Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [ 67 ] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

Согласно ф-ле (1.7)

в частном случае, при В = Е",

4 = СоРон1п2«.0,7СоРон.

Параллельный диодный ограничитель по сравнению с последовательным обычно обеспечивает худшую четкость ограничения. Действительно, в параллельной схеме четкость ограничения определяется отношением Rnv/Ro, в последовательной - отношением Ro6v/R; неравенство RoCvl R практически оказывается более сильным, чем неравенство Рпр <. Ro- Другим недостатком схемы


Рис. 3.6

параллельного диодного ограничителя является необходимость иметь малое внутреннее сопротивление источника напряжения Е. Кроме того, в параллельной схеме при запертом диоде вход и выход разделены большим сопротивлением Ro и для выделения сигнала в нагрузке без существенного ослабления необходимо, чтобы входное сопротивление нагрузки Рн значительно превосходило сопротивление Ro, что не всегда имеет место. С другой стороны, последовательная схема обладает тем недостатком, что на высоких частотах и при крутых перепадах напряжения проходная емкость диода создает в режиме ограничения (при запертом диоде) паразитную связь между входом и выходом.

Двусторонние диодные ограничители. Двусторонний диодный ограничитель можно получить путем соединения односторонних ограничителей. Для этого могут использоваться



схемы как с последовательным, так и с параллельным ограничениями.

На рис. 3.7 приведены схемы двустороннего последовательного ограничителя и соответствующая временная диаграмма. При

отсутствии внешнего сигна-


ла диод Дг открыт {Ег>Е{). Верхний уровень ограничения определяется величиной Е2, а нижний - величиной Ни равной потенциалу катода, при котором отпирается диод 1: l/i «>

При Ывх < Ui диод Д1 закрыт, D2 открыт и Ыпых Vi.

При f/i < «вх < £2 ®ба диода открыты и «вых «вх-

При Ивх > Е2 диод Дг заперт и Ывьтх Ег,

В схеме рис. 3.7б опорные напряжения создаются общим источником смещения Е; пересчет схемы рис. 3.7 е в схему рис. 3.7 а производится по формулам:

= II/?Г; R2 = R!i\\mi


Рис. 3.7

2 = 77

Е.

R2 + 2

Схема двустороннего параллельного ограничителя и соответствующие диаграммы приведены на рис. 3.8.

3.1.3. УСИЛИТЕЛИ-ОГРАНИЧИТЕЛИ

Транзисторный ключ ОЭ (рис. 2.12), рассмотренный в гл. 2, является примером усилителя-ограничителя, имеющего два порога ограничения: первый порог определяется уровнем входного напряжения Ывх(0. при котором транзистор заперт, а второй - уровнем Ывх(0> при котором транзистор насыщен.



в режимах отсечки и насыщения коэффициент передачи равен нулю (/Согр»0), выходное напряжение практически не зависит от входного и равно: Мкз = -/ко/?к « £к в режиме отсечки и «кн » О в режиме насыщения. Вследствие инерционности транзистора длительность выходного импульса больще длительности входного. Для уменьшения степени насыщения или предотвращения насыщения включенного транзистора используется входная цепь с ускоряющей емкостью (см. параграф 2.2.3) или нелинейная отрицательная обратная связь (см. параграф 2.3.4).

Усилитель-ограничитель в режиме двустороннего ограничения часто применяется для формирования из синусоидального напряжения импульсов с крутыми фронтами, при этом рабочая точка (при Мвх = 0) выбирается вблизи уровня Нк=£к/2. В таком случае ограничителем пропускаются -Ez наиболее крутые участки синусоиды и при большом коэффициенте усиления выходные импульсы обладают короткими фронтами.

В качестве усилителя-ограничителя широко применяется ключ ОЭ с трансформаторным выходом, рассмотренный в гл. 2. Основные расчетные соотноше-; ния для усилителей-ограничителей такие же, как в соответствующих схемах ключей; они приведены в гл. 2.

Усилители-ограничители на многоэлектродных лампах не от-, личаются по схеме от рассмотренных в гл. 2 ламповых ключей. Ограничение получают за счет отсечки анодного тока (при напряжении иа сетке лампы, меньшем потенциала Eg запирания лампы), а также за счет появления сеточных токов (сеточное ограничение) или за счет верхнего изгиба анодно-сеточиой характеристики, обусловленного переходом лампы в область критического режима (анодное ограничение).

3.1.4. ПРИМЕНЕНИЕ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ


Рис. 3.8

Ограничители являются основными элементами многих импульсных устройств; они применяются для:

- формирования импульсов стандартной амплитуды путем ограничения входной последовательности импульсов некоторым заданным уровнем (рис. 3.9);



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [ 67 ] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0017