Главная  Использование коротковолнового диапазона 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [ 10 ] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

Габаритные размеры и относительные спектральные характеристики чувствительности фоторезисторов на основе сульфида кадмия

cpCf<-0, (PCH-Ia

---

! <Раточу1спВительиый

, Элемент

1 -i

Электроды

К5±0.5

ФСН-1, <PCK-MJ


(рсК-2

&2Ч.

Ш5±0,5

"XT

2S±0.

ipCK-3

0/6-°

-e-»-


Вариант I


Bapuafi/n JT


Вид A

/8/пах


Si 02

<PCK5


ЦЗСК-1... тн-5

JjTK,Я„акс 0,S±0,06мкм


ФСН-М1

ш*.ео.5±о,01мт

0,3 S,f 0,5 D,8 0,7%,мкм


Л.шм

<?CK-M2


ФСН-М2


0,5 t\mkm




ФСК7а, ФСН75


ФСК-па, РСК-Г75

Ш-7а

Ф0К-7в



Сбеточувст-бительшй

ФСК-П

Фск-7а,б. Фск-Па,б

90 80 70 50 50 40 30 20 Ю

1 . \

Л-1-1-н

а 10

0,5 0,5 0,7 0,8Я,нкм


<Р22

ФСК-Г2

ФСК-П, ФСК-П


70 60 50 W J0 20 10 О

0,t 0,5 0,S OJ 0,8 Х,шн

ФСК-nta


<PGH-nia,

as..

70 SO 50

30 20 10 0

0.if 0,5 0,S OJ 0,8Я.,тм

G<P2-2

СФ2-2


0,2 0, 0,6 0,8 %,MKH



CPZ-S 8+0,1


СФг-9

S,8 W 070,7

СФ2-16


CPZ-S

SO 80 70 60 50

30 20 10 D


0,3 0,f 0,5 0,6 0,7 %,MKM

CPZ-g

Ф8±0,3

Ф8-о,г



СФ2-, СФ2-а, СФ2-3, СФ2-П, СФ2-/б

30 80 70 SO SB W

20 10

1 \

CVZ-JZ

.08 ±0,3


iSirH. оти.еО.

<РР-76

1--.--

. J 1

>ч.....

от с б

В,55±0,03ин

LZl 1

CP2-IS

0,2 0.3 O.if 0.5 S,S D,7K,mh4


ФПЧ-УА, ФПСР-7Б, ФПР-ТВ,

2lmax срПср-7-1

<7}р-;гз, ФПФ-7-2

Ofi 0,5 0,5 0,7 ОДХ.тм


VomotySsmSume/jb чый



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [ 10 ] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

0.0008