Главная  Линейные элементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [ 84 ] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

и выбором соотношения RUiRi + Ri) можно установить на диоде требуемую величину напряжения «дюбр (порядка -0,5 В).

При положительном перепаде напряжения ei с амплитудой f/i>%io6p ток, запирающий насыщенный транзистор Гг, проходит через конденсаторы Ci и Сз, диод Дх и базу транзистора Гг. Таким образом, положительный импульс на входе ei производит на триггер схемы рис. 4.9а такое же действие, как положительный импульс на входе ег в схеме рис. 4.8а. Но чувствительность


триггера при запуске на коллекторы значительно ниже чувствительности при запуске на базы, так как в первом случае ток в базу насыщенного транзистора проходит, кроме диода Д1 и конденсатора Ci, еще через конденсатор С3. Чтобы этот ток уменьшался сравнительно медленно (что требуется для ускорения процесса рассасывания в транзисторе Гг), ускоряющие емкости Сз и С4 в этой схеме приходится брать большими, чем в схеме рис. 4.8; это снижает разрешающую способность триггера.

На рис. 4.96 изображена схема триггера с запуском через дополнительные транзисторы Tl и Гг, которые в исходном состоя-йии заперты при помощи источника Ее. Если транзистор Г3 в исходном состоянии заперт, то при отпирании транзистора Ti вход-



ным отрицательным импульсом напряжение на коллекторе транзистора Гз уменьшается по абсолютной величине, что приводит в конечном счете к выходу транзистора Г4 из режима насыщения и к опрокидыванию триггера.

Использование дополнительных транзисторов в цепях запуска оправдано тем, что резко повышается чувствительность триггера. Такие схемы запуска применяются, в частности, в интегральных триггерах с непосредственными связями.

4.5.2. СХЕМЫ ОБЩЕГО ЗАПУСКА

Схемы общего запуска на базы

Схема общего (счетного) запуска на базы показана на рис. 4.10а. Пусть в исходном состоянии транзистор Г насыщен, «61 = -0,3 В, «к1 = -0,1 В, а транзистор Гг заперт, «52 = +0,5 В,


Rz и.


Рис. 4.10

Ик2 - -8 В. Тогда диод Д1 в исходном состоянии открыт, так как «к1 > «61. а диод Дг заперт напряжением «д2 == Нк2 - /до/?2 - «62 « Нп2 - «62 = -8,5 В, где /до -обратный ток этого диода. Положительный запускающий импульс пройдет только через диод Д\ на базу насыщенного Ту и вызовет опрокидывание схемы.

Казалось бы, в этой схеме есть опасность двойного срабатывания триггера от одного входного импульса, если сразу после опрокидывания триггера откроется диод Да, а входной импульс к этому времени еще не закончится. Но отпирание диода Дг происходит не сразу, а лишь после того, как разрядится конденсатор Сг. Если учесть к тому же, что длительность укороченного импульса, действующего на катод "диода Дг, тоже определяется временем разряда конденсатора Сг (через резистор Rz, насыщенный к этому моменту времени транзистор Гг и генератор е{), то Станет ясно, что двойное срабатывание триггера от одного входного импульса не произойдет.



к моменту следующего запуска конденсаторы Ci и С2 должны успеть полностью перезарядиться, диод Д] окажется при этом запертым, а диод Дг - открытым. Поэтому следующий импульс пройдет через диод Дг и вызовет опрокидывание схемы.

Рассмотрим другой вариант схемы запуска, изображенный на рис. 4.106. В этой схеме оба диода в исходном состоянии заперты, но разница в обратных напряжениях на них сравнительно небольшая (она определяется различием напряжений «6i и Ыбг)- Пусть, к примеру, транзистор Ti в исходном состоянии насыщен и напряжение «61 = -0,3 В, а транзистор Гг заперт и «62== +0,4 В. Тогда при £1 = 0,56 и сравнительно малых обратных токах диодов «д1 = -«61 - Ei = -0,2 В и «дг = -«62 - Ei = -0,9 В.

Во время действия положительного входного импульса оба диода оказываются открытыми-либо сразу, если амплитуда импульса C/i > «дг = 0,9 В, либо с некоторой задержкой, после того как напряжение «kiJ при запирании Ti увеличивается, - это приведет к тому, что «бг станет отрицательным. Таким образом, в этой схеме входной импульс всегда запирает оба транзистора и опрокидывание ее может начаться только после окончания этого импульса. Поэтому процесс опрокидывания происходит не под действием входного импульса, как во всех предыдущих схемах запуска, а только в результате электрической асимметрии схемы и, следовательно, есть опасность того, что триггер не опрокинется.

Можно показать, что если конденсатор С не успевает зарядиться за время действия входного импульса (до опрокидывания напряжение на нем при «ki = -0,1 В было равно и, = - «1 ~Ь

+ «g2 = 0,5В -С и„ = - к2~Ь"б1 ~Ь Е, то по окончании входного

импульса ток заряда конденсатора С будет отпирать транзистор Гг первым и это приведет к опрокидыванию схемы. Таким образом, конденсаторы С и С" в этой схеме должны иметь большую емкость, чтобы напряжения на них не успели существенно измениться за время действия входного импульса. Эти емкости «запоминают» на время действия входного импульса те напряжения, которые были на них до запуска, поэтому в такой схеме их называют «запоминающими».

Увеличение емкостей конденсаторов С и С" в схеме рис. 4.106 по сравнению со схемой рис. 4.10а приводит к снижению разрешающей способности триггера. Схема запуска рис. 4.106 (получившая одно время широкое распространение) в настоящее время почти не применяется, так как уступает схеме рис. 4.10а по надежности работы и быстродействию.

Подача входного импульса только на базу открытого транзистора осуществляется благодаря использованию в схеме рис. 4.10а резисторно-диодных управляемых вентилей, т. е. схем типа И. Один из этих вентилей составлен из диода Д] и резистора Ru а другой -из диода Дг и резистора Rz. Именно благодаря управляющим вентилям общий запуск в схеме рис. 4.10а реализуется



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [ 84 ] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162]

0.0014