Главная  Использование коротковолнового диапазона 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [ 22 ] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

ФПЗСЗМ, ФПЗСЗМ-1

Преобразователи матричные ФПЗСЗМ представляют собой многоэлементные фотоэлектрические приборы с самосканироваиием на принципе переноса заряда. Приборы предназначены для использования в передающей аппаратуре цветного и черно-белого телевидения, работающей в спектральном диапазоне длин волн от 0,4 до 1,0 мкм.

Преобразователи выполнены в стандартном планарном металлокерамическом корпусе. В -крышке корпуса и.меется стеклянное входное окно. Фотопрнем-ная матрица, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, распололсе-на внутри корпуса.

Преобразователя ФПЗСЗМ и ФПЗСЗМ-1 различаются между собой количеством допустимых дефектных площадок. Габаритные размеры преобразователей по корпусу без выводов составляют 2,98X45,75X19,5 мм. .Масса прибора не более 3 г.

Организация преобразователей. Преобразователи представляют собой фотоприемную матрицу с числом элементов 288X256. .Матрица содержит секцию накопления, секцию памяти, верхний и нижний выходные регистры. Регистры имеют свои входные устройства и устройства формирования выходного сигнала. Преобразователи построены на приборах с зарядовой связью, Схема питания матрицы трехфазная, с кадровым переносом накопленной информации.

Размер секции накопления или секции памяти 4,3X5,9 мм.

Раз.мер фоточувствительного элемента 30X23 мкм.

Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл. 4.33.

Таблица 4.33

Еывод

Наименование

9 10 И 12,24 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23

Первые фазные электроды верхнего выходного регистра Вторые фазные электроды верхнего выходного регистра Третьи фазные электроды верхнего выходного регистра Входной электрод верхнего выходного регистра Первые фазные электроды секции накопления Вторые фазные электроды секции накопления Третьи фазные электроды секции накопления Разделительные электроды Сток нижнего выходного регистра

Затвор сбросового транзистора нижнего выходного регистра Исток выходного транзистора нижнего выходного регистра

Подложка

Первые фазные электроды нижнего выходного регистра Вторые фазные э.тектроды нижнего выходного регистра Третьи фазные электроды нижнего выходного регистра Входной электрод нижнего выходного регистра Вторые фазные электроды секции хранения Первые фазные электроды секции хранения Третьи фазные электроды секции хранения Исток выходного транзистора иентрального электрода Сток верхнего выходного регистра

Затвор сбросового транзистора верхнего выходного регистра Исток выходного транзистора верхнего выходного регистра

Таблица 4.34

Навмеиованне параметра, единица измерения

Значение параметра

Вывод

Уровень накопления, В

-.20

5,6,7

Уровень обогащения, В

.. 15

5,6,7

Нижний уровень импульсов вертикального

..10

5,6,7,17,18,19

переноса, В

..20

Верхний уровень импульсов вертикального

5,6.7,17,18,19

переноса, В

Нижний уровень импульсов выходного ре-

1,2,3,13,14,15

гистра, В

Верхний уровень импульсов выходного

..20

I, 2,3,13,14,15

регистра, В

Постоянное напряжение стока, В

..20

9,21

Постоянное напряжение на разделительных

..15

электродах, В

Постоянное напряжение на входных элек-

4,16

тродах регистра, В

Нижний уровень импульса сброса, В

..10

10,22

Верхний уровень импульса сброса, В

. .20

10,22

Рабочий ток выходных транзисторов, мА

0,5.

11,20,23

Максимальное постоянное напряжение на

9,21

стоке, В

Примечание. Все напряжения нзмеря-отся о тносительно подложки. Напряжениеобо-гащения-поло-кительное, все остальные-отрицательн ые. Напряжение подложки составляет 20 В относительно земли.

Таблица 4.35

Тип прибор 1

Количество допускаемых дeeктoв

Зона Г

Зона И

Зона ГН

ФПЗСЗМ ФПЗСЗМ-1

Не более 5 дефектов по п.п.2 и 3 примечаний

Не более 10 дефектов пэ П.П. 3 и 2

пр!1мечания

Не более 50 дег ек-тов по п.п.2 и 3 прн.мечания

Суммарное число дефектных элементов не должно превышать 5 % общего числа Элементов разложения То же

Примечания; I. Площадь воспроизводимого изображения разбивается на три центрированные неперекрываюшиеся зоны с внешними линейными размерами, соответствующими следующим частям полного размера воспроизводимого изображения: Ш %-зона I, 40%-зона П, 100 %-зона ПГ.

2. Допускается дефект, имеющий вид локального пятна размером не более 3X3 элемента разложения.

3. Допускается дефект в виде столбца шириной не более 2 элементов разложения с периодом ис менее 8 элементов разложения.

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) "С

Диапазон спектральной чувствительности, мкм......0,4 .

Максимум спектральной чувствительности, мкм......0,7 .

Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А»,

мВ/лк, не менее..............30

Максимальная освещенность, лк, не менее.......4

Максимальное напряжение выходного сигнала, мВ, не менее . , 120

1,0 0,8



Глубина модуляции напряжения сигнала при передаче 100 черных и

белых линий на строку, %, не менее ........ 40

Неравномерность напряжения светового сигнала, %, не более . . 10

Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, ие более . . 10

Электрические параметры и режимы работы ФПЗСЗМ указаны в табл. 4.34, допускаемые дефекты - в табл. 4.35.


Габаритные размеры и относительная спектральная характеристика чувствительности

, оти.ед

80 70 60 50 iC 30 20 10 О

ФПЗСЗМ, ЗМ-1 ХттЛ-0,8мни

4 0,5 06 0,7 0,8 0,3 ,тм

ФПЗС4М

Преобразователь матричный ФПЗС4М представляет собой многоэ.темент-ный фотоэлектрический прибор с самосканированием на принципе переноса заряда. Прибор предназначен для использования в передающей аппаратуре черно-белого и цветного телевидения, работающей в диапазоне длин волн от 0,4 до 1,05 мкм.

Преобразователь выполнен в металлокерамическом корпусе. В крышке корпуса и.меется стеклянное входное окно. Фотоприемная матрица, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Габаритные размеры преобразователя по корпусу без выводов составляют 4,5X25,7X42,5 мм. Масса прибора не более 12 г.

Организация преобразователя. Преобразователь представляет собой фотоприемную матрицу с числом элсмогтов 576X512. .Матрица содержит секцию накопления, секцию памяти и выхз-ной регистр. Преобразователь построен на приборах с зарядовой связью. Схема питания матрицы трехфазная, с кадровым выводо.м накопленной информации.

Обозначение выводов фотоприемноп матрицы приведено в табл. 4.36.

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С

Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А» и времени кадра 20 мс, мВ/лк, не менее............40

Выв од

Нанмеиоваине

16, 17, 2,31 3 4

5 6 7 8

9,24 10,23 11,22 12,21 13,20 14,19 16,18

Не подключать Подложка

Первые фазные электроды выходного регистра

Вторые фазные электроды выходного регистра

Третьи фазные электроды выходного регистра

Исток выходного регистра

Первые входные затворы

Вторые входные затворы

Первые фазные электроды секции памяти

Вторые фазные электроды секции памяти

Третьи фазные электроды секции памяти

Разделительный электрод

Третьи фазные электроды секции накопления

Вторые фазные электроды секции накопления

Первые фазные электроды секции накопления

Исток (сток) выходного транзистора регистра

Сток выходного регистра

Затвор сбросового транзистора

Сток (исток) выходного транзистора регистра

Первые выходные затворы

Вторые выходные затворы

Напряжение сигнала насыщения, мВ, не менее........ЮО

Максимальная освещенность, лк, не менее.........2

Глубина модуляции напряжения сигнала на отметке 200 линий в центре, %,

не менее..................45

Неравномерность напряжения светового сигнала, %, не более . . . .20 Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, не более . . . .20

Электрические параметры и режимы работы ФПЗС4.И указаны в табл. 4.37.

Габаритные размеры и относительная спектральная характеристика чувствительности


<Р773С4М

5зтй, omri I

Лтк = 0,8...0,$тм

90 S3 70 50 50 W 33 23 W О

\/з\

- -\

Фотдеетеи 0,f тгльиая зона кристалла

2136



Значение параметра

Наименование параметра,

единица измерения

ие менее

не более

пывод

Уровень ооогащенля, В

13, 14,

18, 19, 20

Нижний уровень импульсов вер-

9, 10..

.14,

15,18,19...23,24

тикального переноса, В

Верхний уровень импульсов вер-

ПОДТ

9,10.. .

14,15,18,19...23,24

тикального переноса, В

Нижний уровень импульсов вы-

3,4,5

ходного регистра, В

Уровень накопления, В

ПОД!

13,11,15,18

,19,20

Уровень памяти, В

f пОДТ

9,10,11

,22,

23,24

Верхний уровень импульсов вы-

подт

С/дОДТ

3,4,5

ходного регистра, В

Размах импульсов выходного

3,4,5

регистра, В

Постоян! ое напряжение на стоке, В

Постоянное напряжение фона, В

подт

-пОД!

Постоянное напряжение на раз-

7,29

делительных электродах выход-

ного регистра, В

Нижний уровень импульсов ка

затворе сбросовою транзистора, В

Верхний уровень импульсов на

ПОДЛ

затворе сбросового транзистора, В

Рабочий ток выходного транзис-

25,28

тора, мА

При мечание. Все напряжения измеряются относительно подложки; 1/-постоянное напряжение на выводах 2,31, измеренное относительно корпуса аппаратуры. Напряжение уровня обогащения положительное, напряжение остальных уровней отрицательное. Суммарное напряжение („(,д„-1-о«ог Должно превышать 24 В.

ФПЗСЗМ, ФПЗС5М-1, ФПЗС5М-2

Преобразователи матричные ФПЗС5М представляют собой многоэлементные фотоэлектрические приборы с самосканированием на принципе переноса заряда Приборы предназначены для использования в оптико-электронной аппаратуре, работающей с импульсными источника.ми излучения в диапазоне для волн от 0,4 до 1,05 мкм.

Преобразователи выполнены в стандартном планарном металлокерамическом корпусе. В крышке корпуса имеется стеклянное входное окно. Фотоприемная матрица, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Преобразователи ФПЗС5М, ФПЗС5М-1 и ФПЗС5М-2 различаются между собой уровнем отдельных фотоэлектрических параметров и количеством дефектных площадок.

Габаритные раз.меры преобразователей по корпусу без выводов составляют 3,0X15, 75X19,5 мм. Масса прибора не более 5 г.

Организация преобразователей. Преобразователи представляют собой фотоприемную матрицу с числом элементов 512X287. Матрица содержит секцию накопления, верхний и нижний выходные регистры. Регистры имеют свои входные устройства и устройства формирования выходного сигнала. Преобразователи построены на приборах с зарядовой связью. Схема питания матрицы трехфазная, с покадровым переносом накопленной информации.

Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл. 4.38.

Таблица 4.38

Вывод

Наименование

1,12,13,24 2

3 4,20

9 10 11 14 15 16 17 18 19 21 22 23

Не подключать

Сток выходных регистров

Исток выходного транзистора нижнего регистра Подложка

Первые фазные электроды нижвего выходного регистра Вторые фазные электроды нижнего выходного регистра Третьи фазные электроды нижнего выходного регистра Вторые входные затворы нижнего регистра Третьи фазные электроды секции накопления Вторые фазные электроды секции накопления Первые фазные электроды секции накопления Первые входные затворы регистров Исток верхнего выходного регистра Вторые входные затворы верхнего регистра Третьи фазные электроды верхнего регистра Вторые фазные электроды верхнего регистра Первые фазные электроды верхнего регистра Выходные затворы регистров Исток выходного транзистора верхнего регистра Затворы сбросовых транзисторов

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С

Импульсная вольтовая чувствительность, В-см/мкДж, не менее . . .1,0 Длительность входного оптического импульса при частоте следования до

50 Гц, мкс, ие менее..............1,0

Глубина модуляции напряжения сигнала на отметке 200 линий в центре,

%, не менее:

ФПЗС5М, ФПЗС5М-1.............45

ФПЗС5М-2................35

Неравномерность напряжения темнового сигнала,%, не более:

ФПЗС5М................ 5

ФПЗС5М-1................10

ФПЗС5М-2................15

Относительная неравномерность импульсной во.тьтовой чувствительности, %, не более:

ФПЗС5М.......... 10

ФПЗС5М-1............. "15

ФПЗСМ5-2............... . 20

Пороговая экспозиция по флуктуационному шуму, Дж/см, не более-

ФПЗС5М........ 2-10-»

ФПЗС5М-1 .... . ....

ФПЗС5М-2........3-10-»

Электрические параметры и режимы работы ФПЗС5М указаны в таб.т. 4.39.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [ 22 ] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

0.0009