Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [ 39 ] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0-Е.

0-м:


8) в


r~ "




гз,е ujR = i = in - пересчитанный к первичной обмотке ток нагрузки. Так как ы, = L и, с другой стороны, щ = £к-I "J =

= const, то ток намагничивания / возрастает по линейному закону:

; £к-Ик„

и согласно ф-ле (2.88)

к1,>,= ~""+ -4 + -. (2.89)

Причем для упрощения записи пренебрегаем величиной ыкп по сравнению с

Условие насыщения транзистора записывается в виде р/б >

> 1к, или, учитывая (2.89) и считая ie = /б, Р/б > - + -%- -

По мере роста гк уменьшается степень насыщения транзистора. Для того чтобы транзистор оставался в режиме насыщения вплоть до момента окончания входного импульса и в момент = вх режим работы соответствовал бы границе насыщения, последнее условие должно быть выполнено для наихудшего случая, т. е. при

вх = вх макс

Рм„„/=-„вхмакс+-. (2-90)

После завершения входного импульса (/ > tz) коллекторный ток продолжает возрастать за счет роста тока намагничивания (и при этом продолжается рассасывание избыточного заряда в базе) до тех пор, пока транзистор не выйдет из режима насыщения; задержка в выключении транзистора определяется превышением величины р/б над реальным коллекторным током /кг в момент t = t2 = ивх- Это превышение может быть обусловлено разбросом параметров схемы: р, /б, нагрузки /?„ и длительности входного импульса вх.

Оценим приблизительно интервал At - t-p рассасывания избыточного заряда; в момент tz = вх

г Ек f I Ек

За счет роста коллекторного тока уровень граничного заряда из-меняется на величину Ха- At и за счет обратного тока базы (будем его считать постоянными равным /б) удаляется заряд/б/Д.



Следовательно, -с„ (р/ - /,2) = + та "Т

А = т„--5-(2.91)

Важно отметить, что с уменьшением индуктивности намагничивания L уменьшается задержка At в выключении транзистора; это очевидно, так как при уменьшении L возрастает скорость EJL роста тока намагничивания и поэтому за время ивх величина граничного заряда увеличивается в большей степени. Вместе с тем уменьшение L кладет предел ивх, так как при малом значении L возможен выход транзистора из насыщения при <ивх-

После выхода из насыщения в течение времени коллекторный ток падает почти до нуля и транзистор запирается. Эквива-, лентная схема коллекторной цепи после запирания транзистора имеет вид, показанный на рис. 2.346, где Со - эквивалентная паразитная емкость.

Процесс спада тока намагничивания / имеет апериодический или колебательный характер в зависимости от соотношения пара-; метров контура Со, L, R. Как видно на рис. 2.37в, напряжение Ui во время апериодического процесса (или в течение первого полу-ji, периода колебательного процесса) имеет отрицательную поляр-? ность, так как ток / проходит через Со сверху вниз. Поэтому иа-j пряжение на коллекторе Ык = -£к + «i имеет выброс и может до-g стигнуть уровня, значительно превышающего допустимый t/кдоп.

Для защиты транзистора от пробоя необходимо уменьшить ве- личину выброса, и с этой целью можно включить шунтирующую цепочку Д, Рш, показанную на рис. 2.37с, б пунктиром; при форми-ровании импульса диод заперт (так как Ui > 0) и шунтирующая цепочка роли не играет; в режиме восстановления, при запертом транзисторе, диод отпирается («i< 0) и эквивалентное шунтирующее сопротивление

RmsKs = Rm\\Rn. (2.92)

Если R

шэкв - 9 "1/ » ТО режим в контуре критический if амплитуда выброса напряжения на коллекторе [см. ф-лу (1.39)] fmo = 0,74/макс/?шэкв, 1"де /макс - намагничивающий ток в момент запирания транзистора; практически можно считать /„а„с равным току намагничивания в момент 2 = ивх завершения входного импульса.

Длительность выброса [ср. ф-лу (1.40)]

0 ==== 2я V LCo « 3LfR экв.

Заметим, что площади обратного выброса и импульса Ui(t) равны (заштрихованные участки на рис. 2.37в), так как постоянная

и 127



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [ 39 ] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0011