Главная  Использование коротковолнового диапазона 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [ 21 ] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

Габаритные размеры ФПУ-31, ФЛУ-34


04-3

ФПУзг


4.8. Фоточугствительные приборы с переносом заряда ФПЗС1Л, ФПЗС1Л-1

Преобразователи линейные ФПЗС1Л представляют собой многоэлсмснтные кремниевые фотоэлектрические приборы с самосканированием на принципе пе-

реноса заряда. Приборы предназначены для использования в измерительной оптико-элект рои ной аппаратуре и устройствах автоматической оптической фокусировки, работающих в диапазоне длин волн от 0,5 до 1 мкм.

Преобразователи выполнены в стандартном металлокерамическом корпусе, имеющем стеклянное входное окно. Линейная структура, изготовленная в виде бомьшой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Преобразователи ФПЗС1Л и ФПЗС1Л-! различаются между собой только величиной интегральной вольтовой чувствительности

Габаритные размеры преобразовагелей по корпусу без выводов составляют 3,3X14,7X29,5 мм. Масса прибора не более 5 г.

Организация преобразователей. Преобразователи представляют собой линейные многоэлементные фотоприемиые структуры, состоящие из двух регистров сдвига с поверхностным переносом заряда и четырехфазным управлением. Каждый регистр содержит по 500 фоточувствителышх элементов, разнесенных на 20 мкм в направлении, перпендикулярном переносу заряда. Размеры элемента 24 мкм в направлении переноса заряда и 200 мкм в перпендикулярном направлении.

Наименьший шаг пространственпой дискретизации в каждом регистре составляет 3 мкм. Регистры смещены относительно друг друга на 1,5 мкм в направлении переноса. Воз.можно одновременное считывание сигналов двух строк изображения с мультиплексных выходов 3,4 и параллельное считывание сигналов двух строк изображения с раздельным обт-емом с выходов 1 и 2. Каждый из выходов можно использовать для ввода заряда в регистр. Обозначение выводов ФПЗС1Л дано в табл. 4.28

Таблица 4.28

Вывод


Наименование

Сток выходов 3, 4 Слив выхода 3

Разделительный электрод выходов 3, 4 Подложка

Четвертые фазные электроды

Третьи фазные электроды

Исток выходного транзистора 1

Сток выходного транзистора 1

Затвор сбросового транзистора выхода 1

Сток сбросового транзистора выхода 1

Слив выходов 1, 2

Сток выходов 1, 2

Разделительный электрод выходов 1, 2 Сток сбросового транзистора выхода 2 Затвор сбросового транзистора выхода 2 Исток выходного транзистора 2 Сток выходного транзистора 2 Вторые фазные электроды Первые фазные электроды Исток выходного транзистора выходов 3, 4 Сток выходного транзистора выходов 3, 4 Затвор сбросового транзистора выходов 3. 4 Сток сбросового транзистора выходов 3, 4 Слив выхода 4



Основные фотоэлектрические параметры прн температуре (20±5) °С

Диапазон спектральной чувствительности, мкм.......0,5 ... 1,0

Максимум спектральной чувствительности, мкм......0,7 ... 0,8

Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А» мВ/лк, не менее:

ФПЗС 1Л...............3,0

ФПЗС1Л-1...............20,0

Максимальная экспозиция, лк-с, не более.......0,35

Напряжение сигнала насыщения. В, не менее.......1,5

Динамический диапазон выходного сигнала, дБ, не менее . .50

Неравномерность напряжения светового сигнала, %, не более . . 10 Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, не более . . 10

Электрические параметры и режимы работы, при которых обеспечиваются упомянутые выще фотоэлектрические параметры, приведены в табл. 4.29.

Габаритные размеры и относительная спектральная характеристика чувствительности


Лк,»,.=0,8..:0,88мии

0.5 0.6 0,7 0,8 0,3 г,мт

ФПЗС1М-Л, ФПЗС1М-Б, ФПЗСШ-В

Таблица 4.29

Электрические параметры и режимы

Навменоваине параметра, единица измерения

Значение параметра

Вывод

Постоянное напряжение на подложке, В

15. .

Верхний уровень импульсов регистров и электрода

12..

3,5,6,18,19

переноса, В

3.5,6,18,19

Нижний уровень импульсов регистров и электрода

переноса, В

15..

Верхний уровень импульсов входного диода, В

Нижний уровень импульсов входного диода, В

0. .

Постоянное напряжение на разделительном элек-

2,24

троде, В

Постоянное напряжение на входном электроде, В

Верхний уровень импульсов на затворе сбросового

9.15

Транзистора, В

9,15

Нижний уровень импульсов на затворе сбросового

- 10..

транзистора, В

Постоянное напряжение на стоке сбросового транзи-

10,14

стора и экранирующем электроде, В

12..

Верхний уровень импульсов на электроде слива, В

Нижний уровень импульсов на электроде слива, В

0. .

Постоянное напряжение на выходном диоде, В

Постоянное напряжение на затворе входного тран-

-5..

зистора, В

Постоянное напряжение на истоке (стоке) выход-

7,17

ных транзисторов, В

Постоянный ток стока (истока) выходных транзи-

0,2..

.1,0

8,16

сторов, мА

Постоянное напряжение на барьерном электроде, В

10,.

. 15

Преобразователи представляют собой многоэлементные фотоэлектрические приборы с самосканированием на принципе переноса заряда. Приборы предназначены для использования в передающей аппаратуре черно-белого телевидения, работающей в спектральном диапазоне длин волн от 0,48 до 1,0 мкм.

Преобразователи выполнены в стандартном металлостек.иянном корпусе типа 421-48-3. В крыще корпуса имеется стеклянное входное окно. Фотоприем-яая матрица, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Преобразователи ФПЗС1М-А, ФПЗСШ-Б и ФПЗС1М-В различаются между собой числом допустимых дефектных площадок.

Габаритные размеры преобразователей по корпусу без выводов составляют 4,8X24x36,5 мм. Масса прибора не более 14 г.

Организация преобразователя. Преобразователи представляют собой фотоприемную матрицу с числом элементов 512X576. Матрица содержит секцию накопления, секцию памяти, верхний и нижний выходные регистры. Регистры имеют свои входные устройства и устройства формирования выходного сигнала. Преобразователи построены на приборах с зарядовой связью. Схема питания матрицы трехфазная, с кадровым переносом накопленной информации. Вывод зарядов осуществляется через регистр, примыкающий к секции памяти. Верхняя й нижняя половины матрицы симметричны. Любая из половин может служить Kajc для накопления, так и для хранения зарядов, что позволяет выбирать оптимальное положение матрицы, при котором воспроизводимое изображение пояучается наилучшим.

При работе преобразователя в телевизионном режиме принимаемое изображение проецируют на секцию накопления.

Размер секции накопления или секции памяти 6,91X9,22 мм.

Размер фоточувствительного элемента 24X18 мкм.

Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл, 4.30.



Вывод

Нанмеиов:;ние

2,27 3,26 4,25 5,24 6.23 7,22 8,21 9,40 10,39 11,38 12,37 13,36 14,35 15,34 16,41 17,42 18,43 19,44 20,45 21,46 22,47

Подложка

Вторые выходные затворы

Первые выходные затворы

Сток (исток) выходного транзистора регистра

Затвор сбросового транзистора

Сток выходного регистра

Исток (сток) выходного транзистора регистра

Первые фазные электроды секции памяти

Вторые фазные электроды секции памяти

Третьи фазные электроды секции памяти

Разделительный электрод

Третьи фазные электроды секции накопления

Первые фазные электроды секции накопления

Вторые фазные электроды секции накопления

Вторые входные затворы

Первые входные затворы

Исток выходного регистра

Третьи фазные электроды выходного регистра

Вторые фазные электроды выходного регистра

Первые фазные электроды входного регистра

Подложка

Таблица 4.31

Наименование пара.четра, единица измерения

Значение параметра

Выводы

Постоянное напряжение на подложке, В Уровень накопления, В Уровень обогащения, В Нижний уровень импульсов вертикального переноса, В

Верхний уровень импульсов вертикального переноса, В

Нижний уровень импульсов выходного регистра, В

Верхний уровень импульсов выходного регистра, В

Постоянное напряжение на стоке, В Постоянное напряжение фона, В Постоянное напряжение на разделительных электродах выходного регистра, В Рабочий ток выходного транзистора, мА

2, 22, 27, 47

14, 15, 34, 35, 36

14, 15, 34, 35, 36

1,5..

.7,5

14, 15, 34, 35, 36,

10, 11, 37, 38, 39

..18

10, 11, 37, 38, 39.

14, 15, 34, 35, 36

1,5.;

.7,5

20, 21, 45, 46, 47

12..

20, 21, 45, 46, 47

10..

7,22

3,5..

.10,5

16,17, 41, 42

12.37

8,21

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С

Диапазон спектральной чувствительности, мкм......0,48 .

Максимум спектральной чувствительности, мкм......0,7 ..

Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А*,

мВ/лк, не менее..............20

Максимальная освещенность при времени кадра 20 мс, лк, не менее 2 Максимальное напряжение выходного сигнала, мВ, ие менее . . 100

. 1.0

Глубина модуляции напряжения сигнала на отметке 200 линий в центре, %, не менее.............44

Неравномерность напряжения, %, не более:

светового сигнала ... .......... 20

темнового сигнала...............20

Электрические параметры и режимы работы ФПЗСКМ представлены в табл. 4.31.

Изготовить матричную фоточувствительную структуру с число.м элементов порядка 10= и более, в которой не было бы ни одного элемента, не соответствующего по параметрам требованиям технических условий (т. е. дефектного элемента), чрезвычайно трудно. Поэтому почти все выпускаемые образцы имеют то илн иное .количество дефектных элементов. Допустимое число дефектов для ФПЗС1М указано в табл. 4.32.

Таблица 4.32

Тип прибора

Количество допускаемых дефектов

Зона 1

Зона П

Зона 1П

ФПЗС1М-А ФПЗС1М-Б

ФПЗС1М-В

Не более 2 дефектов по п.2 при.ме-чаний

Не более 20 дефектов по п. 2 примечаний. Не более 2 дефектов по П.З примечаний

Не более 10 дефектов по п.2 примечаний

Не более 10 дефектов по п.2 примечаний. Не более 2 дефектов по п.З примечаний

Не более 10 дефектов по п.2 примечаний Суммарная площадь, занимаемая дефектами по п.2 и 3 примечаний, не более 2 °/о от площади зо:.ы III Сум.марная п.ошадь, занимаемая дефектами по п.п. 2 и 3 при.мечаний, не более 10% от площади зоны 1П

Примечания 1. Площадь воспроизводимого изображения разбивается на три центрированные неперекрывающиеся зоны с Бнешни.ми линейными размерами, соответствующими следующим частям полного размера воспроизводимого изобра»енит; 30%.-зона 1, 60%-зона П. 100 %~зоиа ПГ.

2. Допускаемый локальный дефект на поле изобра»ения, имеющий вид пятпа, не выходит за границы участка, соответствующего по площади 6X6 фоточувствительным элементам.

3. Допускаемый дефект на поле изображения, имеющий вид столбца, не выходит за границы участка, соответствующего дв>м смежным столбцам фоточувствительных -лементов прибора.

Габаритные размеры и относительная спектральная характеристика чувствительности

<РПЗС7М-А , ФПЗСГМ-S, ФПЗС7М-В


ФПЗС1М


0,5 0,6 0,7 0,3 0,9 Х.мт



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [ 21 ] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

0.0008