Главная  Использование коротковолнового диапазона 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [ 24 ] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

Вывод

4,5 6 7 8

), 10, 11, 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

Наимеиование

Питание компенсационного транзистора Не подключать

Питание первого усилительного транзистора Не подключать

Питание основного транзистора

Затвор нагрузочного транзистора

Питание антиблуминга

Не подключать

Фотозатвор

Затвор антиблуминга

Разрешающий затвор

Входной днод

Первый входной затвор

Второй входной затвор

Третий фазный электрод регистра

Второй фазный электрод регистра

Первый фазный электрод регистра

Выходной затвор

Питание транзистора сброса

Затвор транзистора сброса

Преобразователи выпускаются в стандартном металлокерамическом корпусе, имеющем стеклянное входное окно. Линейная структура, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Габаритные размеры прибора по корпусу без выводов составляют 29,IX XI4,7X3,95 мм. Масса прибора не более 6 г.

Организация преобразователей. Преобразователи представляют собой фотоприемную линейку с числом элементов 1 024. Линейка содержит секцию накопления и выходной регистр. Преобразователи построены на приборах с зарядовой связью. Схема питания линейки трехфазная.

В приборе используется специальная схема защиты от избытка накопленного заряда (антиблуминга).

Длина фоточувствительной секции составляет 15,36± 0,003 мм.

Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл. 4.45.

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С

Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А»,

мВ/лк, не менее..............2,4

Пороговая освещенность, лк, не более.........0,25

Напряжение сигнала насыщения, В, не менее.......0,3

Глубина модуляции, %, не менее..........40

Неравномерность чувствительности, %, не более......8

Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, не более . . 4 Диапазон частот опроса, МГц...........0,05 ... 3

Электрические параметры и режимы работы 1 200ЦЛ1 указаны в табл. 4.46.

Таблица 4.4&

Наименование параметра, единица измерения

Значение параметра

Выводы

мини -маль-

типовое

максимальное

Напряжение на фотозатворе, В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на разрешающем затворе, В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на входном диоде, В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на фазных электродах, В:

нижний уровень

верхний уровень

Напряжение на затворе транзистора сброса. В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение питания компенсационного транзистора, В

Напряжение питания первого усилительного транзистора, В

Напряжение питания основного транзистора, В Напряжение на затворе нагрузочного транзистора, В Напряжение питания антиблуминга, В Напряжение на затворе антиблуминга, В Напряжение на первом входном затворе, В Напряжение на втором входном затворе, В Напряжение на выходном затворе, В Напряжение питания транзистора сброса, В

- 10

- 10

- 10

- 10

19, 20,

- 10

19, 20,

- 10

- 10

- 10

22 ,1

- 10

Примечание. Значения подложки.

напряжений приведены относительно общей точки -

Габаритные размеры

1 гооцл1


Ключ



1 200ЦЛ2

преобразователь линейный 1 200ЦЛ2 представляет собой многоэлементный кремниевый фотоэлектрический прибор с самосканированием на принципе переноса заряда. Приборы предназначены для использования в телевизионной и оптико-электронной аппаратуре различного назначения, работающей в диапазоне длин волн от 0,36 до 1,05 мкм.

Преобразователи выпускаются в стандартном герметичном металлокерамическом корпусе, имеющем стеклянное входное окно. Линейная структура, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Габаритные размеры прибора по корпусу без выводов составляют 29,IX Х14,7ХЗ,95 мм (см. прибор 1 200ЦЛ1). Масса прибора не более 10 г.

Организация преобразователей. Преобразователи выполнены в виде фотоприемной линейки с числом элементов 2 048 Линейка представляет собой со--четание в одном кристалле накопительной области с фотодиодиой светочувствительной структурой и двух сдвиговых ПЗС-регистров, расположенных по разные стороны накопительной области и отделенных от нее разрешающим затвором. Накопительная область состоит из фотодиодов, барьерного и накопительного затворов. Фоточувствительная линейка имеет 2 048 фотодиодов, 48 из которых (с 2 001 по 2 048) закрыты алюминиевым экраном и служат для отсчета уровня «черного» в Строке, т. е. уровня сигнала, создаваемого темповыми токами в фотодиодных ячейках. В приборе имеется схема защиты выхода от тактовой помехи импульсного питания транзистора сброса.

Размеры фоточувствительных ячеек 12 мкм вдоль и 10 мкм поперек строки Ячейки расположены с шагом 12 мкм.

Обозначение выводов фотоприемной матрицы приведено в табл. 4 47.

Таблица 4.47

Рывод

Наименование

3, 4, 22

9 10 И

15 16 17

18 19 20 21 23 24

Затвор транзистора сброса правый Затвор выходной Не подключать

Затвор экранирующий правого регистра

Затвор разрешающий правого регистра

Третий фазный электрод правого регистра

Второй фазный электрод правого регистра

Первый фазный электрод правого регистра

Затвор входной второй правый

Диод входной правый

Затвор накопительный

Затвор барьерный

Диод входной левый

Затвор входной

Затвор входной второй левый

Первый фазный электрод левого регистра

Втопой фазный электрод левого регистра

Третий фазный электрод левого регистра

Затвор разрешающий левого регистра

Затвор экранирующий левого регистра

Питание транзистора сброса

Затвор транзистора сброса левый

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) °С

Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А», мВ/лк,

не менее.................8

Пороговая освещенность, лк, не более.........0,75

Напряжение сигнала насыщения. В, не менее......0,5

Глубина модуляции напряжения сигнала на отметке 1 024 тв. линий

на строку, 7о, не менее............50

Неравномерность чувствительности, %, не более.......12

Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, не более . . 5 Диапазон частот опроса, МГц...........0,1 ... 3

Электрические параметры и режимы работы 1 200ЦЛ2 указаны в табл. 4.48.

Таблица 4.48

Наименование параметра, единица измерения

Зиачение параметра

Выводы

инни-маль-ное

типовое

максимальное

- 10

1,24

- 15

1,24

- 10

- 10

7, 8, 9,

17, 18, 19

7, 8, 9,

17, 18, 19

- 10

- 10

- 10

- 13

5,21

10,16

- 15

- 10

Напряжение на затворе транзистора сброса, В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на разрешающем затворе правого регистра. В

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на фазных электродах, В:

нижний уровень

верхний уровень

Напряжение на входном правом диоде, В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на входном левом диоде. В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на накопительном затворе. В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на разрешающем затворе левого регистра, В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение на экранирующих затворах правого и левого регистров, В

Напряжение на правом и левом вторых входных затворах, В

Напряжение на барьерном затворе, В Напряжение на входном затворе, В Напряжение питания транзистора сброса, В Напряжение на выходном затворе, В

Примечание. Значения напряжений приведены относительно общей точки - подложки.



1 200ЦМ2А, 1 200ЦМ2Б

Преобразователи матричные 1 200ЦМ2А, 1 200ЦМ2Б представляют собой многоэлементные кремниевые фотоэлектрические приборы с самосканироваиием на принципе переноса заряда. Приборы предназначены для использования в различной телевизионной и оптико-электронной аппаратуре, работающей в диапазоне длин волн от 0,5 до 1 мкм.

Преобразователи выпускаются в стандартном металлокерамическом корпусе, имеющем стеклянное входное окно. Матричная структура, выполненная в виде большой полупроводниковой ИС, расположена внутри корпуса.

Приборы 1 200ЦМ2А и 1 200ЦМ2Б различаются между собой допустимым количеством дефектных элементов.

Габаритные размеры приборов по корпусу без выводов составляют 42,5X24,7X5,5 мм. Масса прибора не более 15 г.

Организация преобразователей. Преобразователи представляют собой фотоприемную матрицу с числом элементов 576X360 Матрица содержит секцию накопления, секцию хранения и выходной регистр. Преобразователи построены на приборах с зарядовой связью. Схема питания матрицы трехфазная.

Благодаря симметричной конструкции секции накопления и секции хранения приборы могут использоваться в качестве аналогового ЗУ. Размер одного фоточувствительного элемента 24x21 мкм. Размер кристалла 8,6X12 мм.

Обозначение выводов фотопрнемной матрицы приведено в табл. 4.49. Электрические параметры и режимы работы 1 200ЦМ2 указаны в табл. 4.50.

Таблица 4.49

Еывод

Наименование

2, 10

3, 13 4 5

6, 26 7 8 9

16, 30

17, 32

18, 31 23 24 25

19, 20, 21, 22, 27, 28, 29

Подложка

Третий затвор регистра Затвор транзистора сброса Не подключать

Второй фазный электрод секции накопления Третий фазный электрод секции накопления Первый фазный электрод секции накопления Сток усилительных транзисторов Сток транзистора сброса Не подключать Диод антиблуминга Третий фазный электрод регистра Первый фазный электрод регистра Второй фазный электрод регистра Третий фазный электрод секции хранения Второй фазный электрод секции хранения Первый фазный электрод секции хранения Выводы используются для ввода сигнала боров в качестве запоминающих устройств

при применения ирн-

Таблица 4.50

Наименование параметра, единица измерения

Значение параметра

Выводы

Напряжение накопления и переноса, В;

нижний уровень

верхний уровень Напряжение переноса. В:

нижний уровень

верхний уровень Напряжение обогащения, В Напряжение на нехранящих фазах, В Напряжение на затворе транзистора сброса, В:

верхний уровень

нижний уровень Напряжение сброса. В:

верхний уровень

нижний уровень Напряжение на подложке, В Напряжение на стоке транзистора сброса, В Напряжение на затворе регистра, В Напряжение на стоке усилительного транзистора, В

Напряжение на диоде антиблуминга

Примечание. Напряжения смещения иа электродах прибора отсчитываются общей точки генератора управляющих сигналов с нулевым потенциалом.


5, 6, 7, 26 23, 24, 25

5, 6, 7, 26 23, 24. 25 5, 6, 7, 26 23, 24, 25

3. 13 3, 13

16, 17, 18, 30, 31, 32 16, 17, 18, 30, 31, 32 1

2, 10

Основные фотоэлектрические параметры при температуре (20±5) "С Вольтовая чувствительность от источника излучения типа «А», мВ/лк,

не менее..................-о

Пороговая освещенность, лк, не более..........5-10

Глубина модуляции напряжения сигнала на отметке 180 тв. линий на

строку, %, не менее..............35

Неравномерность напряжения темнового сигнала, %, не более . . .7 Неравномерность чувствительности по полю изображения, %, не более 15 Суммарное количество допустимых дефектов по ячейкам и строкам, шт.,

не более.

1 200ЦМ2А................49

1 200ЦМ2Б................63

Габаритные размеры 1 200ЦМ2А, f 200ЦМ2Б

36,5



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [ 24 ] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

0.0009