Главная  Использование коротковолнового диапазона 

[0] [1] [2] [3] [4] [ 5 ] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

3.1. Основные параметры и характеристики одноэлементных и малоэлементных полупроводниковых фотоэлектрических приемников излучения, фотоприемных устройств и тепловых

приборов

Полная система параметров и характеристик полупроводниковых фотоэлектрических приемников излучения приведена в ГОСТ 21934-83 Причем представленный в табл 3 1 перечень параметров относится к одноэлементным и многоэлементным приемникам излучения и ФПУ с независимыми (разделенными) выходными каналами, общее число которых бывает, как правипо, незначительно (не более 100) Для фотоприемников и ФПУ с большим числом элемен. тов при наличии коммутатора с одним общим выходом эта система параметров справедлива только по отношению к каждому в отдельности фоточувствительному элементу и оказывается недостаточной для характеристики приемника излучения в целом как многоэлементной структуры, поскольку она не отражает особенностей статистического характера процесса преобразования и обработки сигнала по всему полю фоточ>вствительных элементов

Таблица 31

т ериин

Определение

Рабочее напряжение Lp, В

Темновое сопротивление Rt, Ом

Темновой ток А

Световое сопротивление Rc. Ом

Кратность изменения сопро тивления К, отн ед

Постоянное напряжение, приложенное к приемнику излучения, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе

Сопротивление приемника излучения в отсутствие падающего на него излучения

Ток, протекающий через приемник излучения при заданном напряжении на нем в отсутствие потока из пучения

Сопротивление приемника излучения при воздействии иа нею потока излучения в диапазоне сю спектральной ч\встви1Сльности

Отношение темнового сопротивления фоторезистора к его световому сопротивлению при заданных рабочем напряжении и освещенности иа фоточув ствнтельном элементе

Основные параметры и характеристики приемников оптического излучения



Продолжение табл. 3.1

Фототок (ток фотоснгнала) /ф, А

Общий ток /общ. А

Напряжение фотосигнала Uc, В

Вольтовая интегральная чувствительность Sljhht, В/Вт

Токовая интегральная чувствительность S;hht, А/лМ

Токовая монохроматическая чувствительность So., А/Вт

Токовая импульсная чувствительность 5).иып, А/Вт

Ток шума 1ш, А Напряжение шума U-ш, В

Порог чувствительности Фп, Вт

Порог чувствительности в единичной полосе частот Фп1, ВтТц-/2

Удельный порог чувствительности Фп*, Вт/(Гц/2.см)

Обнаружительная способность D, Вт-

Удельная обнаружительная способность D", Вт--Гц/Х Хсм

Определение

Ток, проходяш;ий через приемник излучения при указанном напряжении на нем, обусловленный воздействием потока излучения

Ток приемника излучения, состоящий из темпового тока н фототока

Изменение напряжения на нагрузке приемника излучения, вызванное действием на него потока излучения

Отношение напряжения фотосигнала к значению мощности потока излучения заданного спектрального состава, вызывающего появление фотосигнала

Отношение фототока к значению мощности потока излучения заданного спектрального состава, вызвавшего появление фототока. Примечание. В некоторых случаях токовая интегральная чувствительность выражается как отношение фототока к значению освещенности входного окна приемника излучения (А/лк) Отношение фототока к значению мощности монохроматического потока излучения на длине волны X, вызвавшего появление этого фототока Отношение амплитуды фототока к амплитудному значению мощности монохроматического потока излучения в импульсе заданной формы (импульсной мощности).

Среднее квадратическое значение флуктуации темпового тока приемника излучения в заданной полосе частот

Среднее квадратическое значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи приемника излучения в заданной полосе частот при отсутствии облучения приемника Среднее квадратическое значение первой гармоники действующего на приемник излучения модулированного потока излучения с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратическое значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратическому значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения

Порог чувствительности приемника излучения, приведенный к единичной полосе частот усилителя

Порог чувствительности приемника излучения, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу

Величина, обратная порогу чувствительности

Величина, обратная удельному порогу чувствительности



Продолжение табл. 3.1

Определение

Время нарастания То,1-0,9, с

Время спада То,9-0,1, с

Время установления переходной нормированной характеристики (по уровню к)

Предельная частота /о, Гц

Емкость фотодиода С, Ф

Последовательное сопротивление фотодиода 7?11оол,Ом

Нулевая точка координатного фотодиода Хо, мм

Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода 2Ах, мм Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

5стат, В/(ММ-Вт)

Коэффициент умножения темнового тока лавинпо-о фотодиода Мт, отн. ед.

Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода Л1ф, отн. ед.

Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора Kj.i,, отн. ед.

Эффективная фоточувстви-тельиая площадка /4,ф, см

Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики приемника излучения со значениями 0,1 и 0,9, соответственно

Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики приемника излучения со значениями 0,1 и 0,9, соответственно

Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики hoit) от установившегося значения не превышает k:

\l-ho{t)\k при >TycTj, Частота синусоидально модулированного потока излучения, при которой чувствительность приемника излучения падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении Емкость р-п перехода фотодиода при подаче иа него рабочего напряжения смещения Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости р-п перехода фотодиода

Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен пулю

Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения

Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первично.му темновому току-к темновому току, который протекает в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении и отсутствии засветки

Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекает в лавинном фотодподе при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабоче.м напряжении и интенсивности засве1ки Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотоснгналу приемника излучения, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувствительному элементу н равна максимальному значению локальной чувствительности данного приемника излучения



[0] [1] [2] [3] [4] [ 5 ] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]

0.001