|
|
|
Главная Использование коротковолнового диапазона [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [ 23 ] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] Наименование параметра, единица измерения Значение параметра Выводы Постоянное напряжение на подложке, В Нижний \ровеньь импульсов Регистра, В Верхний уровень импульсов регистра, В Постоянное напряжение га стоке, В Постоянное напряжение на разделительных Электродах выходного регистра, В Постоянное напряжение на входных электродах регистров, В Нижний уровень импульсов сброса, В Верхний уровень импульсов сброса, В Нижнгй уровень импульсов вертикального переноса, В Верхний >ровеьь импульсов вертикального переноса, В Длительность входного оптического импульса, мкс О J0 .. .15 ..24 ,..24 ..15 О ..20 0. 10. 0. . .15 ..24 ..15 ..24 ..10 4,20 5,6,7,15,17,18,19 5.6,7,15,17,18,19 2 14,21 8,16 23 23 9,10,11 9,10,11 Примечание Все напряжения измеряются относительно подложки, напряясение подложки не более 21 В, напряжение уровней отрицательное Допустимое число дефектных элементов в ФПЗС5М указано в табл 4 40 Таблица 4 40
ФПЗСбМ ФПЗС5М-1 ФПЗС5М-2 Не бо lee 2 дефектов по п. 2 примечаний Не более 5 дефектов по п. 2 примечаний Не более 10 дефектов по п. 2 прлмечаний Не более 20 дефектов по п. 2 и не более 3 дефектов по п. 3 примечаний Не более 6 дефектов по п 2 примечаний Суммарная площадь, занимаемая дефектами по пп. 2 и 3 примечаний, не более 2 % от площади зоны 1П Суммарная площадь, занимаемая дефектами по пп. 2 и 3 примечаний, не более 5 % от площади зоны III Примечания 1. Площадь воспроизводимого изображения разбивается на три центрированные неперекрывающиеся зоны с внешними линейными размерами, соответствующими следующим частям полного размера воспроизводимого изображения 30% - зона 1. 60%-зона И, 100%-зона HI. 2 Допускаемый локальный дефект на поле изображения, имеющий вид пятна, ие выходит за границы участка, соответствующего по площади бхб фоточувствительиым эле ментам прибора .3 Допускаемый дефект иа поле изображения, имеЮ1ций вид светлого или темного столбц! ие выходит за границы участка, соответствующего двум смежным столбцам фо точ>вствительных элементов Допустимое расстояние между столбцами не менее участка строки соответствующего 10 фоточувствнтельиым элементам прибора Габаритные размеры и отиоси гельиая спектральная характеристика чувствительности mSCSM, iPff3C5M-r, ШС!М-2 0,2Z . . .O.S  л мок ".7 . OJSMKH  D,k- US 0,6 0,7 0,8 0,3 1,0 Я,ти ФПЗС6М, ФПЗС6Л Преобразователи матричные ФПЗС6М и ФПЗС6Л представляют собой многоэлемеитные фотоэлектрические приборы с самосканированием на принципе переноса заряда. Приборы предназначены для использования в различной оптико-электронной аппаратуре, работающей в диапазоне длин волн от 0,45 до 1,0 мкм. Прибор ФПЗС6М предназначен для преобразования в электрический сигнал оптического изображения, проецируемого на фоточувствительный массив 288X256 элементов и работает в режиме импульсного освещения. Прибор ФПЗС6Л предназначен для преобразования в электрический сигнал оптического изображения светового штриха, проецируемого на фоточувствительные поверхности двух регистров по 264 элемента в каждом. Преобразователи выполнены в стандартном планарном металлокерамическом корпусе В крышке корпуса имеется стеклянное входное окно Фотоприемная матрица, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса Габаритные размеры преобразователей по корпусу без выводов составляют 3,0X15, 75X19,5 мм. Масса прибора не более 5 г. Организация преобразователей. Преобразователи представляют собой фотоприемную матрицу с числом элементов 288X256. Матрица состоит из основного фоточувствительного массива 288X256 элементов с переносом заряда и двух фоточувствительных сдвиговых регистров по 264 элемента в каждом по разные стороны основного массива Схема питания матрицы трехфазная. Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл. 4.41. Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С Преобразователь ФПЗСбМ Импульсная вольтовая чувствительность, В-см/мкДж, не менее . . .1,0 Длительность входного оптического импульса при частоте следования до 50 Гц, мкс, не менее...............1,0 Напряжение сигнала насыщения при работе с фоточувствительными секциями, мВ, не менее................150 Вывод Наименование 2 3 4 5 6 7 8,20 9 10 И 12,24 Первые фазные электроды верхнего выходного регистра Вторые фазные электроды верхнего выходного регистра Третьи фазные электроды верхнего выходного регистра Входной электрод верхнего выходного регистра Вторые фазные электроды первой секции Третьи фазные электроды первой секции Первые фазные электроды первой секции Разделительные электроды Стек нижнего выходного регистра Затвор сбросового транзистора нижнего выходного регистра Исток выходного транзистора нижнего выходного регистра Подложка Первые фазные электроды нижнего выходного регистра Вторые фазные электроды нижнего выходного регистра Третьи фазные электроды нижнего выходного регистра Входной электрод нижнего выходного регистра Вторые фазные электроды второй секции Третьи фазные электроды второй секции Первые фазные электроды второй секции Сток верхнего выходного регистра Затвор сбросового транзистора верхнего выходного регистра Исток выходного транзистора верхнего выходного регистра Таблица 4.42 Наименование параметра, единица измерения Постоянное напряжение на подложке, В Нижний уровень импульсов регистра, В Верхний уровень импульсов регистра, В Постоянное напряжение на стоке, В Постоянное напряжение на разделительных электродах выходного регистра, В Постоянное напряжение на входных электродах регистров, В Нижний уровень импульсов сброса, В Верхний уровень импульсов сброса, В Нижний уровень импульсов вертикального переноса, В Верхний уровень импульсов вертикального переноса, В Рабочий ток выходного транзистора, мА Значение п.рамегров Выводы О 10 24 ..15 . .20 ..24 . 15 0. . .20 0. 10. 0. 0,5. ..20 . .35 ..15 ..20 . .2,0 12, 24 1, 2, 3, 13, 14, 15 1, 2, 3, 13, 14, 15 9, 21 8, 20 4, 16 10, 22 10 ,22 5, 6, 7, 17, 18, 19 5, 6, 7, 17, 18, 19 И, 23 Примечание. Все напряжения измеряются относительно подложки; электрические режимы, приведенные в таблице, соответствуют включению ФПЗС6М; при включение ФПЗСбЛ выводы 4, 5, 6. 7, lb, 17, 18, 19 закорачиваются иа подложку. Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, не более . . .10 Относительная неравномерность н.мпульсной вольтовой чувствительности, %, не более..................10 Допустимое число дефектов: локальные дефекты на поле изображения, имеющие вид пятна, не выходящего за границы участка, соответствующего площади 3X3 фоточувствительных элементов, не более.........55 дефекты на поле изображения, имеющие вид светлого или темного столбца, не выходящего за границы участка, соответствующего двум смежным столбцам фоточувствительных элементов, при расстоянии между столбцами не менее участка строки, соответствующего 10 фоточувствительным элементам прибора, не более......4 Преобразователь ФПЗСбЛ Напряжение сигнала насыщения при работе с регистрами. В, не менее . . 2,0 Единичные выбросы напряжения выходного сигнала. В, не более . .0,3 Ток утечки через подложку, мкА, не более.........40 Электрические параметры и режимы работы ФПЗС6М указаны в табл. 4.42. Габаритные размеры и относительная спектральная характеристика чувствительности <РПЗС6М, ФПЗС6Л 
0,k 0,5 0.5 0.7 0.8 0,3 1,0 ,мт 1 200ЦМ1 Преобразователи матричные представляют собой многоэлементные кремниевые фотоэлектрические приборы с самосканированием на принципе переноса заряда Приборы предназначены для использования в различной телевизионной и оптико-электронной аппаратуре, работающей в диапазоне длин волн от 0,5 до 1 мкм. Преобразователи выпускаются в стандартном металлокерамическом корпусе, имеющем стеклянное входное окно. Матричная структура, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса Габаритные размеры преобразователей по корпусу без выводов составляют 5,5X14, 4X29,5 мм. Масса прибора не более 6 г. Организация преобразователей. Преобразователь представляет собой фотоприемную матрицу с числом элементов 288X232. Матрица содержит секцию накопления, секцию памяти, верхний и нижний выходные регистры. Преобразо- Таблица 4.43 Рывод Наименование Затвор транзистора сброса Первый фазный электрод нижнего регистра Второй фазный электрод нижнего регистра Третий фазный электрод нижнего регистра Входной диод нижнего регистра Входной затвор нижнего регистра Первый фазный электрод секции накопления Второй фазный электрод секции накопления Третий фазный электрод секции накопления Второй входной затвор верхнего регистра Первый входной затвор верхнего регистра Входной диод верхнего регистра Третий фазный электрод верхнего регистра Второй фазный электрод верхнего регистра Первый фазный электрод верхнего регистра Первый фазный электрод секции накопления Второй фазный электрод секции накопления Третий фазный электрод секции накопления Подложка Выходной затвор Выход видеосигнала основной Питание усилительных транзисторов Выход видеосигнала компенсационный Питание транзистора сброса ватели построены на приборах с зарядовой связью. Схема питания матрицы трехфазная. В течение прямого .хода кадровой развертки ]]роисходит накопление фото-генерированных зарядов в секции накопления, в течение обратного хода-их параллельный перенос в секцию хранения. Во время последующего цикла накопления заряды из секции хранения построчно за время хранения строчной развертки поступают в выходной регистр, который последовательно их выводит. Выходное устройство выполнено по принципу устройства с «плавающей диффузией», что обеспечивает низкий уровень собственных шумов и высокую пороговую чувствительность. Благодаря симметричной конструкции секции накопления и памяти схему можно использовать в качестве аналогового ЗУ. Размер одного фоточувствительного элемента 24X21 мкм. Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл. 4.43. Электрические параметры и режимы работы 1 200ЦМ1 указаны в табл. 4.44. Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А», мВ/лк, не мег:ее.................3 Пороговая освещенность, лк, не более..........5-10~* 11апрях(енпе сигнала насыщения, мВ, не менее.......80 Глубина модуляции напряжения сигнала на отметке 116 тв. линий на строку, %, не менее..............30 Неравномерность напряжения темнового сигнала, мВ, не более . . .2 Таблица 4.44:
Габаритные размеры / гооцмт  Ключ 1 200ЦЛ1 Преобразователь линейный 1 200ЦЛ1 представляет собой многоэлементный кремниевый фотоэлектрический прибор с самосканированием на принципе переноса заряда. Приборы предназначены для использования в различной оптико-электронной аппаратуре, работающей в диапазоне длин волн от 0,5 до 1 мкм. 8-5356 [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [ 23 ] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] 0.0011 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||