Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [ 34 ] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

для транзистора типа п-р-п) возможно запирание транзистора и вследствие этого резкое возрастание длительности фронта выходного перепада. На рис. 2.27в приведены в качестве иллюстраций временные диаграммы напряжений при подаче на вход ЭП (рис. 2.276) перепадов напряжения; запаздывание установления выходного уровня напряжения - акт («бэ акт - напряжение база - эмиттер в активном режиме) может быть значительным (при значительной емкостной нагрузке).

2.3.5. ТРАНЗИСТОРНЫЙ Ойвыл КЛЮЧ-ЗВЕЗДА


-Su\,x в некоторых случаях (см., на-

пример, триггер с эмиттерной связью) в схеме ключа резисторы включены и в коллекторную, и в эмиттерную, и в базовую Рис. 2.28 цепи транзистора; подобный

ключ называют ключом-звездой (рис. 2.28). Для запирания транзистора требуется положительное входное напряжение Ывх > 0; для насыщения транзистора необходимо выполнить условие pi6 > ik. Считая насыщенный транзистор эквипотенциальной точкой, нетрудно последнее соотношение выразить в форме

,„ 1 (P-f 1)/?э + /?б о

2.3.6. КЛЮЧИ НА СОСТАВНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

В случаях, когда требуется повысить значение коэффициента усиления р, используется составной транзистор, представляющий собой комбинацию последовательно включенных транзисторов Ti и Тг (рис. 2.29). Так как эмиттерный ток транзистора Т\ служит одновременно током базы транзистора Т2, то коэффициент усиления Рс составного транзистора равен:

ЛгУс Аг,<1 -f Дгг Aki , АгУг (Р, + 1) р id 100 P-TI--aTS;-~-KI+-ДГ-+

где Pi и Рг- коэффициенты усиления транзисторов Г] и Гг.

Так как обычно Pi > 1, Рг » 1, то Рс ~ 12. Отсюда видно, что Рс может иметь значения сотен или тысяч при обычных значениях Pi, Рг порядка нескольких десятков. Однако следует иметь в виду, что р зависит от коллекторного (или эмиттерного) тока транзистора; поэтому если Ti и - однотипные транзисторы, то, так как 1э1 = 1б2 < 1э2, может быть Рг <С Рь Целесообразно в качестве Тг выбирать более мощный транзистор; и Гг следует выбирать



таким образом, чтобы при заданном выходном токе /кнс /кн2 величина Рс = Р1Р2 была максимальной.

Тепловой ток коллекторной цепи составного транзистора /кос ~ /ко2, так как Гг - более мощный транзистор. Таким образом,, отношение /кос/Рс У составного транзистора меньше, чем соответствующее отношение у отдельных транзисторов, и в этом смысле-применение составного транзистора для построения ключей более эффективно.

На рис. 2.296 приведена схема ключа на составном транзисторе-(КСТ). В исходном состоянии КСТ заперт; транзистор Л заперт напряжением на диоде Дь а транзистор Т2 - напряжением на 2-

. I

НС


Рис. 2.29

При подаче на вход Т\ отпирающего перепада тока возрастают 1к1, 1к2, кс; зная переходные характеристики для отдельных транзисторов, можно найти 1кс(0 и определить длительность фронта включения КСТ интервалом времени от О до момента достижения

где Si - степень насы-

гкс величины /кнс ~ EJR,: tф Tg щения Гь

Из этой формулы видно, что fф у КСТ в раз больше длительности соответствующего фронта в ключе на одном транзисторе Ti.

После включения КСТ транзистор Ti оказывается в режиме насыщения, а транзистор - в активном режиме, так как всегда (и в режиме насыщения Ti) Ыкэ1 < О и, следовательно, «кб2 < 0.

При подаче на вход КСТ запирающего перепада тока длительность рассасывания в КСТ практически совпадает с длительностью рассасывания в транзисторе.

Длительность 4 фронта выключения КСТ существенно больше

кнс»



2.3.7. КЛЮЧИ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ

Схема ключа на электронной лампе с анодной нагрузкой приведена на рис. 2.30. В статическом режиме лампа работает либо в режиме отсечки токов, либо в режиме ограничения анодного тока (рис. 2.306).

Режим отсечки имеет место при условии, что напряжение Ug на управляющей сетке отрицательно и меньше потенциала запирания лампы {ug = uj < Ego), при этом токи лампы равны нулю

и Ывых = Иа = Еа.


Рис. 2.30

Режим ограничения анодного тока имеет место либо в результате сеточного ограничения, либо за счет перехода лампы в критический режим. Сеточное ограничение может наступить при положительном входном напряжении; при Wg > О и при условии, что Rg Rgn (RgK - сопротивление сетка - катод при % > 0), можно считать, что напряжение между сеткой и катодом зафиксировано на нулевом уровне {ug ««0). При этом анодное напряжение Ыа и анодный ток ia ограничены значениями Wa = tao, ia = fao- Ограничение анодного тока (и анодного напряжения) возможно и по другой причине -за счет верхнего изгиба анодно-сеточной характеристики, обусловленного переходом лампы в критический режим. Однако практически всегда R > Rg, и ограничение за счет верхнего изгиба анодно-сеточной характеристики возможно только тогда, когда критический режим наступает при Ug < О, т. е. в случае применения пентода и достаточно большого сопротивления анодной нагрузки (последнее встречается редко).



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [ 34 ] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0013