 0-

6, Пз

Рис. 9.9

которым может осуществляться управление тиристором, называют базами Бу и Bz, слой Pi - анодом Л, слой tiz - катодом К, переходы Пу и Яз - эмиттерными, переход Яг - коллекторным.

Тиристоры с двумя выводами - Л и К - называются диодными тиристорами; их условное изображение дано на рис. 9.96. Тиристоры с тремя выводами -Л, К и Б - называются триод-ными тиристорами. Условное изображение триодного тиристора дано на рис. 9.9в. Электрод Б является выводом одной из баз и



служит для подачи дополнительного управляющего тока. Четы-рехслойная структура р-п-р-п может иметь два управляющих электрода-выводы из баз tii и рг, соответствующий прибор называется тетрадным тиристором (рис. 9.9г).

Статическая вольтамперная характеристика диодного тиристора приведена на рис. 9.10а. Участок / характеристики соответствует запертому состоянию тиристора. На этом участке центральный переход Яг смещен в обратном направлении, а переходы Я] и Яз -в прямом; на участке / дифференциальное сопротивление диодного тиристора г = Гз велико (десятки мегом), а ток мал v{единицы микроампер).

5) 1


ЕВьш RSB Вил "

Рис. 9.10

При увеличении тока на участке изменение напряжения весьма мало; в конце участка в точке А (/щш, вкл) сопротивление г обращается в нуль и затем, при определенном токе, становится отрицательным (участок III). В точке В (/выкл, выкл) начинается участок IV, где сопротивление г = Гвкл прибора положительно и мало; этот участок аналогичен вольтамперной характеристике обычного полупроводникового диода; на участке IV переходы Яь Яг, Яз смещены в прямом направлении. На обратной ветви характеристики (участок V) сопротивление положительно и по порядку величины равно сопротивлению на участке /. На участке V крайние переходы и Яз смещены в обратном направлении, а переход Яг - в прямом. При «обр > обр макс происходит необратимый пробой.

Статические характеристики триодного тиристора при различных значениях управляющего (базового) тока iy приведны на



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [ 140 ] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0012